技术总结
本发明公开了一种晶硅柔性电池及其制备方法。该晶硅柔性电池包括封装膜和设于封装膜内的电池组件，电池组件由下至上依次由铝背电极层、单晶硅基底层、圆柱形硅阵列结构层、PN结层、SiNx钝化层和ITO薄膜层组成。制备方法包括(1)化学刻蚀：(2)扩散制PN结：(3)制备SiNx钝化层；(4)镀ITO薄膜层：(5)刻蚀硅背面；(6)镀铝背电极：(7)封装。本发明制备的晶硅柔性电池具有良好的陷光结构和大光吸收角，光生载流子吸收长度短，光吸收效率高，光电转化效率高，且弯折性能优异。
技术研发人员：朱奕漪;刘良玉;谢于柳
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十八研究所
文档号码：201610874534
技术研发日：2016.09.30
技术公布日：2017.02.15