形成导电图案的方法以及制造包括其的显示装置的方法与流程

本申请要求于2016年1月27日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0010172号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

描述的技术涉及一种导电图案。更具体地，描述的技术涉及一种形成导电图案的方法和一种制造包括该导电图案的有机发光显示装置的方法。

背景技术：

有机发光显示装置包括具有空穴注入电极、电子注入电极以及设置在空穴注入电极与电子注入电极之间的有机发射层的有机发光二极管(oled)。另外，有机发光显示装置是自发射的。在有机发射层中，通过空穴注入电极注入的空穴和通过电子注入电极注入的电子彼此结合，以产生原子的激子，原子的激子从激发态落回到基态，从而产生光。

有机发光显示装置不需要光源，因此用低电压驱动。有机发光显示装置还是质轻且薄的。另外，因为有机发光显示装置可以具有宽视角、高对比度和快速响应时间，所以有机发光显示装置应用到个人便携式电子装置，最近，应用到电视机。

技术实现要素：

本发明的实施例提供了一种可以通过使用单个掩模形成可被绝缘层保护的导电图案的方法。本发明的实施例还包括一种可能够以低成本实现高分辨率的有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法。

根据本发明的示例性实施例，提供了一种形成导电图案的方法。根据所述方法，在基底上形成导电材料层。在导电材料层上形成导电图案。在导电材料层上形成光敏有机材料层。通过半色调掩模照射光敏有机材料层。半色调掩模包括第一掩模区域、第二掩模区域和第三掩模区域，第一掩模区域具有与导电图案的边缘对应的边界，第三掩模区域设置在第一掩模区域和第二掩模区域之间。通过去除光敏有机材料层来形成包括第一区域和第二区域的第一图案，第一区域与第一掩模区域对应并具有第一厚度，第二区域与第三掩模区域对应并具有比第一厚度小的第二厚度。使用第一图案作为硬掩模来蚀刻导电材料层，并形成与第一图案相邻布置的导电图案。对第一图案回流以形成覆盖导电图案的侧表面的第二图案。

第三掩模区域可以沿第一掩模区域的边界设置。第三掩模区域可以围绕第一掩模区域。

蚀刻导电材料层的步骤可以包括暴露第一图案的第二区域的下表面的一部分。

导电图案的边缘可以相对于第一图案的边缘缩进。

去除光敏有机材料层的步骤可以包括完全地去除光敏有机材料层的与第二掩模区域对应的第一部分。去除光敏有机材料层的步骤也可以包括部分地去除光敏有机材料层的与第三掩模区域对应的第二部分。

对第一图案回流的步骤可以包括使第一图案的一部分沿导电图案的侧表面流动以覆盖导电图案的侧表面。

导电图案可以具有暴露的区域。导电图案的暴露的区域的上表面可以不覆盖有第二图案。半色调掩模还可以包括在第一掩模区域内与导电图案的暴露的区域对应的第四掩模区域。第一图案还可以具有第三区域，第三区域具有比第一厚度小的第三厚度并且在第一区域内与第四掩模区域对应。

第三区域的平均厚度可以比第二区域的平均厚度小。

可以对第一图案灰化，使得可以暴露导电图案的暴露的区域的上表面。

根据本发明的示例性实施例，提供了一种制造显示装置的方法。根据所述方法，在基底上形成薄膜晶体管。形成覆盖薄膜晶体管的通孔绝缘层。在通孔绝缘层上形成导电材料层。在通孔绝缘层上形成像素电极和光敏有机材料层。通过半色调掩模照射光敏有机材料层。半色调掩模包括与像素电极的发光区域对应的第一掩模区域和围绕第一掩模区域的第二掩模区域。第二掩模区域具有与像素电极的边缘对应的外边界。半色调掩模还包括第三掩模区域和设置在第二掩模区域与第三掩模区域之间的第四掩模区域。去除光敏有机材料层，以形成第一图案。第一图案包括与第一掩模区域对应并具有第一厚度的第一区域以及与所述第二掩模区域对应具有比第一厚度大的第二厚度的第二区域。第一图案还包括与第四掩模区域对应并具有比第二厚度小的第三厚度的第三区域。在形成与第一图案相邻布置的像素电极中，使用第一图案作为硬掩模来蚀刻导电材料层。去除第一图案的一部分以形成第二图案，其中，像素电极的发光区域的上表面通过第二图案暴露。对第二图案回流以形成像素限定层。像素限定层暴露像素电极的发光区域并且覆盖像素电极的侧表面。

第四掩模区域可以沿第二掩模区域的外边界设置。第四掩模区域可以围绕第二掩模区域。

蚀刻导电材料层的步骤可以包括暴露第一图案的第三区域的下表面的一部分。

像素电极的边缘可以相对于第一图案的边缘缩进。

第一区域的平均厚度可以比第三区域的平均厚度小。

去除光敏有机材料层的步骤可以包括部分地去除光敏有机材料层的与第一掩模区域和第四掩模区域对应的区域。去除光敏有机材料层的步骤也可以包括完全地去除光敏有机材料层的与第三掩模区域对应的区域。

形成第二图案的步骤可以包括对第一图案灰化，使得去除第一区域。

对第二图案回流的步骤可以包括使第二图案的一部分沿像素电极的侧表面流动以覆盖像素电极的侧表面。

可以在像素电极的发光区域上形成有机发射层。可以在有机发射层和像素限定层上形成对电极。

可以在对电极上形成薄膜包封层。薄膜包封层可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。

根据本发明的示例性实施例，提供了一种制造显示装置的方法。根据所述方法，在基底上形成薄膜晶体管。形成覆盖薄膜晶体管的通孔绝缘层。在通孔绝缘层上形成导电材料层。在通孔绝缘层上形成具有中心区域的像素电极和光敏有机材料层。通过半色调掩模照射光敏有机材料层。去除光敏有机材料层以形成第一图案。第一图案包括具有第一厚度的第一区域和具有比第一厚度大的第二厚度的第二区域。第一图案还包括具有比第二厚度小的第三厚度的第三区域。在形成与第一图案相邻布置的像素电极中，使用第一图案作为硬掩模来蚀刻导电材料层。去除第一图案的一部分以形成第二图案，其中，像素电极的中心区域的上表面通过第二图案暴露。对第二图案回流以形成像素限定层。像素限定层暴露像素电极的中心区域并且覆盖像素电极的侧表面。对第二图案回流的步骤包括通过使第二图案的一部分沿像素电极的侧表面流动来覆盖像素电极的侧表面。

附图说明

通过下面结合附图对示例性实施例进行的描述，这些和/或其他方面将会变得明显和更容易领会，在附图中：

图1a至图1d是示出根据本发明的示例性实施例的形成导电图案的方法的剖视图；

图2a至图2e是示出根据本发明的示例性实施例的形成导电图案的方法的剖视图；

图3是根据本发明的示例性实施例的有机发光显示器的剖视图；

图4a至图4g是示出根据本发明的示例性实施例的制造图3的有机发光显示器的方法的剖视图；

图5a是示出根据本发明的示例性实施例的用于制造有机发光显示器的半色调掩模的平面图；以及

图5b是示出根据本发明的示例性实施例的像素电极的放大剖视图。

具体实施方式

由于本发明允许各种改变和许多实施例，所以将在附图中示出并且在这里详细地描述本发明的示例性实施例。在下文中，将参照附图更充分地描述本发明的实施例的方面和特征以及用于实现它们的方法，然而，本发明可以以许多不同的形式实施并且不应该被解释为受限于在这里阐述的示例性实施例。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”或“设置在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可直接地或间接地形成在或设置在所述另一层、区域或组件上。因此，可以存在中间层、区域或组件。

