技术总结
一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。
技术研发人员：韩赫;朴济宪;尹基炫;李彰原;林炫锡;河周延
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
文档号码：201610756035
技术研发日：2016.08.29
技术公布日：2017.03.08