一种具有电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法与流程

本发明涉及到一种具有电荷补偿肖特基半导体装置，本发明还涉及一种局电荷补偿肖特基半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置是制造功率整流器件的基本结构。

背景技术：
功率半导体器件被大量使用在电源管理和电源应用上，特别涉及到肖特基结的半导体器件已成为器件发展的重要趋势，肖特基器件具有正向开启电压低开启关断速度快等优点，同时肖特基器件也具有反向漏电流大，不能被应用于高压环境等缺点。肖特基二极管可以通过多种不同的布局技术制造，最常用的为平面布局，传统的平面肖特基二极管在漂移区具有突变的电场分布曲线，影响了器件的反向击穿特性，同时传统的平面肖特基二极管具有较高的导通电阻。

技术实现要素：
本发明针对上述问题提出，提供一种具有电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法。一种具有电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为第一导电半导体材料构成；第二导电半导体材料层，位于衬底层之上，为第二导电半导体材料；多个沟槽，位于漂移层第二导电半导体材料中，沟槽内下部填充第一导电半导体材料，沟槽内上部侧壁设置有绝缘材料；肖特基势垒结，位于第一导电半导体材料表面。一种具有电荷补偿肖特基半导体装置的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：在第一导电半导体材料构成衬底层表面形成第二导电半导体材料层，然后表面形成一种绝缘介质；进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘介质，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；在沟槽内形成第一导电半导体材料，进行反刻蚀；在半导体材料表面形成一种绝缘介质，干法刻蚀绝缘介质；淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。当半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿，提高器件的反向击穿电压。因为电荷补偿结构的存在，从而可以提高漂移区的杂质掺杂浓度，也可以降低器件的正向导通电阻，改善器件的正向导通特性。附图说明图1为本发明的一种具有电荷补偿肖特基半导体装置剖面示意图；图2为本发明的第二种具有电荷补偿肖特基半导体装置剖面示意图。其中，1、衬底层；2、二氧化硅；3、第一导电半导体材料；4、第二导电半导体材料；5、肖特基势垒结；6、第二类型肖特基势垒结；7、欧姆接触区；8、电荷补偿结构；10、上表面金属层；11、下表面金属层。具体实施方式实施例1图1为本发明的一种具有电荷补偿肖特基半导体装置剖面图，下面结合图1详细说明本发明的半导体装置。一种具有电荷补偿肖特基半导体装置，包括：衬底层1，为N导电类型半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为1E19/CM3，在衬底层1下表面，通过下表面金属层11引出电极；第一导电半导体材料3，位于衬底层1之上，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为1E16/CM3；第二导电半导体材料4，位于第一导电半导体材料3中，为P传导类型的半导体硅材料，硼原子的掺杂浓度为1E16/CM3，其表面具有较高的离子掺杂浓度；肖特基势垒结5，位于第一导电半导体材料3的表面，为半导体硅材料与势垒金属形成的硅化物；欧姆接触区7，位于第二导电半导体材料4的表面；二氧化硅2，位于沟槽内侧壁上部；器件上表面附有上表面金属层10，为器件引出另一电极。其制作工艺包括如下步骤：第一步，在衬底层1表面外延形成第一导电半导体材料层，然后外延形成第二导电半导体材料层，注入硼离子退火氧化，形成二氧化硅2；第二步，进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分二氧化硅2，然后刻蚀去除部分裸露半导体硅材料形成沟槽；第三步，在沟槽内形成第一导电半导体材料3，进行第一导电半导体材料3反刻蚀；第四步，进行热氧化工艺，形成二氧化硅2，干法刻蚀去除二氧化硅2；第五步，在半导体材料表面淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结5，然后在表面淀积金属形成上表面金属层10；第六步，进行背面金属化工艺，在背面形成下表面金属层11，如图1所示。实施例2图2为本发明的一种具有电荷补偿肖特基半导体装置剖面图，下面结合图2详细说明本发明的半导体装置。一种具有电荷补偿肖特基半导体装置，包括：衬底层1，为N导电类型半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为1E19/CM3，在衬底层1下表面，通过下表面金属层11引出电极；第一导电半导体材料3，位于衬底层1之上，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为1E16/CM3；第二导电半导体材料4，位于第一导电半导体材料3中，为P传导类型的半导体硅材料，硼原子的掺杂浓度为1E16/CM3；肖特基势垒结5，位于第一导电半导体材料3的表面，为半导体硅材料与势垒金属形成的硅化物；第二类型肖特基势垒结6，位于第二导电半导体材料4的表面；二氧化硅2，位于沟槽内侧壁上部；器件上表面附有上表面金属层10，为器件引出另一电极。其制作工艺包括如下步骤：第一步，在衬底层1表面外延形成第一导电半导体材料层，然后外延形成第二导电半导体材料层，进行热氧化工艺，在表面形成二氧化硅2；第二步，进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分二氧化硅2，然后刻蚀去除部分裸露半导体硅材料形成沟槽；第三步，在沟槽内形成第一导电半导体材料3，进行第一导电半导体材料3反刻蚀；第四步，进行热氧化工艺，形成二氧化硅2，干法刻蚀去除二氧化硅2；第五步，在半导体材料表面淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结5和第二类型肖特基势垒结6，然后在表面淀积金属形成上表面金属层10；第六步，进行背面金属化工艺，在背面形成下表面金属层11，如图2所示。通过上述实例阐述了本发明，同时也可以采用其它实例实现本发明，本发明不局限于上述具体实例，因此本发明由所附权利要求范围限定。