半导体装置的制作方法

2015年8月28日提交的日本专利申请No.2015-169323的公开(包括说明书、附图和摘要)通过引用将其全部内容并入此处。

技术领域

本发明涉及半导体装置，以及，例如有效地应用于半导体芯片通过多个导线被耦接至多个引线的半导体装置的技术。

背景技术：

日本未经审查的专利申请公开No.2013-120768和日本未经审查的专利申请公开No.2009-44114中的每一个描述了框架状(环形)条带材料附着至耦接至半导体芯片的多个引线的导线结合区域的外部的结构。

此外，日本未经审查的专利申请公开No.2010-278308和日本未经审查的专利申请公开No.2006-332241中的每一个描述了使用彼此分开的多个部件配置附着至引线的条带的结构。

存在以下技术，其中跨越多个引线和与引线相邻布置的悬置引线来附着条带以抑制制造过程期间的引线变形。具体地，如果在与导线耦接的导线连接部分附近附着条带，则可以抑制导线连接部分周围的变形。

在此，将对用于抑制引线变形的条带的获取效率进行检验。将使用以框架形状形成的一个条带的情况与使用不以框架形状形成的多个条带(即，以近似条形形状形成的条带)的情况进行比较，在后一种情况中的获取效率更高。

然而，在使用多个条带的情况下，为了使条带可靠地附着至引线中的每一个，有必要防止条带彼此重叠。作为防止条带彼此重叠的方法，存在使条带附着至引线同时彼此隔开的方法。

在此，为了缩短耦接至引线的每个导线的长度，优选地将导线耦接至引线的尖端部分。因此，为了抑制导线连接部分周围的变形，优选地将条带附着在每个引线的尖端部分附近。

然而，有必要将条带中的至少一个附着在与引线的尖端部分(即，上面描述的方法中的导线连接部分(耦接点))隔开的位置处。

应当注意，作为防止条带彼此重叠的另一个方法，存在例如增大布置在引线之间的悬置引线或者悬置引线的一部分的宽度以使每个条带的端部部分附着至悬置引线或者悬置引线的一部分的方法。然而，在该情况下，由于悬置引线的宽度增大而很难对半导体装置缩小尺寸。或者，很难增加可以布置在一个半导体装置中的引线数量。即，悬置引线宽度的增大导致半导体装置的每单位面积的端子数量减少。

其它目的和新颖特征将通过说明书描述和附图而变得明显。

根据实施例的半导体装置具有包括多个第一引线的第一引线组、包括多个第二引线的第二引线组和布置在第一引线组与第二引线组之间的第一悬置引线。此外，半导体装置具有附着至第一引线中的每一个、第一悬置引线和第二引线中的一些的第一条带以及附着至第二引线中的每一个的第二条带。此外，第一条带具有附着至第一引线中的每一个的第一部分和附着至第一悬置引线和第二引线中的一些的第二部分，以及第二部分附着至比第一部分更远离导线连接部分的位置。

根据上面描述的实施例，可以提高半导体装置的可靠性。

附图说明

图1是根据实施例的半导体装置的俯视图；

图2是沿着图1的线A-A的截面视图；

图3是用于示出看穿图1所示的密封主体的状态中半导体装置的内部结构的透视平面视图；

图4是用于示出图3所示的多个导线和半导体芯片的焊盘被去除的状态的透视平面视图；

图5是用于示出图3所示的多个悬置引线中的一个的周边同时将它们放大的放大平面视图；

图6是用于示出图5所示的端部部分引线的周边同时将它们进一步放大的放大平面视图；

图7是用于示出图5所示的条带的相对侧上的端部部分的周边同时将它们放大的放大平面视图；

图8是用于示出使用图1至图7描述的半导体装置的组装过程的流程的解释性视图；

图9是用于示出图8所示的基底材料制备过程中制备的引线框架的放大平面视图；

图10是用于示出在沿着图9的线A-A的截面中条带附着至多个引线的状态的放大截面视图；

图11是用于示出在沿着图9的线B-B的截面中条带附着至引线的状态的放大截面视图；

图12是用于示出半导体芯片安装在图9所示的引线框架的管芯焊盘上的状态的放大平面视图；

图13是用于示出图12所示的半导体芯片和引线通过导线彼此电气地耦接的状态的放大平面视图；

图14是用于示出图13所示的半导体芯片的焊盘和引线通过导线彼此电气地耦接的状态的放大截面视图；

图15是用于示出在图13所示的多个装置形成部分中的每一个中形成用于密封半导体芯片的密封主体的状态的放大平面视图；

图16是用于示出在图15所示的引线的暴露的表面上形成金属膜以及将金属膜切割随后进行成型的状态的放大平面视图；

图17是用于示出图16所示的悬置引线被切割以获得半导体封装的状态的放大平面视图；

图18是用于示出作为图4的修改的示例的半导体装置的内部结构的透视平面视图；

图19是图18所示的半导体装置的放大平面视图；

图20是用于示出作为图4的另一个修改的示例的半导体装置的内部结构的透视平面视图；

图21是用于示出作为图20的修改的示例的半导体装置的内部结构的透视平面视图；以及

图22是图20或者图21所示的半导体装置的放大平面视图。

具体实施方式

(本申请中的描述形式和基本术语以及使用的解释)

为了方便起见，如有必要，会通过将实施例划分成多个章节以在本申请中描述实施例。然而，各章节并非彼此独立和分开(除非指定并非如此)，而是不论描述的前面部分和后面部分如何，一个章节的单个示例的每个部分与细节的一部分或者其它章节的修改的示例等等的一部分或者全部相对应。此外，原则上不重复地解释相同部分。此外，除构成元件的数量理论上被限于指定数量的情况以外以及除相应的构成元件从上下文来看明显必不可少的情况以外，实施例中的相应的构成元件并非必不可少(除非指定并非如此)。

同样地，在实施例等等的描述中，除非指定并非如此以及除“由A制成的X”明显排除包括除A以外的元素的那些材料、组成等等的情况以外，关于材料、组成等等的“由A制成的X”不排除包括除A以外的元素的那些材料、组成等等。例如，在组件的情况下，这适用于“主要包括A的X”的意思。例如，显然，“硅部件”等等并不限于纯粹的硅，而是包括包含SiGe(硅-锗)合金、主要包括硅的多元合金或者其它添加物的部件。此外，金镀层、Cu层、镍镀层等等不仅包括纯粹的金镀层、Cu层、镍镀层等等而且还包括主要包括金、Cu、镍等等的部件(除非指定并非如此)。

此外，当提到特定值或者数量时，除了值理论上被限于特定值的情况以外以及除了从上下文来看值明显不小于或者大于特定值的情况以外，值可以小于或者大于特定值(除非指定并非如此)。

此外，在实施例的每个附图中，相同或者相似部分由相同或者相似符号或者参考数字表示，以及原则上不重复对它们的解释。

此外，在附图中，在一些情况下，甚至在被阴影线复杂化或者空隙被清楚地辨别时的截面视图中将阴影线等等省略。与此结合，即使在平面视图中的封闭孔的情况下，在从解释等等显而易见的一些情况下也将背景的轮廓省略。此外，为了清楚地指定没有空隙或者清楚地指定甚至除截面视图以外的附图中的区域之间边界，在一些情况下图示阴影线或者点图案。

<半导体装置的概述>

首先，将使用图1至图4对根据实施例的半导体装置PKG1的配置的概述进行描述。图1是根据实施例的半导体装置的俯视图。此外，图2是沿着图1的线A-A的截面视图。此外，图3是用于示出看穿图1所示的密封主体的状态中半导体装置的内部结构的透视平面视图。此外，图4是用于示出图3所示的多个导线和半导体芯片的焊盘被去除的状态的透视平面视图。

如图1至图4所示，半导体装置PKG1具有半导体芯片CP(参见图2和图3)、围绕半导体芯片CP布置的作为外部端子的多个引线以及作为使半导体芯片CP电气地耦接至引线LD的导电部件的多个导线BW(参见图2)。此外，半导体芯片CP和导线BW被用密封主体(树脂体)MR密封。此外，引线LD中的每一个的内引线部分ILD(参见图2)被用密封主体MR密封，以及引线LD中的每一个的外引线部分OLD从密封主体MR露出。

