技术特征：
技术总结
一种静电放电保护结构及其形成方法，静电放电保护结构包括：衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域以及第三区域，所述第二区域衬底上具有若干鳍部；位于第二区域衬底上且横跨若干鳍部的栅极结构；位于第一区域衬底内的第一凹槽；填充满第一凹槽的第一掺杂外延层，第一掺杂外延层作为源极；位于第三区域衬底内的第二凹槽，且第二凹槽与若干鳍部沿鳍部延伸方向的延伸图形均具有重合部分；填充满第二凹槽的第二掺杂外延层，第二掺杂外延层作为漏极。本发明中若干鳍部共享漏极，从而使得漏极均匀开启，及时的泄放ESD电流，且提高静电放电保护结构的失效电流，改善静电放电保护结构的电学性能。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.08.29
技术公布日：2018.03.13