技术总结
本发明涉及到半导体工艺和器件领域，具体指一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法。在蓝宝石衬底上MOCVD生长N‑极性的GaN模板，在模板上制备进行极性变换的AlN，并对其进行图形制作，最后在该模板和AlN上使用进行GaN厚膜生长，有望满足高功率器件需要厚度达1mm的极性交替的GaN要求。
技术研发人员：刘三姐;郑新和;侯彩霞;王瑾;何荧峰;李美玲
受保护的技术使用者：北京科技大学
文档号码：201610867091
技术研发日：2016.09.29
技术公布日：2017.03.22