技术总结
本发明涉及一种耗尽型功率晶体管的制造方法，包括：在晶圆正面的第一导电类型衬底上形成第一场氧层；进行第二导电类型光刻与刻蚀；注入第二导电类型离子，在第一导电类型衬底内形成第二导电类型区；在晶圆正面生长第二场氧层；进行第二导电类型阱光刻和刻蚀；注入第二导电类型离子，在第二导电类型区两侧形成第二导电类型阱；进行耗尽层光刻与刻蚀；注入第一导电类型离子，在第二导电类型区两侧形成耗尽层；在晶圆正面形成多晶硅栅极和多晶硅场板；以多晶硅栅极和第二场氧层为掩膜进行第一导电类型离子的自对准注入，在第二导电类型阱内形成第一导电类型区。本发明利用第二场氧层作为第一导电类型离子的自对准注入时的掩膜，可节省一道光刻工序。
技术研发人员：李学会
受保护的技术使用者：深圳深爱半导体股份有限公司
文档号码：201610812147
技术研发日：2016.09.08
技术公布日：2017.02.15