1.一种半导体器件，包括：
半导体衬底；
供给层，位于所述半导体衬底上方，所述供给层包括顶面；
栅极结构、漏极和源极，位于所述供给层上方；
钝化层，位于所述栅极结构和所述供给层上方；
栅电极，位于所述栅极结构上方；
场板，设置在所述栅电极和所述漏极之间的所述钝化层上，所述场板包括底边；以及
其中，所述栅电极具有接近于所述场板的第一边缘，所述场板包括面向所述第一边缘的第二边缘，所述第一边缘和所述第二边缘之间的水平距离在从0.05微米至0.5微米的范围内。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述场板上方的盖层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述源极或所述漏极上方的接触件，所述接触件包括与所述场板的所述底边共面的底面。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述底边和所述顶面之间的垂直距离为100埃。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极或所述漏极包括与所述场板相同的材料。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述源极或所述漏极上方的接触件，所述接触件的底面高于所述场板的所述底边，所述场板的所述底边与所述钝化层的顶面共面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述场板的所述底边低于所述钝化层的顶面。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极包括位于所述盖层上方并且延伸在所述场板上方的水平部分。
9.一种制造半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上方形成供给层；
在所述供给层上方形成栅极结构；
在所述栅极结构和所述供给层上方形成钝化层；
在所述钝化层中形成开口；
通过在所述钝化层上方和所述开口内沉积导电层形成源极和漏极；
通过图案化所述导电层形成接近于所述栅极结构的场板并且在所述源极和所述漏极上方形成接触件；以及
形成覆盖在所述场板上方的盖层。
10.一种制造半导体器件的方法，包括：
接收半导体衬底；
在所述半导体衬底上方形成供给层；
在所述供给层上方形成栅极结构；
在所述栅极结构和所述供给层上方形成钝化层，并且所述钝化层的顶面位于所述供给层之上预定高度处；
在所述钝化层中形成开口；
通过在所述钝化层上方和所述开口内沉积导电层以及去除所述导电层的部分，形成源极和漏极；
在所述钝化层上形成场板，所述场板位于所述供给层之上小于所述预定高度的高度处；以及
形成覆盖在所述场板上方并且部分地位于所述栅极结构上方的氧化物层。