1.一种晶硅柔性电池，其特征在于，所述晶硅柔性电池包括封装膜和设于封装膜内的电池组件，所述电池组件由下至上依次由铝背电极层、单晶硅基底层、圆柱形硅阵列结构层、PN结层、SiNx钝化层和ITO薄膜层组成。
2.根据权利要求1所述的晶硅柔性电池，其特征在于，所述圆柱形硅阵列结构层的阵列单元的直径为1μm～2μm，阵列单元的高为2μm～4μm，相邻阵列单元之间的中心间距为3μm～8μm；和/或，所述PN结层的结深为0.2μm～0.42μm；和/或，所述SiNx钝化层中，Si与N的原子比在0.743与1.014之间，所述SiNx钝化层的厚度为50nm～80nm。
3.根据权利要求1或2所述的晶硅柔性电池，其特征在于，所述单晶硅基底层的厚度为20μm～100μm；和/或，所述ITO薄膜层的光透过率T＞90％，电阻率ρ＜4×10-4Ω·cm，折射率n为2.1～2.5。
4.一种如权利要求1～3中任一项所述的晶硅柔性电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)化学刻蚀：在单晶硅上进行化学刻蚀，刻蚀出圆柱形硅阵列结构，得到圆柱形硅阵列结构层；
(2)扩散：在圆柱形硅阵列结构层上采用扩散工艺制备PN结，得到PN结层；
(3)制备SiNx钝化层：在PN结层上采用PECVD工艺制备SiNx钝化层；
(4)镀ITO薄膜层：在SiNx钝化层上采用PECVD工艺镀ITO薄膜，得到ITO薄膜层；
(5)刻蚀硅背面：在步骤(1)保留的单晶硅背面进行刻蚀剪薄，得到单晶硅基底层；
(6)镀铝背电极：在单晶硅基底层的背面丝网印刷铝浆，经烧结后，得到铝背电极层；
(7)封装：将步骤(1)～(6)分别制备的各结构层组成的电池组件进行封装，得到晶硅柔性电池。
5.根据权利要求4所述的晶硅柔性电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述扩散工艺包括如下过程：先在O2和N2气氛中于600℃～800℃下氧化3min～5min，然后通POCl3、O2和N2，在扩散温度为800℃～825℃下扩散3min～5min，再升高温度至810℃～835℃，在POCl3、O2和N2气氛中深扩散3min～5min，进一步推深PN结。
6.根据权利要求4所述的晶硅柔性电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述PECVD工艺的条件为：真空压力为180Pa～230Pa，镀膜温度为430℃～450℃，通入SiH4和NH3，SiH4与NH3的气体流量比为4200∶500，射频功率为3500W～4000W。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的晶硅柔性电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(6)中，所述烧结过程如下：先将铝浆烘干，烘干温度为100℃～200℃，烘干时间为10min～20min，然后在400℃～450℃下烧结30min～60min，再于600℃～900℃下烧结10min～25min，形成欧姆接触。
8.根据权利要求4～6中任一项所述的晶硅柔性电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(7)中，所述封装的材料为聚二甲基硅氧烷。