为了便于解释可以夸大附图中的元件的尺寸，并且本发明的下面的实施例不限于此。

将在下面参照附图更详细地描述本发明的实施例。可以通过相同的附图标记表示与其他附图中的组件相同的或相似的那些组件而不考虑附图编号，并且可以省略多余的解释。

图1a至图1d是示出根据本发明的示例性实施例的形成导电图案的方法的剖视图。

参照图1d，装置10设置在基底11上。装置10包括导电图案12。导电图案12覆盖有有机绝缘层13。

导电图案12可以设置在基底11上。有机绝缘层13可以覆盖导电图案12的上表面和侧表面。装置10可以是有机发光显示器。

基底11可以包括设置在基体基底上的薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括由半导体材料形成的有源层。有源层可以包括源区、漏区和设置在源区与漏区之间的沟道区。薄膜晶体管可以包括与有源层的沟道区至少部分地叠置的栅电极。基底11可以包括可使有源层与栅电极绝缘的栅极绝缘层。基底11可以是有机发光显示装置的组件。

导电图案12可以包括例如透明导电氧化物和/或金属的单层或者可以包括例如透明导电氧化物和/或金属的多层。有机绝缘层13可以包括绝缘的光敏有机材料。

导电图案12可以包括有机发光显示装置的源电极和漏电极，或者可以包括与其上设置有源电极和漏电极的层基本设置在同一层上的布线。源电极和漏电极可以分别电连接到基底11内的有源层的源区和漏区。基底11可以包括可使栅电极与导电图案12绝缘的层间绝缘层。有机绝缘层13可以使导电图案12与可由不同的工艺形成的另一导电图案绝缘。

基底11可以包括分别电连接到有源层的源区和漏区的源电极和漏电极。基底11也可以包括可使栅电极与源电极和漏电极中的任意一个绝缘或者与源电极和漏电极两者绝缘的层间绝缘层。基底11也可以包括可覆盖薄膜晶体管的通孔绝缘层。通孔绝缘层可以具有平坦化的上表面并且可以包括由有机材料形成的单层或多层。导电图案12可以是有机发光显示装置的像素电极或者与其上设置有像素电极的层基本设置在同一层上的布线。有机绝缘层13可以使导电图案12与可由不同的工艺形成的导电材料层绝缘。

通常，为了在基底11上形成覆盖有有机绝缘层13的导电图案12，可以使用用于使导电图案12图案化的第一掩模和用于使覆盖导电图案12的有机绝缘层13图案化的第二掩模。根据一种方法，在形成有机绝缘层13之后，可以使用有机绝缘层13作为硬掩模来形成导电图案12。因此，可以仅需要一个掩模来形成有机绝缘层13。然而，这样做，会暴露导电图案12的侧表面。为了覆盖导电图案12的侧表面，有机绝缘层13会经历回流。然而，因为在有机绝缘材料的回流期间会发生体积收缩，所以仍然会部分地暴露导电图案12的侧表面。

本发明的示例性实施例可以提供一种在基底11上形成导电图案12的方法，其中，通过使用单个掩模使导电图案12的侧表面和上表面覆盖有有机绝缘层13。

参照图1a，可以在基底11上顺序地形成导电材料层12'和光敏有机材料层13”。

导电材料层12'可以包括从由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)组成的组中选择的至少一种透明导电氧化物。导电材料层12'也可以包括从由银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)和铬(cr)组成的组中选择的至少一种金属。

光敏有机材料层13"可以包括绝缘的光敏有机材料。光敏有机材料可以包括通过对光敏有机材料施加例如热量或红外射线而能够使光敏有机材料回流的溶剂。光敏有机材料可以包括例如烯烃类有机材料、丙烯酰基类有机材料或酰亚胺类有机材料。例如，光敏有机材料可以包括聚酰亚胺(pi)。光敏有机材料可以是暴露到光的部分可被去除的正光敏材料。可选择地，光敏有机材料可以是未暴露到光的部分可被去除的负光敏材料。

可以将光照射到光敏有机材料层13”，并且可以根据预期的图案使用半色调掩模14来阻挡和透射光。半色调掩模14可以包括第一掩模区域ma、第二掩模区域mc和第三掩模区域mb。第一掩模区域ma可以对应于图1d的导电图案12。第二掩模区域mc可以与基底11的可从其上去除导电材料层12'的区域(例如，基底11的其上可以不设置导电图案12的区域)对应。第三掩模区域mb可以设置在第一掩模区域ma与第二掩模区域mc之间并且可以具有预定宽度w。第三掩模区域mb的透光率可以在第一掩模区域ma的透光率与第二掩模区域mc的透光率之间。

第三掩模区域mb可以沿第一掩模区域ma的外边界设置以围绕第一掩模区域ma。第一掩模区域ma的外边界可以限定为第一掩模区域ma与第三掩模区域mb之间的边界。

根据本发明的实施例，当光敏有机材料层13”包括正光敏材料时，第一掩模区域ma可以基本阻挡所有光，第二掩模区域mc可以基本透射所有光，第三掩模区域mb可以透射部分光。因此，第三掩模区域mb的透光率可以比第一掩模区域ma的透光率高，并且第三掩模区域mb的透光率可以比第二掩模区域mc的透光率低。

根据本发明的实施例，当光敏有机材料层13”包括负光敏材料时，第一掩模区域ma可以基本透射所有光，第二掩模区域mc可以基本阻挡所有光，第三掩模区域mb可以透射部分光。因此，第三掩模区域mb的透光率可以比第一掩模区域ma的透光率低，并且第三掩模区域mb的透光率可以比第二掩模区域mc的透光率高。

参照图1a和图1b，可以去除光敏有机材料层13”的通过半色调掩模14照射有光的一部分。光敏有机材料层13”可以在去除之前经历显影工艺。可以部分地去除光敏有机材料层13”的与第三掩模区域mb对应的部分，并且可以基本完全地去除光敏有机材料层13”的与第二掩模区域mc对应的部分。

当去除光敏有机材料层13”的一部分时，可以相应地形成包括第一区域13a'和第二区域13b'的第一图案13'。

第一区域13a'可以对应于第一掩模区域ma，第二区域13b'可以对应于第三掩模区域mb。因为可以基本不去除光敏有机材料层13”的与第一掩模区域ma对应的部分，并且可以部分地去除光敏有机材料层13”的与第三掩模区域mb对应的部分，所以第一区域13a'可以比第二区域13b'厚。

参照图1c，可以通过使用第一图案13'作为硬掩模通过湿蚀刻图1b的导电材料层12'来形成导电图案12。导电图案12可以设置在第一图案13'的下方，并且导电图案12的侧表面可以被暴露。

可以使用第一图案13'作为硬掩模对图1b的导电材料层12'蚀刻。因此，可以暴露第一图案13'的第二区域13b'的一部分的下表面。第二区域13b'的具有暴露的下表面的这一部分可以位于空隙上。例如，导电图案12的边缘可以从第一图案13'的边缘缩进距离d。距离d可以是大约0.7μm或更大。例如，距离d可以是大约2μm或更小。

