技术总结
本发明涉及一种肖特基接触及其制备方法，所述肖特基接触包括p‑InP衬底、绝缘介质层和电极金属层，所述p‑InP衬底上生长有欧姆接触金属层，所述绝缘介质层为MoO3。制备时，先在p‑InP衬底上生长欧姆接触金属形成外围环形电极；然后在p‑InP衬底上沉积3～4nm厚的MoO3层；最后在MoO3层上沉积阳极电极。本发明利用MoO3作为绝缘介质层，肖特基接触会有明显的势垒增强效应，从而可以有效的避免p‑InP材料的费米能级钉扎效应继而实现Al/p‑InP肖特基接触更好的整流特性；且在310K温度下的理想因子却依旧在2.2以下，相比于其他介质层材料在同等的势垒增强条件下有更小的理想因子，从而使相应的肖特基器件具有更好的器件特性。
技术研发人员：陈俊;吕加兵
受保护的技术使用者：苏州大学
文档号码：201610803653
技术研发日：2016.09.06
技术公布日：2017.01.04