1.一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在沉积钼背电极的衬底上磁控溅射形成铜铟镓硒第一预制层；
(2)在铜铟镓硒第一预制层上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的铜铟镓硒第二预制层，Ga/(In+Ga)的比值与铜铟镓硒第一预制层之差为0～0.03；
(3)硒化热处理前两步形成的预制层薄膜，得到铜铟镓硒薄膜。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：磁控溅射前，对所用靶材进行10min预溅射。
3.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：形成铜铟镓硒第一预制层包括先形成铜镓合金层，再于铜镓合金层上形成铟金属层。
4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：铜铟镓硒第二预制层中硒化物系列化合物包含Cu-Se、In-Se、Ga-Se、Cu-In-Se组合化合物中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：铜铟镓硒第二预制层Se/(Cu+In+Ga))为0.3～1.0。
6.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：溅射的铜铟镓硒第一预制层以及铜铟镓硒第二预制层各元素比满足Cu/(In+Ga)为0.7～0.9，Ga/(In+Ga)为0.3～0.4。
7.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：磁控溅射时气体压强为0.1Pa～10Pa。
8.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：硒化热处理前，在铜铟镓硒第二预制层上蒸发沉积硒形成硒层。
9.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：硒化热处理温度500℃～550℃，时间20min～60min。
10.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于：硒化热处理加热过程为，先20℃/min升温至200℃，再100℃/min升温至510℃～560℃，维持2分钟，然后10℃/min降温至500℃～550℃，维持30min～60min。