参照图1c和图1d，可以通过对第一图案13'回流来形成覆盖导电图案12的上表面和侧表面的有机绝缘层13。可以将有机绝缘层13称为第二图案。

可以通过施加例如热量或红外射线来对第一图案13'热回流。为了执行回流工艺，可以将包括第一图案13'的基底11设置在热板上。因为热板从基底11向上传递热量，所以第一图案13'的第二区域13b'的一部分可以沿导电图案12的侧表面流动。也可以通过在炉内加热包括第一图案13'的基底11或者用红外射线照射包括第一图案13'的基底11来执行回流工艺。

当导电图案12的侧表面被暴露时，导电图案12和由不同的工艺形成的另一导电图案之间会发生短路。根据本发明的实施例，可以通过对第一图案13'回流来形成覆盖导电图案12的侧表面的有机绝缘层13。因此，根据本发明的实施例，可以使用单个掩模来形成导电图案12以及覆盖导电图案12的上表面和侧表面的有机绝缘层13。因此，可以减少制造成本并且可以简化制造工艺，这可以引起加工时间的减少。

参照图1a和图1c，可以通过可包括光敏有机材料和溶剂的光敏有机材料层13”来形成第一图案13'。当对第一图案13'加热以经历回流工艺时，可以去除光敏有机材料中的溶剂，并且基本同时第一图案13'的体积会收缩。具体地，在体积收缩期间，第一图案13'的相对厚的第一区域13a'可以接收强的收缩力。如果第一图案13'仅包括厚的部分，则第一图案13'会由于强的收缩力而向内移动并且第一图案13'会由于回流的第一图案13'的表面张力而不能覆盖导电图案12的侧表面。当仅包括厚的部分的第一图案13'由于回流而被熔融时，熔融的第一图案13'会破裂并且基本同时会在导电图案12的侧表面上产生空隙。

根据本发明的实施例，如图1b中所示，第一图案13'可以包括第一区域13a'，第二区域13b'可以位于第一区域13a'的外侧并且可以是相对薄的。与第一区域13a'接收的收缩力相比，因为第二区域13b'可以是相对薄的，所以第一图案13'的第二区域13b'可以接收弱的收缩力。此外，因为第二区域13b'可以是薄的，所以第二区域13b'可以由于回流而先于第一区域13a'熔融。因为在第二区域13b'的一部分下方的空间可以是空的，所以当回流工艺开始时，第二区域13b'的这一部分可以首先熔融，因此可以沿导电图案12的侧表面流动或者可以由于重力而覆盖导电图案12的侧表面。因此，由于第一图案13'的薄的第二区域13b'，导电图案12的侧表面可以完全覆盖有有机绝缘层13。因此，可以防止由不同的工艺形成的另一导电图案与导电图案12的侧表面之间的短路。

图2a至图2e是示出根据本发明的实施例的形成导电图案的方法的剖视图。

参照图2e，装置20设置在基底21上。装置20包括导电图案22。导电图案22具有覆盖有有机绝缘层23的边缘区域。

装置20可以包括基底21。导电图案22可以设置在基底21上。导电图案22可以具有中心区域22a和设置在中心区域22a周围的边缘区域22b。有机绝缘层23可以暴露导电图案22的中心区域22a。有机绝缘层23还可以覆盖导电图案22的边缘区域22b和侧表面。有机绝缘层23可以包括朝着导电图案22的中心区域22a倾斜的第一倾斜部分23a和沿与第一倾斜部分23a不同的方向倾斜的第二倾斜部分23b。导电图案22的端部22c可以位于基底21与第二倾斜部分23b之间。装置20可以是有机发光显示器。

基底21可以包括设置在基体基底上的薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括由半导体材料形成的有源层。有源层可以包括源区、漏区以及设置在源区与漏区之间的沟道区。薄膜晶体管也可以包括与有源层的沟道区至少部分地叠置的栅电极。基底21可以包括可使有源层与栅电极绝缘的栅极绝缘层。基底21可以包括分别电连接到有源层的源区和漏区的源电极和漏电极。基底21也可以包括可使栅电极与源电极和漏电极绝缘的层间绝缘层。基底21可以包括可覆盖薄膜晶体管的通孔绝缘层。通孔绝缘层可以具有平坦化的上表面，并且可以包括由有机材料形成的单层或者可以包括由有机材料形成的多层。基底21可以是柔性的并且可以容易地被弯曲、折叠或卷曲。基底21可以是有机发光显示装置的组件。

导电图案22可以包括例如透明导电氧化物和/或金属的单层或者可以包括例如透明导电氧化物和/或金属的多层。导电图案22可以包括从由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)组成的组中选择的至少一种透明导电氧化物。导电图案22可以包括从由银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)和铬(cr)组成的组中选择的至少一种金属。

导电图案22可以包括被暴露并且未覆盖有有机绝缘层23的中心区域22a。导电图案22还可以包括位于中心区域22a周围的边缘区域22b，边缘区域22b可以覆盖有有机绝缘层23。

有机绝缘层23可以暴露导电图案22的中心区域22a并且可以覆盖导电图案22的边缘区域22b和侧表面。有机绝缘层23可以包括朝着导电图案22的中心区域22a倾斜的第一倾斜部分23a和沿与第一倾斜部分23a不同的方向倾斜的第二倾斜部分23b。第一倾斜部分23a的厚度可以从导电图案22上的区域p1朝着导电图案22的端部22c增大。导电图案22上的区域p1可以限定为导电图案22的中心区域22a与边缘区域22b之间的边界。第二倾斜部分23b的厚度可以从第一倾斜部分23a朝着基底21的上表面上的区域p2减小。第二倾斜部分23b与第一倾斜部分23a的倾斜方向相比具有不同的倾斜方向。第一倾斜部分23a与第二倾斜部分23b之间的边界可以限定为在竖直剖面上具有最大高度的区域。例如，第一倾斜部分23a与第二倾斜部分23b之间的边界可以限定为具有与基底21平行的上表面的区域。

第一倾斜部分23a的上表面可以从导电图案22上的区域p1沿远离基底21的方向延伸。例如，第一倾斜部分23a可以具有高度从区域p1至第一倾斜部分23a与第二倾斜部分23b之间的边界增大的剖面。第二倾斜部分23b的上表面可以沿朝着基底21的方向从第一倾斜部分23a延伸到基底21上的区域p2。例如，第二倾斜部分23b可以具有高度从第一倾斜部分23a与第二倾斜部分23b之间的边界至基底21上的区域p2减小的剖面。

可以设置有机绝缘层23，使得暴露导电图案22的中心区域22a的上表面并且覆盖导电图案22的边缘区域22b的上表面和导电图案22的侧表面。有机绝缘层23可以包括绝缘的光敏有机材料。

有机绝缘层23的下表面的一部分可以直接接触导电图案22的上表面，并且有机绝缘层23的下表面的其余部分可以直接接触基底21的上表面。有机绝缘层23的下表面的直接接触导电图案22的上表面的部分可以具有比直接接触基底21的上表面的其余部分大的面积。

导电图案22的边缘区域22b可以置于有机绝缘层23的第一倾斜部分23a与基底21之间，并且也可以置于有机绝缘层23的第二倾斜部分23b的至少一部分与基底21之间。例如，导电图案22的端部22c可以位于基底21与第二倾斜部分23b之间。如图3中所示，从导电图案22上的区域p1至导电图案22的端部22c的距离d1可以比从导电图案22的端部22c至基底21上的区域p2的距离d2大。

