一种具有沟槽结构肖特基半导体装置及其制备方法与流程

本发明涉及到一种具有沟槽结构肖特基半导体装置，本发明还涉及一种具有沟槽结构肖特基半导体装置的制备方法。本发明的半导体装置是制造功率整流器件的基本结构。

背景技术：
功率半导体器件被大量使用在电源管理和电源应用上，特别涉及到肖特基结的半导体器件已成为器件发展的重要趋势，肖特基器件具有正向开启电压低开启关断速度快等优点，同时肖特基器件也具有反向漏电流大，不能被应用于高压环境等缺点。肖特基二极管可以通过多种不同的布局技术制造，最常用的为平面布局，传统的平面肖特基二极管在漂移区具有突变的电场分布曲线，影响了器件的反向击穿特性，同时传统的平面肖特基二极管具有较高的导通电阻。

技术实现要素：
本发明针对上述问题提出，提供一种具有沟槽结构肖特基半导体装置及其制备方法。一种具有沟槽结构肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽底部和侧壁下部表面有绝缘层，沟槽侧壁上部表面没有绝缘层，具有绝缘层的沟槽内填充有介质材料；多个电荷补偿区，位于沟槽之间，其中沟槽之间的单个电荷补偿区由单个第一导电半导体材料和单个第二导电半导体材料排列构成，单个第一导电半导体材料和单个第二导电半导体材料都临靠沟槽；肖特基势垒结，位于电荷补偿区半导体材料的表面。一种具有沟槽结构肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：在衬底层上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料层；在表面形成钝化层，在待形成沟槽区域表面去除钝化层；进行刻蚀半导体材料，形成沟槽；进行单侧倾斜注入退火工艺；在沟槽内壁形成钝化层，在沟槽内填充介质材料；反刻蚀介质材料，腐蚀去除器件表面部分钝化层；在器件表面淀积金属，进行烧结形成肖特基势垒结。当半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿，提高器件的反向击穿电压。因此可以提高漂移区的杂质掺杂浓度，从而可以降低器件的正向导通电阻，改善器件的正向导通特性。附图说明图1为本发明的一种具有沟槽结构肖特基半导体装置剖面示意图；图2为本发明的第二种具有沟槽结构肖特基半导体装置剖面示意图。其中，1、衬底层；2、二氧化硅；3、第一导电半导体材料；4、第二导电半导体材料；5、肖特基势垒结；8、电荷补偿结构；10、上表面金属层；11、下表面金属层。具体实施方式实施例1图1为本发明的一种具有沟槽结构肖特基半导体装置剖面图，下面结合图1详细说明本发明的半导体装置。一种具有沟槽结构肖特基半导体装置，包括：衬底层1，为N导电类型半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为1E19/CM3，在衬底层1下表面，通过下表面金属层11引出电极；第一导电半导体材料3，位于衬底层1之上，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为1E16/CM3；第二导电半导体材料4，位于沟槽单边侧壁，为P传导类型的半导体硅材料，硼原子的掺杂浓度为2E16/CM3；肖特基势垒结5，位于第一导电半导体材料3的表面，为半导体硅材料与势垒金属形成的硅化物；二氧化硅2，位于沟槽内；器件上表面附有上表面金属层10，为器件引出另一电极。其制作工艺包括如下步骤：第一步，在衬底层1表面外延形成第一导电半导体材料层3；第二步，表面热氧化，形成二氧化硅2，进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分二氧化硅2；第三步，进行干法刻蚀，去除部分裸露半导体硅材料形成沟槽；第四步，进行单侧倾斜硼离子注入，然后进行退火工艺；第五步，进行热氧化工艺，在沟槽内壁形成二氧化硅2，然后进行淀积二氧化硅工艺，在沟槽内填充二氧化硅2；第六步，进行干法刻蚀工艺，在半导体材料表面去除部分二氧化硅2；第七步，在半导体材料表面淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结5，然后在表面淀积金属形成上表面金属层10；第八步，进行背面金属化工艺，在背面形成下表面金属层11，器件结构如图1所示。实施例2图2为本发明的第二种具有沟槽结构肖特基半导体装置剖面图，下面结合图2详细说明本发明的半导体装置。一种具有沟槽结构肖特基半导体装置，包括：衬底层1，为N导电类型半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为1E19/CM3，在衬底层1下表面，通过下表面金属层11引出电极；第一导电半导体材料3，位于衬底层1之上，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子的掺杂浓度为1E16/CM3；第二导电半导体材料4，位于沟槽单边侧壁，为P传导类型的半导体硅材料，硼原子的掺杂浓度为2E16/CM3；肖特基势垒结5，位于第一导电半导体材料3的表面，为半导体硅材料与势垒金属形成的硅化物；二氧化硅2，位于沟槽内和器件上表面；器件上表面附有上表面金属层10，为器件引出另一电极。其制作工艺包括如下步骤：第一步，在衬底层1表面外延形成第一导电半导体材料层3；第二步，表面热氧化，形成二氧化硅2，淀积氮化硅，进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分二氧化硅2和氮化硅；第三步，进行干法刻蚀，去除部分裸露半导体硅材料形成沟槽；第四步，进行单侧倾斜硼离子注入，然后进行退火工艺；第五步，进行热氧化工艺，在沟槽内壁形成二氧化硅2，然后进行淀积二氧化硅工艺，在沟槽内填充二氧化硅2；第六步，进行干法刻蚀工艺，在半导体材料表面去除部分二氧化硅2，腐蚀去除氮化硅；第七步，在半导体材料表面淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结5，然后在表面淀积金属形成上表面金属层10；第八步，进行背面金属化工艺，在背面形成下表面金属层11，器件结构如图2所示。通过上述实例阐述了本发明，同时也可以采用其它实例实现本发明，本发明不局限于上述具体实例，因此本发明由所附权利要求范围限定。