如图1所示，半导体装置PKG1中包括的密封主体MR的平面形状是四边形形状。密封主体MR具有上表面MRt、与上表面MRt相对的下表面(背表面或者安装表面)MRb(参见图2)以及位于上表面MRt与下表面MRb之间的多个(四个)侧表面MRs(参见图1和图2)。

此外，如图1和图3所示，在平面视图中，密封主体MR具有沿着X方向延伸(伸展)的侧面(主要侧面)S1和沿着与X方向相交(在图1中，正交)的Y方向延伸的侧面(主要侧面)S2。此外，密封主体MR具有与侧面S1相对并且沿着X方向延伸的侧面S3，以及与侧面S2相对并且沿着Y方向延伸的侧面S4。如图1所示，沿着密封主体MR的相应的侧面布置密封主体MR中包括的四个侧表面MRs。此外，在图1所示的示例中，密封主体MR的相应的侧面彼此相交的角部分MRc是倒角的。

在此，密封主体MR的每个角部分MRc包括作为密封主体MR的四个侧面(四个主要侧面)当中彼此相交的任意两个侧面(两个主要侧面)的交点的角的外围区域。严格地，应当注意，如图1和图3所示(图1示出了锥度加工的示例，但是可以是R加工)，密封主体MR的每个角部分MRc是倒角的，并且因此在相对于密封主体MR的每个角部分MRc的外侧面上布置主要侧面的交点。然而，倒角部分与主要侧面的长度相比足够地小，并且因此在本申请的描述中，倒角部分的中心被看作密封主体MR的角。即，在本申请中，在密封主体MR的四个侧面(四个主要侧面)当中的任意两个侧面(两个主要侧面)彼此相交的区域是倒角的情况下，倒角部分与角部分MRc相对应。在区域不是倒角的情况下，任意两个侧面(两个主要侧面)的交点与角部分MRc相对应。在下文中，除非指定含义和内容是不同的，否则当在本申请中解释密封主体MR的角部分MRc时，含义和内容与上面的描述相同。

此外，沿着密封主体MR的每个侧面(每个主要侧面)布置引线LD，该密封主体MR在半导体装置PKG1中在平面形状中是四边形。引线LD由金属材料制成，以及在实施例中，是主要包括例如铜(Cu)的金属部件。

如图2所示，引线LD的外引线部分OLD在密封主体MR的侧表面MRs中朝密封主体MR的外侧伸出。此外，在每个引线LD的外引线部分OLD的暴露的表面上，在例如主要包括铜的基底材料的表面上形成金属膜(外部镀敷膜)MC。金属膜MC由金属材料(诸如，对于焊料的可润湿性比作为基底材料的铜优秀的焊料)制成，以及该金属膜MC是涂敷作为基底材料的铜部件的表面的金属涂敷膜。在每个引线LD的外引线部分OLD处形成由焊料等等制成的金属膜MC，每个引线LD的外引线部分OLD是半导体装置PKG1的外部端子。因此，当在安装衬底上安装半导体装置PKG1时，可以提高作为导电耦接材料的焊料材料的可润湿性。相应地，引线LD与焊料材料之间的结合面积增大，并且因此可以提高安装衬底侧面上的端子与引线LD之间的结合强度。

金属膜MC是例如包括铅(Pb)的Sn-Pb焊料材料，或者由基本上不包括Pb的所谓无铅焊料制成的焊料材料。作为无铅焊料的示例，有例如锡(Sn)、锡-铋(Sn-Bi)、锡-铜-银(Sn-Cu-Ag)或者锡-铜(Sn-Cu)。在该情况下，无铅焊料意指具有0.1wt％或者更低的铅(Pb)含量的焊料，以及根据RoHS(有害物质限制)指令的标准对含量进行定义。

应当注意，图2示出了通过镀敷方法在每个引线LD的外引线部分OLD的暴露的表面上形成金属膜MC(焊料膜)的示例。然而，存在金属膜MC的各种修改的示例。例如，金属膜MC可以是主要包括镍(Ni)的金属膜和主要包括钯(Pd)的金属膜的叠层膜。替换地，例如，主要包括金(Au)的金属膜还可以叠层在主要包括钯的金属膜的表面上。此外，在使用除焊料以外的材料配置金属膜MC的情况下，可以将金属膜MC形成为覆盖引线LD的内引线部分ILD和外引线部分OLD的表面。

此外，如图2和图3所示，半导体芯片CP被密封在密封主体MR内部。如图3所示，半导体芯片CP在平面视图中具有四边形形状，以及沿着配置顶表面CPt的外边缘的四个侧面在顶表面CPt上设置多个焊盘(接合焊盘)PD。此外，半导体芯片CP(具体地，半导体衬底)例如由硅(Si)制成。尽管在附图中未示出，多个半导体元件(电路元件)形成在半导体芯片CP的主表面(具体地，在半导体芯片CP的半导体衬底的上表面上设置的半导体元件形成区域)上。另外，焊盘PD通过在布置在半导体芯片CP内部(具体地，在顶表面CPt与半导体元件形成区域(未示出)之间)的布线层中形成的布线(未示出)电气地耦接至半导体元件。

此外，覆盖半导体芯片CP的衬底和布线的绝缘膜在半导体芯片CP的顶表面CPt上形成，以及焊盘PD中的每一个的表面在绝缘膜中形成的开口中从绝缘膜露出。此外，焊盘PD由金属制成，以及在实施例中例如由铝(Al)制成。

此外，例如，围绕半导体芯片CP(换句话说，围绕管芯焊盘DP)布置引线LD。另外，从半导体芯片CP的顶表面CPt露出的焊盘(接合焊盘)PD通过导线(导电部件)BW电气地耦接至位于密封主体MR内部的引线LD的内引线部分ILD。导线BW例如由金(Au)或者铜(Cu)制成，每个导线BW的一部分(例如，一个端部部分)结合到焊盘PD，以及另一个部分(例如，另一个端部部分)结合至每个内引线部分ILD的接合区域(每个导线BW的一部分耦接的区域)WBR(参见图2)。

在实施例的示例中，金属膜(镀敷膜或者镀金属膜)BM(参见图2)形成在每个内引线部分ILD的接合区域WBR上。如图2所示，金属膜BM部分地形成在每个内引线部分ILD的一部分(最接近半导体芯片CP的尖端部分的上表面LDt)处。金属膜BM由主要例如包括银(Ag)、金或者钯的材料(例如，薄金膜形成在钯膜上的叠层结构)制成。由主要包括银、金或者钯的材料制成的金属膜BM形成在每个内引线部分ILD的接合区域WBR的表面上，以使得可以提高对于由金制成的导线BW的结合强度。

应当注意，存在形成金属膜BM的区域的各种修改的示例。例如，可以将金属膜BM形成为覆盖内引线部分ILD和外引线部分OLD的整个暴露的表面。在该情况下，由于外引线部分OLD覆盖有金属膜BM，因此没有必要形成图2所示的金属膜MC。

此外，如图2和图4所示，半导体芯片CP安装在作为芯片安装部分的管芯焊盘DP上。在图4所示的示例中，管芯焊盘DP的上表面(芯片安装表面)DPt具有四边形形状，该四边形形状的面积大于半导体芯片CP的顶表面CPt的面积。管芯焊盘DP是用于支撑半导体芯片CP的支撑部件，以及除图4所示的示例以外，存在各种修改的示例。例如，管芯焊盘DP的平面形状可以是圆形形状。此外，例如，管芯焊盘DP的上表面DPt的面积可以小于半导体芯片CP的顶表面CPt的面积。

此外，如图4所示，围绕管芯焊盘DP布置多个悬置引线HL。悬置引线HL是用于在半导体装置PKG1的制造过程中在引线框架的支撑部分(框架部分)处支撑管芯焊盘DP的部件，以及每个悬置引线HL的一个端部部分耦接至管芯焊盘DP。在图4所示的示例中，从管芯焊盘DP的一部分朝密封主体MR的相应的四个角部分MRc延伸的四个悬置引线HL耦接至管芯焊盘DP。