根据本发明的实施例，导电图案22的上表面与第一倾斜部分23a的上表面之间的第一角θ1可以比基底21的上表面与第二倾斜部分23b的上表面之间的第二角θ2大。例如，第一角θ1可以小于大约55°并且第二角θ2可以是大约35°。第一角θ1和第二角θ2之间的差可以是大约5°或更大。

第一倾斜部分23a的上表面相对于导电图案22的上表面的倾斜角可以根据第一倾斜部分23a的位置而改变。第二倾斜部分23b的上表面相对于基底21的上表面的倾斜角也可以根据第二倾斜部分23b的位置而改变。第一角θ1可以表示第一倾斜部分23a的上表面在导电图案22上的区域p1处的倾斜角，第二角θ2可以表示第二倾斜部分23b的上表面在基底21上的区域p2处的倾斜角。

导电图案22可以是有机发光显示装置的像素电极或与其上设置有像素电极的层基本设置在同一层上的布线。有机发射层可以设置在导电图案22的中心区域22a上。有机绝缘层23可以使导电图案22的侧表面与可由不同的工艺形成的导电材料层绝缘。

通常，为了形成设置在基底21上的导电图案22，其中，导电图案22包括暴露的中心区域22a以及覆盖有有机绝缘层23的侧表面和在中心区域22a周围的边缘区域22b，会需要用于使基底21上的导电图案22图案化的第一掩模以及用于使覆盖导电图案22的边缘区域22b和侧表面的有机绝缘层23图案化的第二掩模。可以使用单个半色调掩模形成有机绝缘图案，可以使用有机绝缘图案作为硬掩模来使导电图案22图案化，并且可以去除有机绝缘图案的一部分以暴露中心区域22a，从而形成包括导电图案22以及暴露导电图案22的中心区域22a并覆盖导电图案22的边缘区域22b的有机绝缘层23的结构。在这种方法中，虽然可以仅需要一个半色调掩模，但是会暴露导电图案22的侧表面。尽管可以对有机绝缘层23回流以覆盖导电图案22的侧表面，但是因为在有机绝缘材料的回流期间会发生体积收缩，所以会暴露导电图案22的侧表面的一部分。

根据本发明的实施例，可以提供如下方法：通过使用单个半色调掩模来在基底21上形成导电图案22以及暴露导电图案22的中心区域22a并覆盖导电图案22的边缘区域22b和侧表面的有机绝缘层23。

参照图2a，可以在基底21上顺序地形成导电材料层22'和光敏有机材料层23”'。

导电材料层22'可以包括从由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)组成的组中选择的至少一种透明导电氧化物。导电材料层22'还可以包括诸如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)或铬(cr)的金属。导电材料层22'可以包括单层或者可以包括多层。

光敏有机材料层23"'可以包括绝缘的光敏有机材料。光敏有机材料可以包括通过对光敏有机材料施加例如热量或红外射线而能够使光敏有机材料回流的溶剂。光敏有机材料可以包括例如烯烃类有机材料、丙烯酰基类有机材料或酰亚胺类有机材料。例如，光敏有机材料可以包括聚酰亚胺(pi)。光敏有机材料可以是暴露到光的部分可被去除的正光敏材料。可选择地，光敏有机材料可以是未暴露到光的部分可被去除的负光敏材料。

可以将光照射到光敏有机材料层23”'，并且可以根据预期的图案使用半色调掩模24来阻挡和透射光。半色调掩模24可以包括第一掩模区域ma、第二掩模区域mb、第三掩模区域md和第四掩模区域mc。第一掩模区域ma可以与图2e的导电图案22的中心区域22a对应。第二掩模区域mb可以具有围绕第一掩模区域ma并且与导电图案22的边缘对应的外边界。第三掩模区域md可以与基底21的可从其上去除导电材料层22'的区域(例如，基底21的其上可不设置导电图案22的区域)对应。第四掩模区域mc可以设置在第二掩模区域mb与第三掩模区域md之间并且可以具有预定宽度w。

第四掩模区域mc可以沿第二掩模区域mb的外边界设置以围绕第二掩模区域mb。因此，第二掩模区域mb的外边界可以限定为第二掩模区域mb与第四掩模区域mc之间的边界。

根据本发明的实施例，当光敏有机材料层23”'包括正光敏材料时，第一掩模区域ma可以透射部分光，第二掩模区域mb可以阻挡光，第三掩模区域md可以透射光，第四掩模区域mc可以透射部分光。因此，第一掩模区域ma的透光率可以比第四掩模区域mc的透光率高。

根据本发明的实施例，当光敏有机材料层23”'包括负光敏材料时，第一掩模区域ma可以透射部分光，第二掩模区域mb可以基本透射所有光，第三掩模区域md可以基本阻挡所有光，第四掩模区域mc可以透射部分光。因此，第四掩模区域mc的透光率可以比第一掩模区域ma的透光率高。

参照图2a和图2b，可以去除光敏有机材料层23”'的通过半色调掩模24照射有光的一部分。光敏有机材料层23”'可以在去除之前经历显影工艺。可以部分地去除光敏有机材料层23”'的与第一掩模区域ma和第四掩模区域mc对应的部分，并且可以基本完全地去除光敏有机材料层23”'的与第三掩模区域md对应的部分。

当去除光敏有机材料层23”'的一部分时，可以相应地形成包括第一区域23a"、第二区域23b"和第三区域23c"的第一图案23"。

具有第一厚度ha的第一区域23a”可以对应于第一掩模区域ma。具有第二厚度hb的第二区域23b”可以对应于第二掩模区域mb。具有第三厚度hc的第三区域23c”可以对应于第四掩模区域mc。因为可以部分地去除光敏有机材料层23”'的与第一掩模区域ma和第四掩模区域mc对应的部分，而可以基本不去除光敏有机材料层23”'的与第二掩模区域mb对应的部分，所以第二区域23b”的第二厚度hb可以比第一厚度ha大，并且第二区域23b”的第二厚度hb可以比第三厚度hc大。因此，第三区域23c”的第三厚度hc可以比第二厚度hb小。

当光敏有机材料层23”'包括正光敏材料时，第一掩模区域ma的透光率可以比第四掩模区域mc的透光率高。当光敏有机材料层23”'包括负光敏材料时，第四掩模区域mc的透光率可以比第一掩模区域ma的透光率高。因此，与光敏有机材料层23”'的与第四掩模区域mc对应的部分相比，可以以更大程度去除光敏有机材料层23”'的与第一掩模区域ma对应的部分。因此，与光敏有机材料层23”'的与第一掩模区域ma对应的部分相比，可以保留更多的光敏有机材料层23”'的与第四掩模区域mc对应的部分，第三区域23c”的第三厚度hc可以比第一区域23a”的第一厚度ha大。如此，第一区域23a”的平均厚度可以比第三区域23c”的平均厚度小。

参照图2c，可以通过使用第一图案23"作为硬掩模通过湿蚀刻图2b的导电材料层22'来形成导电图案22。导电图案22可以设置在第一图案23"的下方，并且导电图案22的侧表面可以被暴露。

