1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括显示区(10)与设于所述显示区(10)外围的驱动电路区(20)，所述显示区(10)中设有显示区TFT，所述驱动电路区(20)中设有驱动电路区TFT；
其中，所述显示区TFT的有源层与所述驱动电路区TFT的有源层的材料均为低温多晶硅；所述显示区TFT的沟道的电流传导方向垂直于所述驱动电路区TFT的沟道的电流传导方向。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述显示区TFT包括上下层叠设置且被一绝缘层间隔开的第一有源层(30)与第一栅极(40)，所述第一有源层(30)呈U字型，包括相互平行的第一竖直部(31)与第二竖直部(32)、以及分别连接所述第一竖直部(31)与第二竖直部(32)相对应末端的一横向连接部(33)，所述第一栅极(40)分别与所述第一竖直部(31)和第二竖直部(32)垂直相交叉，所述第一竖直部(31)上与所述第一栅极(40)交叉重叠的区域形成第一沟道(312)，所述第二竖直部(32)上与所述第一栅极(40)交叉重叠的区域形成第二沟道(322)；
所述第一竖直部(31)上远离所述横向连接部(33)的一端设有第一源极接触区(314)，所述第二竖直部(32)上远离所述横向连接部(33)的一端设有第一漏极接触区(324)；
所述显示区TFT工作时，所述第一有源层(30)中的电流在所述第一源极接触区(314)与第一漏极接触区(324)之间流动，即沿U型通道流动，因此，所述第一沟道(312)与第二沟道(322)中的电流传导方向均平行于所述第一竖直部(31)与第二竖直部(32)的延伸方向；
所述驱动电路区TFT包括上下层叠设置且被一绝缘层间隔开的第二有源层(50)与第二栅极(60)，所述第二有源层(50)呈直条状，所述第二栅极(60)与所述第二有源层(50)垂直相交叉，所述第二有源层(50)上与所述第二栅极(60)交叉重叠的区域形成第三沟道(55)；
所述第二有源层(50)的两端分别设有第二源极接触区(51)与第二漏极接触区(52)；
所述驱动电路区TFT工作时，所述第二有源层(50)中的电流在所述第二源极接触区(51)与第二漏极接触区(52)之间流动，即沿所述第二有源层(50)的延伸方向流动，因此，所述第三沟道(55)中的电流传导方向平行于所述第二有源层(50)的延伸方向；
所述薄膜晶体管阵列基板中，所述第一有源层(30)的第一竖直部(31)与第二竖直部(32)的延伸方向垂直于所述第二有源层(50)的延伸方向，从而所述第一有源层(30)的第一沟道(312)和第二沟道(322)中的电流传导方向垂直于所述第二有源层(50)的第三沟道(55)中的电流传导方向。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，应用于LCD显示面板或AMOLED显示面板中。
4.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述薄膜晶体管阵列基板包括显示区(10)与设于所述显示区(10)外围的驱动电路区(20)，所述显示区(10)中设有显示区TFT，所述驱动电路区(20)中设有驱动电路区TFT，其中，所述显示区TFT的沟道的电流传导方向垂直于所述驱动电路区TFT的沟道的电流传导方向，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括：
沉积一非晶硅层；
采用准分子激光退火方法对所述非晶硅层进行晶化处理，使所述非晶硅层转化为低温多晶硅层；
采用准分子激光退火方法对所述非晶硅层进行晶化处理时，激光扫描方向垂直于所述显示区TFT的沟道的电流传导方向，并且平行于所述驱动电路区TFT的沟道的电流传导方向；
采用光刻技术对所述低温多晶硅层进行图形化处理，同时形成所述显示区TFT的有源层与所述驱动电路区TFT的有源层。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述显示区TFT包括上下层叠设置且被一绝缘层间隔开的第一有源层(30)与第一栅极(40)，所述第一有源层(30)呈U字型，包括相互平行的第一竖直部(31)与第二竖直部(32)、以及分别连接所述第一竖直部(31)与第二竖直部(32)相对应末端的一横向连接部(33)，所述第一栅极(40)分别与所述第一竖直部(31)和第二竖直部(32)垂直相交叉，所述第一竖直部(31)上与所述第一栅极(40)交叉重叠的区域形成第一沟道(312)，所述第二竖直部(32)上与所述第一栅极(40)交叉重叠的区域形成第二沟道(322)；
所述第一竖直部(31)上远离所述横向连接部(33)的一端设有第一源极接触区(314)，所述第二竖直部(32)上远离所述横向连接部(33)的一端设有第一漏极接触区(324)；
所述显示区TFT工作时，所述第一有源层(30)中的电流在所述第一源极接触区(314)与第一漏极接触区(324)之间流动，即沿U型通道流动，因此，所述第一沟道(312)与第二沟道(322)中的电流传导方向均平行于所述第一竖直部(31)与第二竖直部(32)的延伸方向。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述驱动电路区TFT包括上下层叠设置且被一绝缘层间隔开的第二有源层(50)与第二栅极(60)，所述第二有源层(50)呈直条状，所述第二栅极(60)与所述第二有源层(50)垂直相交叉，所述第二有源层(50)上与所述第二栅极(60)交叉重叠的区域形成第三沟道(55)；
所述第二有源层(50)的两端分别设有第二源极接触区(51)与第二漏极接触区(52)；
所述驱动电路区TFT工作时，所述第二有源层(50)中的电流在所述第二源极接触区(51)与第二漏极接触区(52)之间流动，即沿所述第二有源层(50)的延伸方向流动，因此，所述第三沟道(55)中的电流传导方向平行于所述第二有源层(50)的延伸方向。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板中，所述第一有源层(30)的第一竖直部(31)与第二竖直部(32)的延伸方向垂直于所述第二有源层(50)的延伸方向，从而所述第一有源层(30)的第一沟道(312)和第二沟道(322)中的电流传导方向垂直于所述第二有源层(50)的第三沟道(55)中的电流传导方向。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，采用准分子激光退火方法对所述非晶硅层进行晶化处理时，激光扫描方向垂直于所述第一竖直部(31)与第二竖直部(32)的延伸方向，并且平行于所述第二有源层(50)的延伸方向，即相当于，激光扫描方向垂直于所述第一有源层(30)的第一沟道(312)和第二沟道(322)中的电流传导方向，并且平行于所述第二有源层(50)的第三沟道(55)中的电流传导方向。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，采用光刻技术对所述低温多晶硅层进行图形化处理时，同时形成所述显示区TFT的第一有源层(30)与所述驱动电路区TFT的第二有源层(50)。
10.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，应用于LCD显示面板的制作方法或者AMOLED显示面板的制作方法中。