具体地，悬置引线HL中包括的一个端部部分连接至管芯焊盘DP的角部分(角)。此外，悬置引线HL中包括的另一个端部部分朝密封主体MR的角部分MRc延伸，以及每个端部部分在角部分MRc附近被分成两个，以在密封主体MR的侧表面MRs中从密封主体MR露出。由于允许悬置引线HL朝密封主体MR的角部分MRc延伸，因此沿着密封主体MR的每个侧面(每个主要侧面)布置的引线LD的阵列几乎不被悬置引线HL约束(inhibit)。

此外，在实施例中，管芯焊盘DP的上表面DPt与每个引线LD的内引线部分ILD的上表面高度不同。在图2所示的示例中，在低于每个内引线部分ILD的上表面LDt的位置处布置管芯焊盘DP的上表面DPt。因此，在图4所示的悬置引线HL中的每一个处设置偏移部分(实施例的示例中的弯曲部分或者下置部分)HLB，该偏移部分HLB被弯曲以使得与每个引线LD的内引线部分ILD的上表面LDt(参见图2)的高度不同地定位管芯焊盘DP的上表面DPt的高度。

此外，半导体芯片CP安装在管芯焊盘DP的中间。如图2所示，半导体芯片CP以背表面CPb面向管芯焊盘DP的上表面DPt的状态通过管芯接合材料(粘合剂)DB安装在管芯焊盘DP上。即，通过所谓面朝上安装方法将半导体芯片CP安装在管芯焊盘DP上，其中允许与其上形成有焊盘PD的顶表面(主表面)CPt相对的表面(背表面CPb)面向芯片安装表面(上表面DPt)。管芯接合材料DB是用于半导体芯片CP的管芯接合的粘合剂，以及例如使用通过在环氧热固性树脂或者金属结合材料(诸如，焊料材料)中包含由银等等制成的金属颗粒获得的树脂粘合剂。

<引线布局>

接着，将对实施例的多个引线的布局进行详细描述。图5是用于示出图3所示的悬置引线中的一个的周边同时将它们放大的放大平面视图。此外，图6是用于示出图5所示的端部部分引线的周边同时将它们进一步放大的放大平面视图。

如图4所示，半导体装置PKG1具有包括沿着密封主体MR的侧面S1布置的多个引线LD1的引线组LDg1。此外，半导体装置PKG1具有包括沿着密封主体MR的侧面S2布置的多个引线LD2的引线组LDg2。此外，半导体装置PKG1具有包括沿着密封主体MR的侧面S3布置的多个引线LD3的引线组LDg3。此外，半导体装置PKG1具有包括沿着密封主体MR的侧面S4布置的多个引线LD4的引线组LDg4。

此外，在引线组LDg1与引线组LDg2之间、在引线组LDg1与引线组LDg4之间、在引线组LDg2与引线组LDg3之间以及在引线组LDg3与引线组LDg4之间布置耦接至管芯焊盘DP的悬置引线HL(用于支撑管芯焊盘DP)中的每一个。

在此，从通过减小图5所示的每个导线BW的长度以减少传输路径的阻抗分量的角度来说，优选地通过在半导体芯片CP的焊盘PD附近布置每个引线LD的尖端部分(参见图2)以减小每个引线LD的尖端部分与半导体芯片CP的焊盘PD之间的距离。此外，如在实施例中，在具有多个端子的半导体装置的情况下，在窄区域中以窄节距布置引线LD的尖端部分(图2所示的接合区域WBR)。

例如，在图6所示的示例中，每个接合区域WBR的宽度(在与每个引线的延伸方向正交的方向上的长度)BMW为大约80μm，以及彼此相邻的接合区域WBR之间的间隔BMP为大约70μm。

另一方面，布置图1所示的外引线部分OLD的节距受到其上安装半导体装置PKG1的安装衬底(未示出)侧面上的端子限制，并且因此很难极度缩小节距。因此，增大了图2所示的每个引线LD中包括的内引线部分ILD的延伸距离。

如在实施例中，在每个引线LD的延伸距离很长的情况下，每个引线LD的一部分可能在半导体装置的制造过程中变形。除不可逆塑性变形以外，上面描述的引线LD的变形包括例如由于引线本身的重量引起的可逆(弹性)变形。具体地，设置接合区域WBR的引线LD的尖端部分可能随着内引线部分ILD的长度变得更长而变形(主要地，弹性变形)。另外，当接合区域WBR在导线接合过程中弹性地变形时，很难结合导线BW。

因此，在实施例中，如图3所示，跨越相应的引线LD来附着条带材料(图3所示的条带TP1、TP2、TP3和TP4)以抑制引线LD的变形。

条带TP1、TP2、TP3和TP4是用于使引线LD彼此连接和固定的固定部件，以及例如在基底材料(诸如树脂膜)的一个表面(接合表面)上形成粘合剂层(接合层)。另外，当使粘合剂层与每个引线LD的一个表面(例如，图2所示的示例中的上表面LDt)接触时，条带TP1、TP2、TP3和TP4附着至引线LD。

此外，如果引线LD仅彼此连接，则引线LD可能由于连接的引线LD的整个重量而变形。因此，如图4所示，条带TP1、TP2、TP3和TP4中的每一个的一部分优选地附着至每个悬置引线HL。如稍后将详细描述的，在半导体装置PKG1的制造过程的导线接合过程中，每个悬置引线HL的一个端部部分耦接至管芯焊盘DP，以及另一个端部部分连接至引线框架的框架部分。因此，如果条带TP1、TP2、TP3和TP4中的每一个的一部分附着至每个悬置引线HL，则引线LD由悬置引线HL支撑。因此，可以抑制引线LD的变形。

此外，如图5和图6所示，为了抑制接合区域WBR附近的变形，优选地在接合区域WBR附近附着条带TP1、条带TP2、条带TP3(参见图4)和条带TP4(参见图4)中的每一个。例如，在图4所示的示例中，从条带TP1、条带TP2、条带TP3和条带TP4中的每一个到每个接合区域WBR(参见图5)的导线结合部分的距离为大约1mm。即，至少比位于每个引线的尖端部分与另一个端部部分(在该情况下，与密封主体MR的每个侧面相交的部分)之间的中间部分更靠近每个引线的尖端部分来附着条带TP1、TP2、TP3和TP4中的每一个。

此外，根据条带TP1、TP2、TP3和TP4与导线连接部分之间的距离来改变导线连接部分(导线BW在图6所示的接合区域WBR中结合的部分)的保持强度。因此，从图6所示的引线LD中包括的接合区域WBR的导线连接部分到条带TP1、TP2、TP3和TP4的长度LWT优选地具有几乎相同的值。当提高了导线连接部分的保持强度时，在导线接合过程中，导线BW可以稳固地结合至接合区域WBR。因此，可以提高导线BW的结合强度。应当注意，稍后将对上面描述的“几乎相同的值”的定义进行描述。

此外，为了可靠地保持引线LD，引线LD中的每一个需要附着至条带TP1、TP2、TP3和TP4中的任何一个。在引线LD中的一些没有附着至条带TP1、TP2、TP3和TP4中的任何一个的情况下，引线LD不被保持。因此，在如在实施例中划分的条带TP1、TP2、TP3和TP4附着至引线LD的情况下，将条带TP1、TP2、TP3和TP4布置以避免彼此重叠非常重要。如果条带TP1、TP2、TP3和TP4中的一些彼此重叠，则在附着条带时有可能在附着夹具(jig)与条带之间生成间隙，以及引线LD中的一些没有牢固地附着至条带。

应当注意，在条带以框架形状形成而不划分成多件以及将条带附着为围绕引线LD的接合区域WBR(参见图5)的周边的情况下，引线LD中的一些没有附着至条带的可能性很低，以及图6所示的长度LWT的值可以几乎相同。然而，如果考虑条带制造过程中的获取效率，则优选将条带划分成多个部件而不是如上所述以框架形状形成条带。

相应地，本申请的发明人考虑到上面描述的要考虑事项，发现了实施例的条带的布局。即，如图6所示，实施例的半导体装置PKG1具有引线LD1、引线组LDg1与引线组LDg2之间的悬置引线HL1以及附着至引线LD中的至少一些的条带TP1。此外，半导体装置PKG1具有附着至引线LD2中的每一个的条带TP2。此外，在每个引线LD的上表面LDt和下表面LDb(参见图2)中，条带TP1和条带TP2附着至彼此相同的表面(图6所示的示例中的上表面LDt)。