可以使用第一图案23"作为硬掩模来蚀刻图2b的导电材料层22'。因此，可以暴露第一图案23"的第三区域23c"的一部分的下表面。第三区域23c"的具有暴露的下表面的这一部分可以位于空隙上。例如，导电图案22的边缘可以从第一图案23"的边缘缩进距离d。距离d可以是大约0.7μm或更大。例如，距离d可以是大约2μm或更小。

参照图2c和图2d，可以去除第一图案23”的一部分，使得可以暴露导电图案22的图2e的中心区域22a。例如，可以在第一图案23”上执行灰化，因此第一图案23”的厚度可以减小。例如，通过灰化，可以完全地去除第一图案23”的第一区域23a”，因此可以暴露覆盖有第一区域23a”的导电图案22的图2e的中心区域22a的上表面。当去除第一图案23”的第一区域23a”时，虽然也可以去除第一图案23”的第二区域23b”和第三区域23c”，但是因为第二区域23b”和第三区域23c”可以比第一区域23a”厚，所以可以不完全地去除第二区域23b”和第三区域23c”。

因此，可以形成暴露导电图案22的图2e的中心区域22a的上表面的第二图案23'。第二图案23'的第一部分23b'可以与第一图案23”的第二区域23b”通过例如灰化被部分地去除之后保留的部分对应。第二图案23'的第二部分23c'可以与第一图案23”的第三区域23c”通过例如灰化被部分地去除之后保留的部分对应。第二图案23'可以覆盖导电图案22的图2e的边缘区域22b，并且导电图案22的侧表面可以被暴露。

参照图2d和图2e，可以通过对第二图案23'回流来形成覆盖导电图案22的侧表面或端部22c的有机绝缘层23。有机绝缘层23可以暴露导电图案22的中心区域22a并且可以覆盖导电图案22的边缘区域22b和侧表面。

可以通过例如通过施加热量或红外射线对第二图案23'热回流。为了执行回流工艺，可以将包括第二图案23'的基底21设置在热板上。因为热板从基底21向上传递热量，所以第二图案23'的第二部分23c'的一部分可以沿导电图案22的侧表面流动。也可以通过在炉内加热包括第二图案23'的基底21或者用红外射线照射包括第二图案23'的基底21来执行回流工艺。

当导电图案22的端部22c被暴露时，在导电图案22与由不同的工艺形成的导电材料层之间会发生短路。根据本发明的实施例，可以通过对第二图案23'回流来形成覆盖导电图案22的侧表面或端部22c的有机绝缘层23。因此，根据本发明的实施例，可以使用单个半色调掩模形成导电图案22以及覆盖导电图案22的边缘区域22b和侧表面的有机绝缘层23。因此，可以减少制造成本并且可以简化制造工艺，这可以引起加工时间的减少。

可以通过包括具有溶剂的光敏有机材料的光敏有机材料层23”'来形成第二图案23'。当对第二图案23'加热以经历回流工艺时，可以去除光敏有机材料中的溶剂，并且基本同时第二图案23'的体积会收缩。第二图案23'的第一部分23b'可以是相对厚的并且在体积收缩期间可以接收强的收缩力。如果第二图案23'基本仅包括厚的第一部分23b'而没有薄的第二部分23c'，则第二图案23'会由于强的收缩力而向内移动并且会由于回流的第二图案23'的表面张力而不覆盖导电图案22的侧表面。当基本仅包括厚的第一部分23b'的第二图案23'由于回流而被熔融时，熔融的第二图案23'会破裂并且基本同时会在导电图案22的侧表面上产生空隙。

根据本发明的实施例，第二图案23'不仅可以包括厚的第一部分23b'而且可以包括在厚的第一部分23b'周围的薄的第二部分23c'。与第二图案23'的厚的第一部分23b'相比，第二图案23'的薄的第二部分23c'可以接收弱的收缩力。此外，因为第二部分23c'可以是相对薄的，所以第二部分23c'可以由于回流而先于厚的第一部分23b'熔融。因为第二图案23'的薄的第二部分23c'下方的空间可以是空的，所以当回流工艺开始时，薄的第二部分23c'可以首先熔融，因此薄的第二部分23c'的一部分可以沿导电图案22的侧表面流动或者可以由于重力而覆盖导电图案22的侧表面。因此，根据本发明的实施例，导电图案22的侧表面可以由于第二图案23'的薄的第二部分23c'而被完全地覆盖。因此，可以防止由不同的工艺形成的导电材料层与导电图案22的侧表面或端部22c之间的短路。

图3是根据本发明的实施例的有机发光显示器的剖视图。

参照图3，有机发光显示装置100可以包括基底110。薄膜晶体管tft可以设置在基底110上。通孔绝缘层119可以覆盖薄膜晶体管tft。有机发光显示装置100还可以包括设置在通孔绝缘层119上并且电连接到薄膜晶体管tft的像素电极131。像素电极131可以包括其上可设置有有机发射层132的中心区域和在中心区域周围的边缘区域。有机发光显示装置100还可以包括暴露像素电极131的中心区域并且覆盖像素电极131的边缘区域的像素限定层140。有机发射层132可以设置在像素电极131的中心区域上。对电极133可以设置在有机发射层132和像素限定层140上。像素限定层140可以包括可暴露像素电极131的中心区域的开口140h，并且也可以包括朝着像素电极131的中心区域倾斜的第一倾斜部分140a和沿与第一倾斜部分140a不同的方向倾斜的第二倾斜部分140b。像素电极131的端部131a可以位于通孔绝缘层119与第二倾斜部分140b之间。

基底110可以包括诸如玻璃、塑料和金属的各种材料中的任何一种。根据本发明的实施例，基底110可以是柔性的。柔性的基底110可以被称为可容易地弯曲、折叠或卷曲的基底。柔性的基底110可以由超薄玻璃、金属或塑料形成。例如，当基底110由塑料形成时，基底110可以包括聚酰亚胺(pi)，但是发明构思的实施例不限于此。多个像素可以布置在基底110上，用于实现图像的有机发光器件oled可以设置在每个像素上。

缓冲层111可以设置在基底110上。缓冲层111可以防止杂质元素的渗透并且可以使基底110的表面平坦化。阻挡层(未示出)可以置于基底110与缓冲层111之间。

薄膜晶体管tft可以设置在缓冲层111上。薄膜晶体管tft可以用作用于驱动有机发光器件oled的驱动电路单元的一部分。除了薄膜晶体管tft之外，驱动电路单元还可以包括电容器和布线等。

薄膜晶体管tft可以包括设置在缓冲层111上的有源层121、至少一部分与有源层121叠置的栅电极122、电连接到有源层121的源区的源电极123和电连接到有源层121的漏区的漏电极124。漏电极124可以电连接到像素电极131。栅极绝缘层113可以置于有源层121与栅电极122之间，层间绝缘层115可以置于栅电极122与源电极123和漏电极124之间。

有源层121可以包括例如非晶硅(α-si)或多晶硅(poly-si)的半导体材料。然而，发明构思的实施例不限于此。根据本发明的实施例，有源层121可以包括有机半导体材料或氧化物半导体材料。

栅电极122可以电连接到可向薄膜晶体管tft施加on/off信号的栅极线，栅电极122可以由低电阻金属材料形成。例如，栅电极122可以是由包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的导电材料形成的单层或多层。

