1.一种图像传感器，包括：
第一导电类型的半导体衬底；
布置在所述半导体衬底中且在其中限定第一像素区和第二像素区的器件分隔层；
布置在所述半导体衬底中在各个所述第一像素区和第二像素区中的相应对第二导电类型的第一光电转换区和第二光电转换区；
在各个所述第一像素区中布置在所述半导体衬底中在所述第一光电转换区和第二光电转换区之间的相应第一隔离结构；以及
在各个所述第二像素区中布置在所述半导体衬底中在所述第一光电转换区和第二光电转换区之间的相应第二隔离结构，所述第二隔离结构在其折射率和/或形状方面不同于所述第一隔离结构，
其中所述第一像素区和第二像素区沿正交的第一方向和第二方向布置成矩阵，以及其中所述第二像素区布置在所述第一像素区中所述第一方向上的相邻第一像素区之间以及在所述第一像素区中所述第二方向上的相邻第一像素区之间。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一隔离结构包括具有沿所述第二方向延伸的线形结构的绝缘层，以及其中所述第二隔离结构包括沿所述第二方向延伸的线形结构且包括包含所述第一导电类型的掺杂剂的杂质区。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一隔离结构包括具有沿所述第二方向延伸的线形结构的绝缘层，以及其中所述第二隔离结构包括包含沿所述第一方向延伸的第一部分和沿所述第二方向延伸的第二部分的绝缘层。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述器件分隔层包括沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向彼此间隔开的第一部分、以及沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向彼此间隔开的第二部分，以及其中所述第一隔离结构和第二隔离结构沿所述第二方向延伸以接触所述器件分隔层的所述第一部分。
5.如权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述第一像素区中，所述第一光电转换区和第二光电转换区单独地被所述器件分隔层和所述第一隔离结构围绕，以及其中在所述第二像素区中，所述第一光电转换区和第二光电转换区独立地被所述器件分隔层和所述第二隔离结构围绕。
6.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述半导体衬底具有在其对立的第一侧和第二侧上的第一表面和第二表面，其中所述器件分隔层具有与所述半导体衬底的所述第二表面间隔开第一距离的底表面，其中所述第二隔离结构具有与所述半导体衬底的所述第二表面间隔开第二距离的底表面，以及其中所述第二距离基本上与所述第一距离相同。
7.如权利要求6所述的图像传感器，其中所述第一隔离结构具有与所述半导体衬底的所述第二表面间隔开所述第一距离的底表面。
8.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述半导体衬底进一步包括第三像素区，所述第三像素区由所述器件分隔层限定且布置在所述第二像素区的对角线方向上在所述第一像素区中沿所述第一方向的相邻第一像素区之间且在所述第一像素区中沿所述第二方向的相邻第一像素区之间，以及其中所述图像传感器进一步包括在各个所述第三像素区中布置在所述半导体衬底中在所述第一光电转换区和第二光电转换区之间的第三隔离结构。
9.如权利要求8所述的图像传感器，其中所述第三隔离结构具有与所述第一隔离结构相同的材料成分或形状。
10.如权利要求8所述的图像传感器，其中所述第三隔离结构具有与所述第二隔离结构相同的材料成分或形状。
11.如权利要求8所述的图像传感器，其中所述第三隔离结构具有与所述第一隔离结构和第二隔离结构不同的材料成分或形状。
12.如权利要求8所述的图像传感器，其中所述第一隔离结构和第三隔离结构包括具有沿所述第二方向延伸的线形结构的绝缘层，以及其中所述第二隔离结构具有沿所述第二方向延伸的线形结构并且包括包含所述第一导电类型的掺杂剂的杂质区。
13.如权利要求8所述的图像传感器，其中所述第一隔离结构包括具有沿所述第二方向延伸的线形结构的绝缘层，以及其中所述第二隔离结构和第三隔离结构具有沿所述第二方向延伸的线形结构并且包括包含所述第一导电类型的掺杂剂的杂质区。
14.如权利要求8所述的图像传感器，其中所述第一隔离结构和第三隔离结构包括具有沿所述第二方向延伸的线形结构的绝缘层，以及其中所述第二隔离结构包括包含沿所述第一方向延伸的第一部分和沿所述第二方向延伸的第二部分的绝缘层。
15.如权利要求8所述的图像传感器，其中所述第一隔离结构包括具有沿所述第二方向延伸的线形结构的绝缘层，其中所述第二隔离结构和第三隔离结构包括绝缘层，以及其中所述第二隔离结构和第三隔离结构的所述绝缘层包括沿所述第一方向延伸的第一部分和沿所述第二方向延伸的第二部分。
16.一种图像传感器包括：
半导体衬底；
在所述半导体衬底的第一像素区中的第一对光电转换区；
在所述第一对光电转换区的光电转换区之间的第一隔离结构；
在所述半导体衬底的邻近所述第一像素区的第二像素区中的第二对光电转换区；
在所述第二对光电转换区的光电转换区之间且具有与所述第一隔离结构不同的光学性质的第二隔离结构。
17.如权利要求16所述的图像传感器，包括不同的第一颜色滤光器和第二颜色滤光器，所述第一颜色滤光器和第二颜色滤光器在所述第一像素区和第二像素区中各自的像素区上。
18.如权利要求16所述的图像传感器，其中所述第一隔离结构包括在所述第一对光电转换区的所述光电转换区之间的所述衬底中的沟槽中的绝缘区，以及其中所述第二隔离结构包括在所述第二对光电转换区的所述光电转换区之间的所述衬底中的掺杂区。
19.如权利要求16所述的图像传感器，其中所述第一隔离结构包括布置在所述第一对光电转换区的所述光电转换区之间的所述衬底中的第一沟槽中具有不同折射率的多层，以及其中所述第二隔离结构包括在所述第二对光电转换区的所述光电转换区之间的所述衬底中的掺杂区。
20.如权利要求16所述的图像传感器，其中所述第一隔离结构包括在所述第一对光电转换区的所述光电转换区之间的所述衬底中的第一沟槽中的第一绝缘区，以及其中所述第二隔离结构包括在所述第二对光电转换区的所述光电转换区之间的所述衬底中的第二沟槽中的第二绝缘区、以及在交叉所述第二沟槽且部分延伸到所述第二对光电转换区的所述光电转换区中的第三沟槽中的第三绝缘区。