技术总结
本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括半导体衬底、在衬底的第一像素区中的第一对光电转换区以及在第一对光电转换区的光电转换区之间的第一隔离结构。传感器进一步包括在衬底的邻近第一像素区的第二像素区中的第二对光电转换区、以及在第二对光电转换区的光电转换区之间且具有与第一隔离结构不同的光学性质的第二隔离结构。不同的第一颜色滤光器和第二颜色滤光器，例如绿色和红色滤光器，可以被布置在第一像素区和第二像素区中各自的像素区上。
技术研发人员：李景镐;金昇炫;安赫;李允基;崔赫洵
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
文档号码：201610891753
技术研发日：2016.10.12
技术公布日：2017.05.31