此外，条带TP1具有在平面视图中沿着引线LD1的导线连接部分(导线BW在接合区域WBR中结合的部分)延伸以及附着至引线LD中的每一个的引线保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP11。此外，条带TP1具有附着至悬置引线HL1和引线LD2(引线LD2中的一些)的条带支撑部分(支撑部分或者部分)TP12以及TP12附着至比引线保持部分TP11更远离导线连接部分的位置。此外，条带TP1具有位于引线保持部分TP11与条带支撑部分TP12之间的连接部分(部分)TP13。此外，条带TP1没有与条带TP2重叠的部分。

换句话说，实施例的条带TP1具有绕过引线保持部分TP11的延长线和悬置引线HL1的交点以免在悬置引线HL1附近与条带TP2重叠的条带支撑部分TP12和连接部分TP13。

引线保持部分TP11附着至引线LD1，以及具有保持引线LD1的功能。实施例的引线保持部分TP11沿着引线LD1的导线连接部分的阵列方向延伸。具体地，如图5所示，条带TP1的引线保持部分TP11沿着方向DRE1一直延伸到与位于引线LD1中的阵列的端部部分处的端部部分引线LDe1相交的位置。相应地，从引线LD1中包括的接合区域WBR的导线连接部分到条带TP1的长度LWT变成几乎相同的值。

半导体装置PKG1具有在引线组LDg1中包括的引线LD1当中布置在最靠近设置在引线组LDg1与引线组LDg2之间的悬置引线HL1的位置处的端部部分引线LDe1。条带TP1的引线保持部分TP11沿着方向DRE1(引线LD1的导线连接部分的阵列方向)延伸，以及引线保持部分TP11的终止部分(引线保持部分TP11与连接部分TP13之间的边界部分)附着至端部部分引线LDe1。

如上所述，由于引线保持部分TP11沿着方向DRE1一直延伸到与端部部分引线LDe1相交的位置，因此在引线LD1中，从引线LD1中包括的接合区域WBR的导线连接部分到条带TP1的长度LWT变成几乎相同的值。

上面描述的“几乎相同的值”包括引线LD1中的所有长度LWT完全相同的状态和长度LWT中的一些值不同的状态。例如，由于处理精度(诸如接合装置的精度)的影响，很难将导线BW精确地结合至根据设计的导线连接部分的位置。因此，如图5所示，配置接合区域WBR的金属膜BM中的每一个具有沿着引线LD的延伸方向的长度LBM。以即使导线连接部分的位置被移位也将导线连接部分定位在金属膜BM上这种方式来形成每个金属膜BM的长度LBM。因此，每个金属膜BM的长度LBM可以被看作导线连接部分的位置移位的容许范围的指数(index)。在实施例中，引线LD1中的长度LWT之间的差异小于每个金属膜BM的长度LBM。在图5所示的示例中，每个金属膜的长度LBM例如为大约500μm。此外，每个引线LD1中的长度LWT例如为大约1mm。

此外，下列是用于示出从引线LD1中包括的接合区域WBR的导线连接部分到条带TP1的长度LWT具有几乎相同的值的表达的另一个方法。即，从端部部分引线LDe1中的导线结合部分到条带TP1的引线保持部分TP11的长度LWT等于从除端部部分引线LDe1以外的引线LD1中的一些中的导线连接部分到条带TP1的引线保持部分TP11的长度LWT。例如，如图5所示，除端部部分引线LDe1以外，引线LD1具有除端部部分引线LDe1以外的非端部部分引线LDc1。另外，从端部部分引线LDe1中的导线结合部分到条带TP1的引线保持部分TP11的长度LWT等于从非端部部分引线LDc1中的导线连接部分到条带TP1的引线保持部分TP11的长度LWT。

同样地，条带TP2具有在平面视图中沿着引线LD2的导线连接部分(导线BW在接合区域WBR中结合的部分)延伸以及附着至引线LD2中的每一个的引线保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP21。引线保持部分TP21沿着引线LD2的导线连接部分的阵列方向延伸。具体地，如图5所示，半导体装置PKG1具有在引线组LDg2中包括的引线LD2当中布置在最靠近设置在引线组LDg1与引线组LDg2之间的悬置引线HL1的位置处的端部部分引线LDe2。条带TP2的引线保持部分TP21沿着方向DRE2(引线LD2的导线连接部分的阵列方向)延伸，以及引线保持部分TP21的终止部分(引线保持部分TP21与条带支撑部分TP22之间的边界部分)附着至端部部分引线LDe2。相应地，从引线LD2中包括的接合区域WBR的导线连接部分到条带TP2的长度LWT变成几乎相同的值。

上面描述的“几乎相同的值”的定义与引线LD1中的长度LWT的比较中使用的“几乎相同的值”的定义相同。即，在实施例中，从引线LD2中的导线连接部分到条带TP2的长度LWT之间的差异小于每个金属膜BM的长度LBM。

此外，从端部部分引线LDe2中的导线结合部分到条带TP2的引线保持部分TP21的长度LWT等于从除端部部分引线LDe2以外的引线LD2中的一些中的导线连接部分到条带TP2的引线保持部分TP21的长度LWT。例如，如图5所示，除端部部分引线LDe2以外，引线LD2具有除端部部分引线LDe2以外的非端部部分引线LDc2。另外，从端部部分引线LDe2中的导线结合部分到条带TP2的引线保持部分TP21的长度LWT等于从非端部部分引线LDc2中的导线连接部分到条带TP2的引线保持部分TP21的长度LWT。

此外，条带支撑部分TP12具有保持附着至引线LD1的条带TP1的引线保持部分TP11的功能。因此，条带支撑部分TP12需要至少被附着至悬置引线HL1。

此外，可以通过将条带TP1的一部分附着至引线LD2以支撑引线组LDg2的引线LD2。在实施例中，如图6所示，附着至引线LD2的条带TP2的一部分附着至悬置引线HL1。然而，可以通过将条带TP1的一部分附着至引线LD2来提高引线LD2的支撑强度。此外，作为图6的修改的示例，条带TP2可以不附着至悬置引线HL1。在该情况下，可以通过条带TP1的条带支撑部分TP12由悬置引线HL1来支撑引线LD2和条带TP2。

在图5和图6所示的示例中，条带支撑部分TP12附着至包括引线LD2当中布置在引线组LDg2的阵列的端部部分处(与悬置引线HL1相邻)的端部部分引线LDe2的引线LD2。

此外，从提高条带支撑部分TP12的支撑强度的角度来说，存在通过增大悬置引线HL1的宽度以增大条带支撑部分TP12与悬置引线HL1之间的接合面积的方法。然而，如果悬置引线HL1的宽度增大，则可以布置的引线LD的数量减少。相应地，在实施例中，条带支撑部分TP12在宽度方向上跨越悬置引线HL1来附着至引线LD2。在该情况下，由于条带支撑部分TP12不仅附着至引线LD1而且附着至引线LD2，因此即使悬置引线HL1与条带支撑部分TP12之间的接合界面被分开，也可以支撑条带TP1。

应当注意，从提高条带TP1本身的支撑强度的角度来说，仅需要至少将条带TP1的一部分(例如，引线保持部分TP11和连接部分TP13)附着至引线LD1。因此，作为图5和图6的修改的示例，条带支撑部分TP12可以不附着至端部部分引线LDe1。然而，从防止由于集中在条带支撑部分TP12与连接部分TP13之间的边界部分上的应力引起的断裂的角度来说，连接部分TP13与条带支撑部分TP12之间的边界优选地附着至引线LD1中的一些(例如，如图5和图6所示的端部部分引线LDe1)。

此外，作为增大条带支撑部分TP12与悬置引线HL1之间的接合面积的方法，下列结构是优选的。即，在图5所示的示例中，条带TP1的条带支撑部分TP12的宽度(在与X方向(延伸方向)正交的Y方向上的长度)与引线保持部分TP11的宽度(在与引线保持部分TP11延伸的方向DRE1正交的方向上的长度)相同，或者大于引线保持部分TP11的宽度。根据实施例，由于条带支撑部分TP12布置在没有与条带TP2重叠的部分的位置处，因此可以增大条带支撑部分TP12的宽度。另外，可以通过增大条带支撑部分TP12的宽度以增大条带支撑部分TP12与悬置引线HL1之间的接合面积。