源电极123和漏电极124可以均包括由导电材料形成的单层或多层。

根据本发明的实施例，薄膜晶体管tft可以是栅电极122可设置在有源层121上的顶栅型的薄膜晶体管，但发明构思的实施例不限于此。根据本发明的实施例，薄膜晶体管tft可以是栅电极122可设置在有源层121下方的底栅型的薄膜晶体管。

栅极绝缘层113和层间绝缘层115可以是由无机材料形成的单层或多层。例如，栅极绝缘层113和层间绝缘层115可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和/或氧化锆(zro2)。

为了缓和由薄膜晶体管tft引起的台阶差，通孔绝缘层119可以覆盖薄膜晶体管tft并且可以具有平坦化的上表面。通孔绝缘层119可以包括由有机材料形成的单层或者可以包括由有机材料形成的多层。然而，发明构思的实施例不限于此。根据本发明的实施例，通孔绝缘层119可以包括无机绝缘层或者可以包括无机绝缘层和有机绝缘层的堆叠体。

通过通孔绝缘层119中形成的通孔via电连接到薄膜晶体管tft的像素电极131可以设置在通孔绝缘层119上。根据本发明的实施例，像素电极131可以电连接到薄膜晶体管tft的漏电极124。然而，发明构思的实施例不限于此。

像素电极131可以由具有高逸出功的材料形成。在沿基底110的方向显示图像的底发射型显示器中，像素电极131可以包括从由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)组成的组中选择的至少一种透明导电氧化物。

根据本发明的实施例，在沿对电极133的方向显示图像的顶发射型显示器中，像素电极131可以包括从由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)组成的组中选择的至少一种透明导电氧化物，并且还可以包括从由银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)和铬(cr)组成的组中选择的至少一种金属反射层。

像素限定层140可以包括覆盖像素电极131的边缘区域并且暴露像素电极131的中心区域的开口140h。像素限定层140还可以包括朝着像素电极131的中心区域倾斜的第一倾斜部分140a和沿与第一倾斜部分140a的方向不同的方向倾斜的第二倾斜部分140b。第一倾斜部分140a可以从像素电极131的上表面与开口140h接触的区域p1延伸。第二倾斜部分140b可以沿与第一倾斜部分140a的倾斜方向不同的倾斜方向从第一倾斜部分140a朝着通孔绝缘层119的上表面上的区域p2延伸。第一倾斜部分140a与第二倾斜部分140b之间的边界可以限定为在竖直剖面上具有最大高度的区域。例如，第一倾斜部分140a与第二倾斜部分140b之间的边界可以限定为具有与基底110平行的上表面的区域。

第一倾斜部分140a的上表面可以从像素电极131的上表面可与开口140h接触的区域p1沿远离基底110的方向延伸。例如，第一倾斜部分140a可以具有高度从区域p1至第一倾斜部分140a与第二倾斜部分140b之间的边界增大的剖面。第二倾斜部分140b的上表面可以沿朝着基底110的方向从第一倾斜部分140a延伸至通孔绝缘层119上的区域p2。例如，第二倾斜部分140b可以具有高度从第一倾斜部分140a与第二倾斜部分140b之间的边界至区域p2减小的剖面。如在这里使用的，远离基底110的方向和朝着基底110的方向不仅仅指恰好垂直于基底110的上表面的方向，并且也可以包括近似地垂直于基底110的上表面的方向(包括相对于基底110的上表面以预定角度倾斜的方向)。

像素限定层140可以暴露像素电极131的中心区域的上表面并且可以覆盖像素电极131的除其中心区域之外的边缘区域。像素限定层140可以包括例如聚酰亚胺(pi)的光敏有机材料。

像素限定层140的下表面的一部分可以直接接触像素电极131的上表面，像素限定层140的其余部分可以直接接触通孔绝缘层119的上表面。像素限定层140的下表面的直接接触像素电极131的上表面的部分可以具有比直接接触通孔绝缘层119的上表面的其余部分大的面积。

像素电极131的边缘区域可以置于像素限定层140的第一倾斜部分140a与通孔绝缘层119之间。像素电极131的边缘区域也可以置于像素限定层140的第二倾斜部分140b的至少一部分与通孔绝缘层119之间。例如，像素电极131的端部131a可以位于通孔绝缘层119与第二倾斜部分140b之间。从像素电极131的上表面上的区域p1至像素电极131的覆盖有像素限定层140的端部131a的距离d1可以比从通孔绝缘层119的上表面上的区域p2至像素电极131的端部131a的距离d2大。

根据本发明的实施例，像素电极131的上表面与第一倾斜部分140a的上表面之间的第一角θ1可以比通孔绝缘层119的上表面与第二倾斜部分140b的上表面之间的第二角θ2大。例如，第一角θ1可以小于大约55°并且第二角θ2可以小于大约35°。第一角θ1与第二角θ2之间的差可以是大约5°或更大。

第一倾斜部分140a的上表面相对于像素电极131的上表面的倾斜角度可以根据第一倾斜部分140a的位置而改变。第二倾斜部分140b的上表面相对于通孔绝缘层119的上表面的倾斜角度可以根据第二倾斜部分140b的位置而改变。第一角θ1可以表示第一倾斜部分140a的上表面在像素电极131的上表面上的区域p1处的倾斜角度，第二角θ2可以表示第二倾斜部分140b的上表面在通孔绝缘层119的上表面上的区域p2处的倾斜角度。

有机发射层132可以设置在像素电极131的中心区域上。像素电极131的设置在有机发射层132的下表面上的中心区域可以被称为发光区域。像素电极131的中心区域或发光区域可以限定为像素电极131的未被像素限定层140覆盖的区域。

有机发射层132可以包括低分子有机材料或高分子有机材料。除了有机发射层132之外，还可以在像素电极131与对电极133之间设置空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)中的至少一个。根据本发明的实施例，还可以在像素电极131与对电极133之间设置除了上述层之外的各种功能层。

有机发射层132可以基本设置在每个有机发光器件oled中，有机发光器件oled可以根据有机发光器件oled中包括的有机发射层132的类型而发射红色、绿色或蓝色的光。然而，发明构思的实施例不限于此，多个有机发射层132可以设置在单个有机发光器件oled上。例如，分别发射红色、绿色和蓝色中的至少两种原色的光的有机发射层132可以被竖直堆叠或混合以发射白色光。有机发光显示装置100还可以包括可将白光转换为预定颜色的光的颜色转换层或滤色器。红原色、绿原色和蓝原色是示例性的，因此用于发射白光的颜色组合不限于此。

对电极133可以设置在有机发射层132上并且可以由各种导电材料形成。例如，对电极133可以包括包含锂(li)、钙(ca)、氟化锂(lif)、铝(al)、镁(mg)和银(ag)中的至少一种的单层或者可以包括包含锂(li)、钙(ca)、氟化锂(lif)、铝(al)、镁(mg)和银(ag)中的至少一种的多层。在底发射型显示器中，对电极133可以是反射电极。在顶发射型显示器中，对电极133可以是透明电极或半透明电极。

根据本发明的实施例，包括至少一个有机层151和至少一个无机层152的薄膜包封层150可以设置在对电极133上并且可以包封有机发光器件oled。薄膜包封层150可以包封有机发光器件oled并且可以防止有机发光器件oled暴露到外部空气或异物。因为薄膜包封层150可以是相对薄的，所以薄膜包封层150可以用作柔性显示器的包封手段，柔性显示器可以是可弯曲的或可折叠的。

