技术总结
本发明提出了一种双结型栅氮化镓异质结场效应管(DJG‑HFET)，它包括衬底(310)，缓冲层(311)，沟道层(312)，势垒层(313)以及势垒层(313)上形成的源极(315)、漏极(317)、钝化层(314)以及P型铝铟镓氮(319)，顶栅极(316)与P型铝铟镓氮(319)合称顶P型栅，在源极(315)和漏极(317)外侧为由空间电荷组成的隔离区(318)。在顶栅极(316)下的沟道层(312)下方与顶栅极对称的位置有一层栅介质层(303)、一层P型铝铟镓氮层(302)以及一层背栅(301)，且这三者一同组成了背P型栅，背P型栅与顶P型栅极合称双结型栅。该结构能够有效增加二维电子气的限域性，并解决P型GaN栅极在高栅压时栅控能力变差的问题。
技术研发人员：杜江锋;白智元;蒋知广;于奇
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201610928271
技术研发日：2016.10.31
技术公布日：2017.01.04