此外，在图6所示的示例中，条带TP1的条带支撑部分TP12和悬置引线HL1以除90度以外的角度彼此相交。相应地，与条带支撑部分TP12的延伸方向与悬置引线HL1的延伸方向正交的情况相比，可以增大条带支撑部分TP12与悬置引线HL1之间的接合面积。

此外，如图5所示，在实施例中，从引线LD1中包括的接合区域WBR的导线连接部分到条带TP1的长度LWT与从引线LD2中包括的接合区域WBR的导线连接部分到条带TP2的长度LWT几乎相同。

在实施例中，引线LD1与引线LD2中的长度LWT之间的差异小于每个金属膜BM的长度LBM。例如，从端部部分引线LDe1中的导线结合部分到条带TP1的引线保持部分TP11的长度LWT与从端部部分引线LDe2中的导线结合部分到条带TP2的引线保持部分TP21的长度LWT之间的差异小于每个金属膜BM的长度LBM。

此外，从引线LD1当中的端部部分引线LDe1中的导线结合部分到条带TP1的引线保持部分TP11的长度LWT等于从引线LD2当中的非端部部分引线LDc2中的导线连接部分到条带TP2的引线保持部分TP21的长度LWT。

此外，从引线LD2当中的端部部分引线LDe2中的导线结合部分到条带TP2的引线保持部分TP21的长度LWT等于从引线LD1当中的非端部部分引线LDc1中的导线连接部分到条带TP1的引线保持部分TP11的长度LWT。

如上所述，如果引线组LDg1和引线组LDg2中的长度LWT具有几乎相同的值，则由条带TP1进行的接合区域WBR的保持强度可以基本上等于由条带TP2进行的接合区域WBR的保持强度。

顺便说下，在引线组LDg1和引线组LDg2中的长度LWT具有几乎相同的值的情况下，当引线保持部分TP11和引线保持部分TP21的延伸距离太长时，生成重叠部分。例如，在图5所示的示例中，在平面视图中，条带TP1的引线保持部分TP11的延长线与条带TP2的引线保持部分TP21的延长线在与悬置引线HL1重叠的位置处相交。此外，在平面视图中，条带TP2的条带支撑部分TP22布置在条带TP1的引线保持部分TP11的延长线上。此外，在平面视图中，条带TP1的连接部分TP13布置在条带TP2的引线保持部分TP21的延长线上。

如上所述，在条带TP1和条带TP2彼此部分地重叠的情况下，有可能在用于附着条带TP1和条带TP2的夹具与条带之间生成间隙，以及引线LD中的一些没有牢固地附着至条带。相应地，在实施例中，在条带TP1中设置弯曲部分以防止条带TP1和条带TP2彼此重叠。

具体地，条带TP1的条带支撑部分TP12附着至比引线保持部分TP11更远离导线连接部分的位置。在图6所示的示例中，从条带支撑部分TP12到配置接合区域WBR的金属膜BM的距离大于从引线保持部分TP11到金属膜BM的距离。此外，从条带支撑部分TP12到管芯焊盘DP的距离大于从引线保持部分TP11到管芯焊盘DP的距离。

另一方面，从条带TP2的引线保持部分TP21到引线LD2中包括的导线连接部分的距离几乎等于从条带TP1的引线保持部分TP11到引线LD1中包括的导线连接部分的距离。此外，从条带TP2的引线保持部分TP21到引线LD2中包括的配置接合区域WBR的金属膜BM的距离几乎等于从条带TP1的引线保持部分TP11到引线LD1中包括的金属膜BM的距离。此外，从条带TP2的引线保持部分TP21到管芯焊盘DP的距离几乎等于从条带TP1的引线保持部分TP11到管芯焊盘DP的距离。

因此，即使条带支撑部分TP12附着至引线LD2，也在彼此不重叠的同时布置条带TP1和条带TP2。因此，根据实施例，引线LD1中的每一个可靠地附着至条带TP1，以及引线LD2中的每一个可靠地附着至条带TP2。

此外，连接部分TP13具有将引线保持部分TP11连接至条带支撑部分TP12以将条带支撑部分TP12的支撑力传递至引线保持部分TP11的功能。应当注意，在图6所示的示例中，连接部分TP13延伸为使引线保持部分TP11和条带支撑部分TP12彼此线性地连接。在该情况下，连接部分TP13的距离被缩短，并且因此连接部分TP13几乎不断裂。然而，为了将条带支撑部分TP12的支撑力传递至引线保持部分TP11，仅需要将引线保持部分TP11和条带支撑部分TP12彼此连接。因此，作为实施例的比较示例，引线保持部分TP11和条带支撑部分TP12可以通过包括连接部分TP13的多个部分彼此连接。

此外，从通过缩小悬置引线HL1与引线LD1之间的间隙以增大端子数量的角度来说，下列配置是优选的。即，在图6所示的示例中，条带TP1的连接部分TP13附着至端部部分引线LDe1。换句话说，引线保持部分TP11没有一直延伸到悬置引线HL1的位置，而是在与端部部分引线LDe1重叠的位置处耦接至连接部分TP13。如上所述，由于引线保持部分TP11在与端部部分引线LDe1重叠的位置处终止，因此可以缩短悬置引线HL1与引线LD1(具体地，端部部分引线LDe1)之间的距离。相应地，由于可以提高引线LD的布置密度，因此可以增大半导体装置PKG1中包括的外部端子的数量。

此外，如图4所示，条带TP1和条带TP2彼此分开。换句话说，以条带TP1和条带TP2彼此间隔开的状态布置条带TP1和条带TP2。应当注意，如上所述，如果条带TP1和条带TP2没有彼此重叠，则引线LD中的一些有可能不牢固地附着至条带。然而，例如，如果即使使条带TP1的端部部分与条带TP2的端部部分接触，条带TP1与条带TP2之间也没有重叠部分，则引线LD中的每一个可以牢固地附着至条带TP1和TP2。然而，在使条带TP1的端部部分与条带TP2的端部部分接触的情况下，存在条带TP1与条带TP2彼此重叠的担心。因此，如在实施例中的，条带TP1和条带TP2优选地彼此分开。

此外，在实施例中，条带TP1和条带TP2在形状上彼此不同。即，如图5所示，条带TP2具有在平面视图中沿着引线LD2的导线连接部分(导线BW在接合区域WBR中结合的部分)延伸以及附着至引线LD中的每一个的引线保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP21。此外，条带TP2具有附着至布置在引线组LDg1与引线组LDg2之间的悬置引线HL1的条带支撑部分TP22，以及条带支撑部分TP22沿着条带TP1的连接部分TP13的延伸方向延伸。

如上所述，可以通过将条带TP2的一部分附着至悬置引线HL1以提高条带TP2的支撑强度。此外，由于条带支撑部分TP22沿着条带TP1的连接部分TP13延伸，因此可以防止条带TP1与条带TP2彼此重叠。

此外，如图5所示，条带TP2的引线保持部分TP21在与端部部分引线LDe2重叠的位置处耦接至条带支撑部分TP22。换句话说，条带TP2在与端部部分引线LDe2重叠的位置处具有弯曲部分。另外，不使条带TP2与引线LD1接触。如上所述，如果不使条带TP2与引线LD1彼此接触，则可以防止条带TP1和条带TP2彼此重叠。

此外，如图4所示，实施例的半导体装置PKG1中包括的条带TP1具有关于中心线对称的结构，该中心线是将密封主体MR的侧面S1的中心连接至侧面S3的中心的线(虚拟线(未示出))。图7是用于示出图5所示的条带的相对侧上的端部部分的周边同时将它们放大的放大平面视图。

如图7所示，条带TP1的一部分附着至引线组LDg4与引线组LDg1之间布置的悬置引线HL2以及条带支撑部分TP12(参见图5)的相对侧上的端部部分处的引线LD4中的一些。

