本发明涉及太阳能级半导体单晶硅片加工领域，尤其涉及一种太阳能级多晶硅片表面处理方法。
背景技术：
在太阳能级半导体单晶硅片加工过程中，经线锯开方生成的多晶硅片由于表面粗糙，且线痕严重，不能直接对其进行切片。
在对多晶硅片进行切片之前，需要先对多晶硅片表面的线痕进行处理，现有专利201110121543.5，公开了一种太阳能级多晶硅片表面处理方法，使用金钢石磨轮对多晶硅片表面进行物理法机械研磨处理，以除去多晶硅片表面的线痕。然而在处理多晶硅片表面线痕时会在多晶硅片表面形成新的损伤层，容易导致切片后单晶硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良，其采用碱腐蚀的方法对该损伤层进行腐蚀，但其在进行腐蚀时，容易造成硅片边缘有腐蚀坑，使得硅片应力不集中，硬度较差。
技术实现要素：
发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种硬度高，表面光滑的太阳能级多晶硅片表面处理方法。
技术方案：为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种太阳能级多晶硅片表面处理方法，包括以下步骤：
步骤1，采用粒度直径在12-16nm的粗碳化硼对多晶硅片表面进行机械粗研磨；
步骤2，采用粒度直径在1.5-2.5nm的细碳化硼对经过粗研磨的多晶硅片表面进行机械细研磨；
步骤3，将经过细研磨后的多晶硅片中放入抛光液中进行腐蚀抛光，去除步骤2中多晶硅片表面的研磨产生的损伤层；
步骤4，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；
步骤5，将步骤4得到的多晶硅片放入旋转桶内进行边缘抛光；
步骤6，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；
步骤7，对步骤6得到的多晶硅片进行清洗和烘干。
所述抛光液为硝酸、氢氟酸、磷酸的混合液。
优选的：所述硝酸、氢氟酸、醋酸的质量比为4.5：3.5：8。
优选的：所述步骤1中的粗研磨时间为20-30分钟。
优选的：所述步骤2中的细研磨时间10-20分钟。
优选的：所述步骤3中每面的腐蚀厚度在0.03-0.05毫米。
优选的：所述步骤5中旋转桶内设置有抛光衬垫和抛光液。
有益效果：本发明提供的一种太阳能级多晶硅片表面处理方法方法对经线锯切割生成的多晶硅片表面进行处理，不仅通过机械研磨消除了切割留下的线痕，而且通过抛光液蚀除去了多晶硅片表面的损伤层，另外对多晶硅片进行边缘抛光，使得其应力集中，硅片更为坚固。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于
本技术：
所附权利要求所限定的范围。
实施例1
一种太阳能级多晶硅片表面处理方法，包括以下步骤：
步骤1，采用粒度直径在12nm的粗碳化硼对多晶硅片表面进行机械粗研磨；粗研磨时间为30分钟。
步骤2，采用粒度直径在2.5nm的细碳化硼对经过粗研磨的多晶硅片表面进行机械细研磨；细研磨时间10分钟。
步骤3，将经过细研磨后的多晶硅片中放入抛光液中进行腐蚀抛光，去除步骤2中多晶硅片表面的研磨产生的损伤层；所述抛光液为硝酸、氢氟酸、磷酸的混合液。所述硝酸、氢氟酸、醋酸的质量比为4.5：3.5：8。每面的腐蚀厚度在0.05毫米。
步骤4，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；
步骤5，将步骤4得到的多晶硅片放入旋转桶内进行边缘抛光；旋转桶内设置有抛光衬垫和抛光液，完成对多晶硅片的边缘抛光。
步骤6，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；
步骤7，对步骤6得到的多晶硅片进行清洗和烘干。
实施例2。
一种太阳能级多晶硅片表面处理方法，包括以下步骤：
步骤1，采用粒度直径在16nm的粗碳化硼对多晶硅片表面进行机械粗研磨；粗研磨时间为20分钟。
步骤2，采用粒度直径在1.5nm的细碳化硼对经过粗研磨的多晶硅片表面进行机械细研磨；细研磨时间20分钟。
步骤3，将经过细研磨后的多晶硅片中放入抛光液中进行腐蚀抛光，去除步骤2中多晶硅片表面的研磨产生的损伤层；所述抛光液为硝酸、氢氟酸、磷酸的混合液。所述硝酸、氢氟酸、醋酸的质量比为4.5：3.5：8。每面的腐蚀厚度在0.05毫米。
步骤4，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；
步骤5，将步骤4得到的多晶硅片放入旋转桶内进行边缘抛光；旋转桶内设置有抛光衬垫和抛光液，完成对多晶硅片的边缘抛光。
步骤6，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；
步骤7，对步骤6得到的多晶硅片进行清洗和烘干。
该方法不仅通过机械研磨消除了切割留下的线痕，而且通过抛光液蚀除去了多晶硅片表面的损伤层，另外对多晶硅片进行边缘抛光，使得其应力集中，硅片更为坚固。
实施例3。
一种太阳能级多晶硅片表面处理方法，包括以下步骤：
步骤1，采用粒度直径在14nm的粗碳化硼对多晶硅片表面进行机械粗研磨；粗研磨时间为25分钟。
步骤2，采用粒度直径在2nm的细碳化硼对经过粗研磨的多晶硅片表面进行机械细研磨；细研磨时间15分钟。
步骤3，将经过细研磨后的多晶硅片中放入抛光液中进行腐蚀抛光，去除步骤2中多晶硅片表面的研磨产生的损伤层；所述抛光液为硝酸、氢氟酸、磷酸的混合液。所述硝酸、氢氟酸、醋酸的质量比为4.5：3.5：8。每面的腐蚀厚度在0.04毫米。
步骤4，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；
步骤5，将步骤4得到的多晶硅片放入旋转桶内进行边缘抛光；旋转桶内设置有抛光衬垫和抛光液，完成对多晶硅片的边缘抛光。
步骤6，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；
步骤7，对步骤6得到的多晶硅片进行清洗和烘干。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。