1.一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法，其特征是，具体操作步骤如下：
(1)用钕铁硼粉末冶金工艺制备主相合金粉末；
(2)采用稀土合金粉末冶金工艺制备低熔点稀土合金的晶界粉末；
(3)将主相合金粉末与低熔点稀土合金的晶界粉末按照比例混合均匀；
(4)在磁场中取向成型，制得毛坯钕铁硼磁体，在1000～1100℃条件下烧结3～5小时，制备得到烧结钕铁硼磁体；
(5)在磁体表层通过电泳的方法涂覆一层低熔点稀土合金；
(6)将磁体放入真空烧结炉中进行二级回火热处理。
2.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法，其特征是，在步骤(1)中，所述的钕铁硼粉末冶金工艺为：采用速凝工艺制得主相合金，然后通过氢破、气流磨工艺制备主相合金粉末。
3.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法，其特征是，在步骤(2)中，所述的稀土合金粉末冶金工艺为：采用速凝工艺制得低熔点稀土合金，然后通过氢破、高能球磨工艺制备低熔点稀土合金的晶界粉末。
4.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法，其特征是，在步骤(2)、步骤(3)和步骤(5)中，所述低熔点稀土合金的成分配比为ReXn，其中Re为Pr、Nd、Dy和Tb元素中的一种或几种，Xn为Al、Cu和Ga元素中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法，其特征是，在步骤(3)中，低熔点稀土合金的晶界粉末占主相合金粉末的比例为1～3wt％。
6.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体晶界扩散的方法，其特征是，在步骤(6)中，二级回火的具体工艺如下：采用700～900℃保温1～6h后，再采用400～600℃保温1～6h。