具体地，条带TP1具有在平面视图中沿着引线LD1的导线连接部分(导线BW在接合区域WBR中结合的部分)延伸以及附着至引线LD1中的每一个的引线保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP14。此外，条带TP1具有附着至悬置引线HL2和引线LD4(引线LD4中的一些)的条带支撑部分(支撑部分或者部分)TP15，以及条带支撑部分TP15附着至比引线保持部分TP14更远离导线连接部分的位置。此外，条带TP1具有位于引线保持部分TP14与条带支撑部分TP15之间的连接部分(部分)TP16。

具体地，如图7所示，半导体装置PKG1具有在引线组LDg1中包括的引线LD1当中布置在最靠近设置在引线组LDg1与引线组LDg4之间的悬置引线HL2的位置处的端部部分引线LDe3。条带TP1的引线保持部分TP14沿着方向DRE3(引线LD1的导线连接部分的阵列方向)延伸，以及引线保持部分TP14的终止部分(引线保持部分TP14与连接部分TP16之间的边界部分)附着至端部部分引线LDe3。相应地，从引线LD1中包括的接合区域WBR的导线连接部分到条带TP1的长度LWT变成几乎相同的值。

此外，半导体装置PKG1具有附着至引线LD4中的每一个的条带TP4。在平面视图中，条带TP4具有沿着引线LD4的导线连接部分延伸的引线保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP41以及条带TP4附着至引线LD4中的每一个。引线保持部分TP41沿着引线LD4的导线连接部分的阵列方向延伸。

具体地，如图7所示，半导体装置PKG1具有在引线组LDg4中包括的引线LD4当中布置在最靠近设置在引线组LDg1与引线组LDg4之间的悬置引线HL2的位置处的端部部分引线LDe4。条带TP4的引线保持部分TP41沿着方向DRE4(引线LD4的导线连接部分的阵列方向)延伸，以及引线保持部分TP41的终止部分(引线保持部分TP41与条带支撑部分TP42之间的边界部分)附着至端部部分引线LDe4。相应地，从引线LD4中包括的接合区域WBR的导线连接部分到条带TP4的长度LWT变成几乎相同的值。

此外，条带TP1与条带TP4彼此不重叠。此外，条带TP1和条带TP4附着至每个引线LD的上表面LDt和下表面LDb(参见图2)中的相同表面(图7所示的示例中的上表面LDt)。

应当注意，在实施例中，作为图5所示的引线LD1的导线连接部分的阵列方向的方向DRE1和作为图7所示的引线LD1的导线连接部分的阵列方向的方向DRE3不与图4所示的侧面S4平行。换句话说，图5所示的方向DRE1和图7所示的方向DRE3相对于图4所示的侧面S4倾斜地延伸。此外，图5所示的方向DRE1和图7所示的方向DRE3彼此不平行。这是由于使半导体芯片CP的焊盘PD与引线LD1彼此耦接的导线BW的长度相等。

因此，上面已经在将条带TP1的配置部分在导线连接部分的每个阵列方向上划分的同时，对图5所示的引线保持部分TP11和图7所示的引线保持部分TP14进行了描述。然而，引线保持部分TP11和引线保持部分TP14彼此耦接，以及具有相同的功能(通过附着至引线LD1以保持引线LD1的功能)。因此，引线保持部分TP11和引线保持部分TP14可以被看作一个配置部分。

此外，如上所述，条带TP1具有关于中心线对称的结构，该中心线是将密封主体MR的侧面S1的中心连接至侧面S3的中心的线(虚拟线(未示出))。此外，条带TP4具有关于中心线对称的结构，该中心线是将密封主体MR的侧面S2的中心连接至侧面S4的中心的线(虚拟线(未示出))。因此，在使用图5和图6的描述中，可以以引线保持部分TP14、条带支撑部分TP15、连接部分TP16、端部部分引线LDe3和非端部部分引线LDc3分别地代替引线保持部分TP11、条带支撑部分TP12、连接部分TP13、端部部分引线LDe1和非端部部分引线LDc1。此外，在使用图5和图6的描述中，可以以条带TP4、引线保持部分TP41、条带支撑部分TP42、端部部分引线LDe4和非端部部分引线LDc4分别地代替条带TP2、引线保持部分TP21、条带支撑部分TP22、端部部分引线LDe2和非端部部分引线LDc2。同样地，在使用图5和图6的描述中，可以以悬置引线HL2代替悬置引线HL1。

此外，尽管将省略重复解释，但是图4所示的条带TP2和条带TP4中的每一个具有关于中心线对称的结构，该中心线是将密封主体MR的侧面S2的中心连接至侧面S4的中心的线(虚拟线(未示出))。此外，图4所示的条带TP3和条带TP1中的每一个具有关于中心线对称的结构，该中心线是将密封主体MR的侧面S1的中心连接至侧面S3的中心的线(虚拟线(未示出))。因此，在使用图5和图6的描述中，可以以图4所示的条带TP3代替条带TP1。

<半导体装置的制造方法>

接着，将使用图8所示的流程图对使用图1至图7描述的半导体装置PKG1的制造方法进行描述。图8是用于示出使用图1至图7描述的半导体装置的组装过程的流程的解释性视图。

此外，尽管图8示出了半导体装置PKG1的制造过程当中的主要过程，但是除图8所示的组装流程以外，可以应用各种修改的示例。例如，尽管在图8中没有图示在密封主体MR中形成产品标识标记的标记过程，但是可以在密封过程与镀敷过程之间添加标记过程。此外，例如，尽管在图8中没有图示检查过程，但是可以在例如分割过程之后添加检查过程。

<基底材料制备过程>

在图8所示的基底材料制备过程中，制备了图9所示的引线框架LF。图9是用于示出图8所示的基底材料制备过程中制备的引线框架的放大平面视图。此外，图10是用于示出在沿着图9的线A-A的截面中条带附着至引线的状态的放大截面视图。此外，图11是用于示出在沿着图9的线B-B的截面中条带附着至引线的状态的放大截面视图。

应当注意，引线框架LF是包括多个装置形成部分LFd的基底材料。然而，为了容易地查看附图，图9示出了装置形成部分LFd中的一个同时将它放大。此外，为了容易地查看附图，图9没有图示图3所示的引线LD中的一些。在下文中，这同样适用于用于解释半导体装置PKG1的制造方法的放大平面视图。

过程中制备的引线框架LF包括框架部分LFf内部的装置形成部分LFd。引线框架LF由金属制成，以及在实施例中，由主要包括例如铜(Cu)的金属制成。

应当注意，在实施例中将对如图8所示在密封过程之后执行镀敷过程以及在外引线部分OLD处形成图2所示的金属膜MC的示例进行描述。然而，作为修改的示例，在基底材料制备过程的阶段中，可以提前用金属膜MC覆盖主要包括铜的基底材料的表面。在该情况下，用金属膜MC覆盖引线框架LF的整个暴露的表面。

此外，如图9所示，在每个装置形成部分LFd的中间形成管芯焊盘DP(芯片安装部分)。悬置引线HL连接至管芯焊盘DP，以及被布置以使得朝装置形成部分LFd的角部分延伸。即，管芯焊盘DP由悬置引线HL支撑，以及通过悬置引线HL由引线框架LF的框架部分LFf支撑。

此外，围绕管芯焊盘DP在悬置引线HL之间形成引线LD。相应的引线LD连接至框架部分LFf。在图9所示的示例中，引线LD包括沿着X方向布置的引线LD1以及沿着与X方向相交(正交)的Y方向布置的引线LD2。此外，引线LD包括沿着X方向在引线LD1的相对侧上布置的引线LD3以及沿着Y方向在引线LD2的相对侧上布置的引线LD4。

此外，引线LD通过系杆(tie bar)TB彼此连接。除作为用于连接引线LD的连接部件的功能以外，系杆TB还具有作为用于抑制图8所示的密封过程中的树脂泄漏的挡隔部件的功能。系杆TB耦接至引线LD和引线框架LF的框架部分LFf。此外，每个引线LD的一个端部部分耦接至引线框架LF的框架部分LFf。因此，在图8所示的引线切割过程之前，由引线框架LF的框架部分LFf支撑各个引线LD。

然而，如上所述，在实施例中，引线LD的内引线部分ILD(参见图2)的延伸距离很长。因此，为了防止每个引线LD的另一个端部部分(没有耦接至框架部分LFf的端部部分)的变形，附着上面描述的条带TP1、TP2、TP3和TP4。

