技术总结
本发明提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括由半导体材料制成的半导体本体(1)、p型接触层(21a)和n型接触层(2)。半导体本体(1)具有设为用于产生辐射的有源层(1a)。半导体本体具有p型侧(1c)和n型侧(1b)，在所述p型侧和n型侧之间设置有有源层(1a)。p型接触层(21a)设为用于电接触p型侧(1c)。n型接触层(2)设为用于电接触n型侧(1b)。n型接触层(2)包含TCO层(2a)和镜面层(2b)，其中TCO层(2a)设置在半导体本体(1)的n型侧(1b)和镜面层(2b)之间。
技术研发人员：马库斯·毛特;卡尔·恩格尔;塞巴斯蒂安·特格尔;罗伯特·沃尔特;约翰内斯·施托克
受保护的技术使用者：欧司朗光电半导体有限公司
文档号码：201610650009
技术研发日：2012.04.26
技术公布日：2016.12.21