根据本发明的实施例，无机层152可以包括氧化物、氮化物或氮氧化物，诸如氮化硅(sinx)、氧化硅(sio2)或氮氧化硅(sioxny)。无机层152可以阻挡或减少诸如湿气或氧的异物渗透到有机发光器件oled。无机层152可以直接接触基底110的边缘区域的上表面。无机层152的边缘区域可以接触基底110的上表面，可以减少或防止无机层152与层间绝缘层115的分离，这可以引起薄膜包封层150更有效。

薄膜包封层150的有机层151可以设置在对电极133与无机层152之间并且可以阻挡或减少诸如湿气或氧的异物渗透到有机发光器件oled中。有机层151可以与无机层152一起用于增大免受异物影响的保护程度并且可以使不平滑的表面平坦化。根据本发明的实施例，有机层151可以包括诸如环氧类树脂、丙烯酰基类树脂或聚酰亚胺类树脂的各种有机材料中的任何一种。

根据本发明的实施例，还可以在对电极133与薄膜包封层150之间设置功能层(未示出)和保护层。功能层可以包括用于通过控制从有机发光器件oled发射的可见光的折射率来增大发光效率的盖层和/或lif层。保护层可以包括诸如氧化铝(al2o3)的无机材料。

图4a至图4g是示出根据本发明的实施例的制造图3的有机发光显示器的方法的剖视图，其中，图4c中示意性示出了半色调掩模m沿图5a中的线b-b截取的剖视图。

参照图4a，可以在基底110上形成薄膜晶体管tft。

可以在基底110上形成缓冲层111。可以在缓冲层111上形成半导体材料层，然后可以将半导体材料层图案化，从而形成有源层121。可以在有源层121上形成栅极绝缘层113。可以在栅极绝缘层113上形成导电材料层并且将其图案化，从而形成栅电极122。栅电极122的至少一部分可以与有源层121叠置。

可以形成层间绝缘层115以覆盖栅电极122。可以基本同时蚀刻层间绝缘层115和栅极绝缘层113，从而形成经由其暴露有源层121的一些区域的第一接触孔c1和第二接触孔c2。根据本发明的实施例，有源层121可以包括多晶硅(poly-si)，有源层121的被第一接触孔c1和第二接触孔c2暴露的区域可以分别是有源层121的源区和漏区。

可以在层间绝缘层115上形成导电材料层并且将其图案化，从而形成可分别电连接到有源层121的源区和漏区的源电极123和漏电极124。

参照图4b，第一绝缘材料层可以覆盖薄膜晶体管tft。可以在基底110上形成第一绝缘材料层并且将其图案化，从而形成通孔绝缘层119。通孔绝缘层可以包括通过其可暴露薄膜晶体管tft的漏电极124的一部分的通孔via。通孔绝缘层119可以包括由有机材料形成的单层或者可以是由有机材料形成的多层。

参照图4c，可以在通孔绝缘层119上顺序地形成导电材料层131'和第二绝缘材料层140”'。导电材料层131'可以包括从由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)组成的组中选择的至少一种透明导电氧化物。导电材料层131'还可以包括诸如银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)或铬(cr)的金属反射层。

第二绝缘材料层140”'可以包括绝缘的光敏有机材料并且可以被称为光敏有机材料层。光敏有机材料可以是暴露到光的部分可被去除的正光敏材料。可选择地，光敏有机材料可以是未暴露到光的部分可被去除的负光敏材料。光敏有机材料可以包括通过例如对光敏有机材料施加热量或红外射线而能够使光敏有机材料回流的溶剂。光敏有机材料可以包括例如烯烃类有机材料、丙烯酰基类有机材料或酰亚胺类有机材料。例如，光敏有机材料可以包括聚酰亚胺(pi)。

可以将光照射到第二绝缘材料层140”'，并且可以根据期望的图案使用半色调掩模m来阻挡和透射光。半色调掩模m可以包括第一掩模区域ma、第二掩模区域mb、第三掩模区域md和第四掩模区域mc。第一掩模区域ma可以与图3的像素电极131的发光区域对应。第二掩模区域mb可以具有围绕第一掩模区域ma并且与像素电极131的边缘对应的外边界。第三掩模区域md可以与图3的通孔绝缘层119的可从其上去除导电材料层131'的区域(例如，通孔绝缘层119的其上可以不设置像素电极131的区域)对应。第四掩模区域mc可以设置在第二掩模区域mb与第三掩模区域md之间并且可以具有预定宽度w。

可以沿第二掩模区域mb的外边界设置第四掩模区域mc以围绕第二掩模区域mb。可以将第二掩模区域mb的外边界限定为第二掩模区域mb与第四掩模区域mc之间的边界。

根据本发明的实施例，当第二绝缘材料层140”'包括正光敏材料时，第一掩模区域ma可以透射部分光，第二掩模区域mb可以基本阻挡所有光，第三掩模区域md可以基本透射所有光，第四掩模区域mc可以透射部分光。因此，第一掩模区域ma的透光率可以比第四掩模区域mc的透光率高。

根据本发明的实施例，当第二绝缘材料层140”'包括负光敏材料时，第一掩模区域ma可以透射部分光，第二掩模区域mb可以基本透射所有光，第三掩模区域md可以基本阻挡所有光，第四掩模区域mc可以透射部分光。因此，第四掩模区域mc的透光率可以比第一掩模区域ma的透光率高。

参照图4c和图4d，可以去除第二绝缘材料层140”'的通过半色调掩模m照射有光的一部分。第二绝缘材料层140”'可以在去除之前经历显影工艺。可以部分地去除第二绝缘材料层140”'的分别与第一掩模区域ma和第四掩模区域mc对应的部分，并且可以基本完全地去除第二绝缘材料层140”'的与第三掩模区域md对应的部分。

当去除第二绝缘材料层140”'的一部分时，可以形成包括第一区域140a"、第二区域140b"和第三区域140c"的第一绝缘图案140"。可以将第一绝缘图案140”称为第一图案。

第二区域140b”可以对应于第二掩模区域mb，并且因为可以基本不去除与第二掩模区域mb对应的部分，所以第二绝缘材料层140”'的与第二掩模区域mb对应的部分可以是相对厚的。第一区域140a”可以对应于第一掩模区域ma，并且因为可以部分地去除与第一掩模区域ma对应的部分，所以第二绝缘材料层140”'的与第一掩模区域ma对应的部分可以比第二区域140b”薄。第三区域140c”可以对应于第四掩模区域mc，并且因为可以部分地去除与第四掩模区域对应的部分，所以第二绝缘材料层140”'的与第四掩模区域mc对应的部分可以比第二区域140b”薄。

当第二绝缘材料层140”'包括正光敏材料时，第一掩模区域ma的透光率可以比第四掩模区域mc的透光率高。当第二绝缘材料层140”'包括负光敏材料时，第四掩模区域mc的透光率可以比第一掩模区域ma的透光率高。因此，与第二绝缘材料层140”'的与第四掩模区域mc对应的部分相比，可以去除更多的第二绝缘材料层140”'的与第一掩模区域ma对应的部分。因此，与第二绝缘材料层140”'的与第一掩模区域ma对应的部分相比，可以保留更多的第二绝缘材料层140”'的与第四掩模区域mc对应的部分，第三区域140c"可以比第一区域140a"厚。如此，第一区域140a”的平均厚度可以比第三区域140c”的平均厚度小。