相应地，例如，如下地执行将条带TP1、TP2、TP3和TP4附着至引线框架LF处形成的引线LD的过程。即，如图10和图11所示，在引线LD布置在平台(附着平台)ATS上的状态中，条带TP1和条带TP2布置在每个引线LD的一个表面(图10和图11所示的示例中的上表面LDt侧)上。另外，条带TP1和TP2压靠引线LD，同时从条带TP1和条带TP2的上表面侧按压夹具(附着夹具)ATJ。相应地，条带TP1和条带TP2附着至引线LD。在该情况下，在条带TP1与条带TP2彼此重叠的情况下，由重叠部分的厚度限定平台ATS与夹具ATJ之间分开的距离。因此，在条带TP1没有与条带TP2重叠的部分的部分处，在夹具ATJ或者平台ATS与条带TP1和TP2之间生成间隙。因此，存在从夹具ATJ施加的按压力没有被传递到条带TP1和TP2的一部分以及条带TP1和条带TP2两者没有接合到引线LD中的一些的担心。

然而，如图9到图11所示，根据实施例，条带TP1、TP2、TP3(参见图9)和TP4(参见图9)彼此不重叠。因此，相应的引线LD可靠地接合至至少条带TP1、TP2、TP3和TP4中的任何一个。

应当注意，尽管图10和图11中的每一个示出了一次附着条带TP1和条带TP2的示例，但是可以按顺序附着条带TP1和条带TP2。即使在该情况下，由于条带TP1与条带TP2彼此不重叠，因此相应的引线LD1附着至条带TP1，以及相应的引线LD2附着至条带TP2。此外，图9所示的条带TP3和条带TP4的附着方法是相同的。

<管芯接合过程>

接着，在图8所示的管芯接合过程(半导体芯片安装过程)中，如图12所示，半导体芯片CP安装在管芯焊盘DP上。图12是用于示出半导体芯片安装在图9所示的引线框架的管芯焊盘上的状态的放大平面视图。

如使用图2描述的，半导体芯片CP具有其上形成有焊盘PD的顶表面CPt和与顶表面CPt相对的背表面CPb。在该过程中，半导体芯片CP和管芯焊盘DP通过管芯接合材料DB(参见图2)彼此接合和固定，该管芯接合材料DB是由例如热固性树脂(诸如环氧树脂)制成的粘合剂。在图12所示的示例中，在平面视图中，半导体芯片CP被安装为使得管芯焊盘DP的上表面DPt的一部分覆盖有半导体芯片CP。

此外，如使用图2描述的，在实施例的示例中，通过所谓面朝上的安装方法将半导体芯片CP安装在管芯焊盘DP上以使得背表面CPb面向上表面DPt(管芯焊盘DP的芯片安装表面)。

<导线接合过程>

接着，在图8所示的导线接合过程中，如图13所示，在半导体芯片CP的顶表面CPt上形成的焊盘PD通过导线(导电部件)BW电气地耦接至围绕半导体芯片CP布置的引线LD。图13是用于示出图12所示的半导体芯片和引线通过导线彼此电气地耦接的状态的放大平面视图。此外，图14是用于示出图13所示的半导体芯片的焊盘和引线通过导线彼此电气地耦接的状态的放大截面视图。

在过程中，如例如图14中所示，制备形成有凹陷部分10c的热平台10，以及在热平台10上布置其上安装有半导体芯片CP的引线框架LF，使得管芯焊盘DP位于凹陷部分10c中。另外，半导体芯片CP的焊盘PD和引线LD通过导线BW彼此电气地耦接。在该情况下，通过所谓的钉头式接合(nail head bonding)方法结合导线BW，其中在实施例中，通过毛细管11供应导线BW以及使用超声波和热压缩两者。此外，通过所谓的普通接合方法结合导线BW，其中在实施例中，每个导线BW的一个端部部分耦接至半导体芯片CP的焊盘PD，以及随后每个导线BW的另一个端部部分耦接至引线LD的接合区域WBR。在图14所示的示例中，每个导线BW的另一个端部部分结合至在每个引线LD的上表面LDt上形成的金属膜BM。导线BW结合的部分与上面描述的导线连接部分相对应。

此外，在过程中通过热平台10对引线LD进行加热。因此，附着至引线LD的条带TP1、TP2、TP3和TP4优选地抑制热平台10和引线LD的牢固附着受约束。相应地，在每个引线LD的上表面LDt和下表面LDb中，条带TP1、TP2、TP3和TP4优选地附着至导线BW结合的表面。在实施例的情况下，导线BW结合在引线LD的上表面LDt侧上。因此，条带TP1、TP2、TP3和TP4中的每一个附着至每个引线LD的上表面LDt。相应地，热平台10和引线LD可以彼此牢固地附着。

此外，根据实施例，相应的引线LD由条带TP1、TP2、TP3和TP4保持。因此，在导线接合过程中可以抑制引线LD中的一些的变形。因此，导线BW可以可靠地结合至引线LD的相应的接合区域WBR。

<密封过程>

接着，在图8所示的密封过程中，用树脂密封图13所示的半导体芯片CP、导线BW和引线LD的内引线部分ILD以形成图15所示的密封主体MR。图15是用于示出在图13所示的装置形成部分中的每一个中形成用于密封半导体芯片的密封主体的状态的放大平面视图。

在过程中，例如，在具有多个空腔(未示出)的成型模具中布置引线框架LF的状态中，将树脂供应到由空腔形成的空间中，以及随后使树脂硬化以形成密封主体(密封部分)MR。这种形成密封主体MR的方法被称为转移成型方法。

在图15所示的示例中，在平面视图中，成型模具的空腔布置在由装置形成部分LFd的系杆TB围绕的区域中。因此，如图15所示，在由装置形成部分LFd的系杆TB围绕的区域中形成密封主体MR的主体部分。此外，由系杆TB挡隔从空腔泄露的树脂的一部分。因此，引线LD中包括的相应的外引线部分OLD从密封主体MR的侧表面MRs露出。

在引线LD当中，沿着Y方向延伸的引线LD1的外引线部分OLD在密封主体MR的侧面S1中从密封主体MR的侧表面MRs伸出。此外，在引线LD当中，沿着X方向延伸的引线LD2的外引线部分OLD在密封主体MR的侧面S2中从密封主体MR的侧表面MRs伸出。此外，在引线LD当中，沿着Y方向延伸的引线LD3的外引线部分OLD在密封主体MR的侧面S3中从密封主体MR的侧表面MRs伸出。此外，在引线LD当中，沿着X方向延伸的引线LD4的外引线部分OLD在密封主体MR的侧面S4中从密封主体MR的侧表面MRs伸出。

<镀敷过程>

接着，在图8所示的镀敷过程中，通过镀敷方法在图15所示的引线LD的暴露的表面上形成金属膜MC(参见图2)。过程中形成的金属膜MC形成为提高当半导体装置PKG1安装在安装衬底(未示出)上时用作结合材料的焊料材料的可润湿性。

在过程中，优选地在引线LD的暴露的表面上形成由焊料制成的金属膜MC。此外，作为形成金属膜MC的方法，可以应用在引线LD的暴露的表面上沉积电离金属离子的电镀方法。由于在形成金属膜MC时可以通过控制电流容易地控制金属膜MC的膜质量，因此电镀方法是优选的。此外，由于可以在短时间内形成金属膜MC，因此电解镀敷方法是优选的。

<引线切割过程>

接着，在图8所示的引线切割过程中，如图16所示来切割引线LD的相应的外引线部分OLD，以及使引线LD从引线框架LF分开。此外，在实施例中，在切割引线LD之后，执行如图2所示的弯曲工作以成型引线LD。图16是用于示出在图15所示的引线的暴露的表面上形成金属膜以及将金属膜切割随后进行成型的状态的放大平面视图。

在过程中，切割连接引线LD的系杆TB(参见图15)。此外，使相应的引线LD从框架部分LFf分开。因此，引线LD变成彼此分开的独立部件。此外，在使引线LD分开之后，通过悬置引线HL(参见图9)由框架部分LFf支撑密封主体MR和引线LD。

