TSOP封装引线框防分层结构的制作方法

本发明公开TSOP封装引线框防分层结构。

背景技术：

TSOP封装形式是目前IC封装中应用非常广泛的一种封装形式，所用引线框架为铜，铜片经过冲压或者蚀刻构成IC封装所需要的引线框架结构，供IC信号的导入导出，引线框架由于是将整片的铜片冲切成镂空形式，整体抗应力能力变差，易变形，会在框架上贴上胶带保持其结构稳定，由于成本原因通常会将这层胶带做成分开的条状，除了固定引线框外还供置放晶圆IC，封装时将晶圆IC贴在框架固定胶带上；引线框架与晶圆IC之间由于框架固定胶带的间隔会造成晶圆IC下面部分悬空，由于焊线工艺对作业材料固定精度要求很高，则晶圆IC下面框架部分应尽可能多的被焊线机的真空吸板吸牢以减少作业时晶圆IC上下跳动，这样会要求引线框架尽可能保留大面积未冲切区域供吸板吸附，而大面积的铜片面积又容易造成注塑时其和树脂之间独立面积过大，因不同材质的收缩率不同产生较大的收缩力差，易分层造成产品可靠性问题。

技术实现要素：

本发明为了解决现有技术的问题，提供了在引线框上设计真空吸盘结构，在保证吸盘面积的情况下，剩余大面积铜区域增加冲切面积，减小大面积铜片存在的TSOP封装引线框防分层结构。

本发明的具体方案为：TSOP封装引线框防分层结构，包括晶圆，胶带，引线框和悬空区，所述引线框上设有大面积铜区域，所述晶圆IC位置下的引线框上覆盖胶带，所述悬空区设在胶带之间，所述引线框设在胶带底面，所述引线框上设有的大面积铜区域上设有方形铜片，所述大面积铜区域的剩余大面积铜区域设有镂空，其通过树脂注塑到镂空部内，树脂穿过引线框与晶圆形成结合。

以下为本发明的附属技术方案：

优选的，所述方形铜片的面积大小为0.8×0.8mm。

优选的，所述引线框上供设置方形铜片的位置设有多个。

本发明的有益技术效果：本发明的TSOP封装引线框防分层结构，在引线框上设计真空吸盘结构，在保证吸盘面积的情况下，剩余大面积铜区域增加冲切面积，减小大面积铜片的存在，保证了焊线工艺的真空固定，又减小注塑后分层的可能性。

附图说明

图1是本发明实施例TSOP封装引线框防分层结构的现有设计的俯视图。

图2是本发明实施例TSOP封装引线框防分层结构的现有设计的仰视图。

图3是本发明实施例TSOP封装引线框防分层结构的侧视图。

图4是本发明实施例TSOP封装引线框防分层结构的俯视图。

图中：晶圆IC1，大面积铜区域2，胶带3，引线框4，悬空区5，树脂7，方形铜片8，镂空部9。

具体实施方式

如图1和图2所示，本发明的TSOP封装形式引线框防分层结构的与现有分层结构的对比在于：现有分层结构的大面积铜片区域(如图1所示)，其能很好的被焊线机吸板吸附，但会造成注塑分层的问题，在注塑后树脂面之间联通较少，与引线框结合面面积比较大，造成两个独立体因不同的收缩率产生较大的应力差，从而造成分层(如图2所示)。

如图3和图4所示，本发明的TSOP封装引线框防分层结构，包括晶圆IC1，胶带3，引线框4和悬空区5，所述晶圆IC1位置下面的引线框上上设有大面积铜区域2，所述晶圆IC1下覆盖胶带3，所述悬空区4设在胶带3之间，所述引线框4设在胶带3底面，所述晶圆IC1位置下面的引线框上设有的大面积铜区域2上设有方形铜片8，所述方形铜片8的面积大小为0.8×0.8mm，所述大面积铜区域2的剩余大面积铜区域设有镂空部9，其通过树脂7注塑到镂空部9内，树脂7穿过引线框4与晶圆1形成结合.

进一步地，本发明的TSOP封装引线框防分层结构，在大面积铜片上保留0.8x0.8mm的方形铜片面积供焊线机真空板吸附，剩余大面积铜的镂空部，供注塑时树脂通过，树脂穿过引 线框与晶圆结合，树脂和引线框之间起到较好的结合效果，将结合面分散开来，相互之间收缩应力差也因分散变小，树脂和引线框交互结合，这样降低树脂和引线框之间分层的风险。

如图4所示，所述引线框4上可供设置真空吸盘8的位置设有多个，方形铜片面积大小设计0.8x0.8mm，位置和数量可以根据不同形式的引线框设定，如果晶圆较大，而引线框上可供设置吸盘的位置较多，可多设几个为保证焊线工艺的品质，尤其是目前晶圆变得越来越薄，层数越来越多，焊线时材料的固定要求更是明显，吸盘的设置尤其重要。

本发明的TSOP封装引线框防分层结构，在引线框上设计真空吸盘结构，在保证吸盘面积的情况下，剩余大面积铜区域增加冲切面积，减小大面积铜片的存在，保证了焊线工艺的真空固定又减小注塑后分层的可能性。需要指出的是，上述较佳实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。