可以通过使用第一绝缘图案140"作为硬掩模通过湿蚀刻导电材料层131'来形成像素电极131。像素电极131可以设置在第一绝缘图案140"的下方，并且像素电极131的侧表面可以被暴露。

可以使用第一绝缘图案140"作为硬掩模来蚀刻导电材料层131'。因此，可以暴露第一绝缘图案140"的第三区域140c"的一部分的下表面。第三区域140c"的具有暴露的下表面的这一部分可以位于空隙上。例如，像素电极131的边缘可以从第一绝缘图案140"的边缘缩进距离d。距离d可以是大约0.7μm或更大。距离d可以是大约2μm或更小。

参照图4d和图4e，可以去除第一绝缘图案140”的一部分，使得暴露像素电极131的发光区域的上表面。例如，第一绝缘图案140”可以经历灰化工艺，因此第一绝缘图案140”的厚度可以减小。例如，通过灰化工艺，可以完全地去除第一绝缘图案140”的第一区域140a”，因此可以暴露像素电极131的覆盖有第一区域140a”的发光区域的上表面。当去除第一绝缘图案140”的第一区域140a”时，也可以去除第一绝缘图案140”的第二区域140b”和第三区域140c”。然而，因为第二区域140b”和第三区域140c”可以比第一区域140a”厚，所以可以不完全地去除第二区域140b”和第三区域140c”。

因此，可以将第二绝缘图案140'形成为暴露像素电极131的发光区域的上表面。可以将第二绝缘图案140'称为第二图案。第二绝缘图案140'的第一部分140b'可以与在部分地去除第一绝缘图案140”的第二区域140b"之后可保留的部分对应。第二绝缘图案140'的第二部分140c'可以与在部分地去除第一绝缘图案140”的第三区域140c"之后可保留的部分对应。第二绝缘图案140'可以覆盖像素电极131的边缘区域并且可以暴露像素电极131的侧表面。

参照图4e和图4f，可以通过对第二绝缘图案140'回流来形成覆盖像素电极131的侧表面或端部131a的像素限定层140。像素限定层140可以暴露像素电极131的发光区域并且可以覆盖像素电极131的边缘区域和侧表面。

可以通过施加例如热量或红外射线来对第二绝缘图案140'热回流。为了执行回流工艺，可以将包括第二绝缘图案140'的基底110设置在热板上。因为热板从基底110向上传递热量，所以第二绝缘图案140'的第二部分140c'可以沿像素电极131的侧表面流动。也可以通过在炉内加热包括第二绝缘图案140'的基底110或者用红外射线照射包括第二绝缘图案140'的基底110来执行回流工艺。

当像素电极131的端部131a被暴露时，像素电极131与图4g的由不同的工艺形成的对电极133之间会发生短路。根据本发明的实施例，可以通过对第二绝缘图案140'回流来形成覆盖像素电极131的端部131a的像素限定层140。因此，根据制造根据本发明的实施例的有机发光显示装置100的方法，可以使用单个掩模形成像素电极131以及覆盖像素电极131的边缘区域和侧表面的像素限定层140。因此，可以减少制造成本并且可以简化制造工艺，这可以引起加工时间的减少。

参照图4g，可以在像素电极131的发光区域上形成有机发光层132。发光区域可以是像素电极131的未覆盖有像素限定层140的区域。

可以在有机发光层132和像素限定层140上形成对电极133。也可以在通孔绝缘层119的暴露的区域(其可以是通孔绝缘层119的未覆盖有像素电极131和像素限定层140的区域)上形成对电极133。可以在对电极133上形成图3的包括至少一个有机层151和至少一个无机层152的薄膜包封层150。

图5a是示出根据本发明的实施例的可以用于制造有机发光显示器的半色调掩模的平面图。图5b是示出根据本发明的实施例的像素电极的放大剖视图。

参照图5a，示出了用于形成图3的像素电极131和图3的像素限定层140的半色调掩模m。像素电极131可以通过形成在图3的通孔绝缘层119中的通孔via电连接到薄膜晶体管tft。

半色调掩模m可以包括第一掩模区域ma、第二掩模区域mb、第三掩模区域md和第四掩模区域mc。第一掩模区域ma可以与像素电极131的发光区域对应。第二掩模区域mb可以具有围绕第一掩模区域ma并且与像素电极131的边缘对应的外边界。第三掩模区域md可以与图3的通孔绝缘层119的可从其上去除导电材料层131'的区域(例如，通孔绝缘层119的其上未设置有像素电极131的区域)对应。第四掩模区域mc可以沿第二掩模区域mb的外边界设置在第二掩模区域mb与第三掩模区域md之间，以围绕第二掩模区域mb。

像素电极131的边缘可以与第四掩模区域mc叠置。因为像素电极131可以通过蚀刻形成，所以像素电极131的边缘可以从第四掩模区域mc的外边界缩进特定距离。

参照图5b，位于像素电极131上的第二绝缘图案140'和像素限定层140可以彼此叠置。

在通过使用半色调掩模m将光照射到图4c的第二绝缘材料层140”'之后，可以去除图4c的第二绝缘材料层140”'的一部分，因此可以形成图4d的第一绝缘图案140"。当图4d的第一绝缘图案140”经历灰化时，可以形成第二绝缘图案140'。当对第二绝缘图案140'回流时，可以形成像素限定层140。

第二绝缘图案140'可以通过包括具有溶剂的光敏有机材料的第二绝缘材料层140”'来形成。当通过对第二绝缘图案140'施加热量或红外射线使其回流时，可以去除光敏有机材料内的溶剂并且基本同时第二绝缘图案140'的体积会收缩。参照图5b，第二绝缘图案140'可以具有环形形状，并且在体积收缩期间第二绝缘图案140'的内径可以减小。

在体积收缩期间，第二绝缘图案140'的厚的部分可以接收强的收缩力。如果第二绝缘图案140'基本仅包括厚的部分而不具有薄的部分，则第二绝缘图案140'会由于强的收缩力而向内移动并且会由于回流的第二绝缘图案140'的表面张力而不覆盖像素电极131的侧表面。当基本仅包括厚的部分的第二绝缘图案140'由于回流而被熔融时，熔融的第二绝缘图案140'会破裂，并且基本同时会在像素电极131的侧表面上产生空隙。

根据本发明的实施例，如图5b中所示，第二绝缘图案140'可以包括厚的部分和位于厚的部分的外侧的薄的部分。第二绝缘图案140'的薄的部分可以比其厚的部分接收弱的收缩力。此外，因为第二绝缘图案140'的薄的部分可以是相对薄的，所以薄的部分可以由于回流而先于厚的部分熔融。因为与第二绝缘图案140'的薄的部分相邻的空间可以是空的，所以当回流工艺开始时，第二绝缘图案140'的薄的部分可以沿像素电极131的侧表面流动或者可以由于重力而覆盖像素电极131的侧表面。因此，根据本发明的实施例，像素电极131的侧表面可以由于第二绝缘图案140'的薄的部分而被完全地覆盖。因此，可以防止图3的通过不同的工艺形成的对电极133与像素电极131的侧表面或端部131a之间的短路。

尽管参照附图已经描述了本发明的一个或更多个实施例，但对于本领域的普通技术人员而言将理解的是，在不脱离立即公开的精神和范围的情况下，可以在此做出形式上和细节上的各种改变。