技术总结
本发明提供了一种化合物半导体的腐蚀方法，所述方法包括如下步骤：(1)在化合物半导体上覆盖图案化的掩膜层；所述化合物半导体为二元和/或多元III‑V族化合物半导体；(2)采用高密度等离子体源产生的高密度等离子体对暴露的化合物半导体进行氧化处理，得到氧化层，其中掩膜层不与高密度氧等离子体反应；(3)去除氧化层；(4)去除图案化的掩膜层，得到腐蚀后的化合物半导体。所述方法能够快速、精确控制二元和/或多元III‑V族化合物半导体的刻蚀速率和刻蚀深度，表面损伤较低，无残留，且刻蚀表面均一性高，可用于晶体管凹栅和欧姆接触等结构的形成。
技术研发人员：法比奥·圣阿加塔;艾莉娜·耶尔沃利诺;罗伯特·索科洛夫斯基;董明智
受保护的技术使用者：北京代尔夫特电子科技有限公司
文档号码：201610757979
技术研发日：2016.08.29
技术公布日：2016.12.28