应当注意，在实施例的描述中，在镀敷过程之后切割系杆TB。然而，可以在仅切割系杆TB之后首先执行镀敷过程，以及进一步地，可以使相应的引线LD从框架部分LFf分开。相应地，也可以在系杆TB的切割表面上形成金属膜MC，以及可以抑制系杆TB的切割表面由于氧化而褪色。此外，由于在引线LD从框架部分LFf分开之前执行镀敷过程，因此可以抑制由于镀敷液体引起的引线LD的变形。

通过使用要在稍后描述的用于切割的模具的压力工作来切割引线LD和系杆TB。此外，可以通过使用用于成型的模具(未示出)的压力工作使引线LD的外引线部分OLD弯曲以如例如图2所示来成型切割的引线LD。

稍后将对引线切割过程的细节进行描述。

<分割过程>

接着，在图8所示的分割过程中，如图17所示，相应的悬置引线HL被切割，以及半导体封装在装置形成部分LFd中的每一个中分开。图17是用于示出图16所示的悬置引线被切割以获得半导体封装的状态的放大平面视图。

在过程中，图9所示的悬置引线HL和留在密封主体MR的角部分处的树脂被切割以获得作为半导体封装的半导体装置PKG1(具体地，检查过程之前的检查目标)。作为切割方法，例如，如与引线成型过程相似的，可以通过使用切割模具(未示出)的压力工作来切割悬置引线HL和树脂。

在该过程之后，进行必要的检查和测试(诸如，外观检查和电气测试)，以及已经通过测试的产品是图1至图7所示的半导体装置PKG1。

已经在上面基于实施例详细地描述了由发明人实现的本发明。然而，显而易见的是，本发明并不限于上面描述的实施例，而可以在不背离本发明的范围的情况下进行各种改变。

<修改的示例1>

例如，在实施例的描述中，通过以相同的形状形成条带TP1和条带TP3以及通过以相同的形状形成条带TP2和条带TP4来附着两种类型的条带。然而，如图18所示半导体装置PKG2，可以以相同的形状形成条带TP1、TP2、TP3和TP4。图18是用于示出作为图4的修改的示例的半导体装置的内部结构的透视平面视图。此外，图19是图18所示的半导体装置的放大平面视图，以及示出了图7所示的半导体装置的修改的示例。

图18和图19中的每一个所示的半导体装置PKG2与图1至图7中的每一个所示的半导体装置PKG1不同在于以相同的形状形成条带TP1、TP2、TP3和TP4。

具体地，如图19所示，条带支撑部分TP15直接耦接至条带TP1的引线保持部分TP14，以及没有在引线保持部分TP14与条带支撑部分TP15之间设置连接部分TP16(参见图7)。另一方面，条带TP4具有与图5所示的条带TP1相同的结构。即，条带TP4具有在平面视图中沿着引线LD4的导线连接部分(导线BW在接合区域WBR中结合的部分)延伸以及附着至引线LD4中的每一个的引线保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP41。此外，条带TP4具有附着至悬置引线HL2和引线LD1(引线LD1中的一些)的条带支撑部分(支撑部分或者部分)TP42，条带支撑部分TP42附着至比引线保持部分TP41更远离导线连接部分的位置。此外，条带TP4具有位于引线保持部分TP41与条带支撑部分TP42之间的连接部分(部分)TP43。此外，条带TP1没有与条带TP4重叠的部分。

应当注意，半导体装置PKG2中包括的条带TP1中与图19所示的放大平面相对的端部部分的结构与图5所示的半导体装置PKG1中包括的条带TP1的端部部分的结构相同，并且因此将省略重复解释。此外，如图18所示，半导体装置PKG2中包括的条带TP2、TP3和TP4中的每一个的结构与条带TP1的结构相同，并且因此将省略其解释。

根据修改的示例，由于以相同的形状形成条带TP1、TP2、TP3和TP4，因此与如在图4所示的半导体装置PKG1中制备两种类型的条带的情况相比，可以高效地制造条带。

应当注意，除上面描述的不同点以外，半导体装置PKG2与实施例中描述的半导体装置PKG1相同。因此，可以在条带TP1、TP2、TP3和TP4的相同形状的特性不被恶化的范围中应用实施例中描述的修改的示例。

<修改的示例2>

此外，在实施例的描述和修改的示例中，附着四个条带。然而，如在图20所示的半导体装置PKG3和图21所示的半导体装置PKG4中，可以附着诸如条带TP1和条带TP2的两个条带。图20是用于示出作为图4的另一个修改的示例的半导体装置的内部结构的透视平面视图。此外，图21是用于示出作为图20的修改的示例的半导体装置的内部结构的透视平面视图。此外，图22是图20或者图21所示半导体装置的放大平面视图，以及示出了图7所示的半导体装置的另一个修改的示例。

图20所示的半导体装置PKG3和图21所示的半导体装置PKG4与图1至图7中的每一个所示的半导体装置PKG1的不同在于：条带TP1和条带TP2中的每一个保持跨越悬置引线HL设置的引线组中包括的引线LD。

具体地，如图22所示，半导体装置PKG3和PKG4中的每一个中包括的条带TP1与图7所示的半导体装置PKG1的不同在于：除保持相应的引线LD1的引线保持部分TP11(参见图5)和引线保持部分TP14以外，条带TP1还具有保持相应的引线LD4的引线保持部分TP17。修改的示例的条带TP1具有沿着引线LD4的导线连接部分(导线BW在接合区域WBR中结合的部分)延伸的引线保持部分(主要部分、保持部分或者部分)TP17以及该条带TP1附着至引线LD4中的每一个。此外，条带TP1具有附着至悬置引线HL2的条带支撑部分TP15，以及条带支撑部分TP15跨越引线保持部分TP17和引线保持部分TP14设置。

在修改的示例的情况下，条带TP1和条带TP2中的每一个是独立部件，以及不以环形形状形成。因此，可以在条带制造过程中抑制条带获取效率的降低。此外，在引线保持部分TP14和引线保持部分TP17通过条带支撑部分TP15彼此连接的情况下，不存在引线保持部分TP14与引线保持部分TP17重叠的担心。因此，引线LD1中的每一个和引线LD4中的每一个可以可靠地附着至条带TP1。

应当注意，除端部部分的形状以外，图20和图21中的每一个所示的条带TP2与条带TP1相同。此外，条带TP1和条带TP2的端部部分的形状与使用图5描述的条带TP1的端部部分的形状或者条带TP2的端部部分的形状相同。因此，将省略重复解释。此外，图21所示的半导体装置PKG4与图20所示的半导体装置PKG3的不同在于附着了相同形状的条带TP1和条带TP2。相应地，如修改的示例1中描述的一样，与制备两种类型的条带的情况相比，可以高效地制造条带。

应当注意，除上面描述的不同点以外，半导体装置PKG3和半导体装置PKG4与实施例中描述的半导体装置PKG1相同。因此，可以在通过附着条带TP1和条带TP2以保持引线LD1、LD2、LD3和LD4的特性不被恶化的范围中应用实施例中描述的修改的示例。

<修改的示例3>

此外，例如，尽管上面已经描述了各种修改的示例，但是可以应用上面描述的修改的示例的组合。

除上述以外，将在下面对实施例中描述的内容的一部分进行描述。

[附加陈述1]

一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

(a)制备引线框架，所述引线框架具有包括沿着第一方向布置的多个第一引线的第一引线组，包括沿着与第一方向相交的第二方向布置的多个第二引线的第二引线组，布置在第一引线组与第二引线组之间的第一悬置引线，与第一悬置引线连接的管芯焊盘，附着至第一引线中的每一个、第一悬置引线和第二引线中的一些的第一条带以及附着至第二引线中的每一个的第二条带；

(b)在管芯焊盘上安装具有多个焊盘的半导体芯片；以及

(c)通过多个导线使半导体芯片的焊盘电气地耦接至引线框架的第一引线和第二引线，

其中第一引线、第二引线和第一悬置引线中的每一个具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，

其中第一条带和第二条带中的每一个附着至第一表面，

其中，在平面视图中，第一条带具有：沿着相应的第一引线的导线连接部分延伸以及附着至第一引线中的每一个的第一部分、附着至第一悬置引线和第二引线中的一些以及附着至比第一部分更远离导线连接部分的位置的第二部分，以及位于第一部分与第二部分之间的第三部分，以及

其中第一条带没有与第二条带重叠的部分。