1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
衬底基板；
在所述衬底基板上设置有第一极、公共电极和有源层，所述第一极和所述公共电极位于同一层，所述有源层位于所述第一极上方且与所述第一极接触；
在设置有所述有源层的所述衬底基板上设置有栅极和第二极，所述第二极与所述有源层连接；
其中，所述第一极为源极，所述第二极为漏极；或者，所述第一极为漏极，所述第二极为源极。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极和所述第二极位于同一层。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一极和所述公共电极的材质均为透明氧化铟锡ITO。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材质为铟镓锌氧化物IGZO。
5.根据权利要求1至4任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，
在设置有所述有源层的所述衬底基板上设置有栅绝缘层；
在设置有所述栅绝缘层的所述衬底基板上设置有所述栅极和所述第二极，所述第二极通过过孔和所述有源层连接，所述第二极在所述第一极上的正投影与所述第一极存在重叠区域；
在设置有所述栅极和所述第二极的所述衬底基板上设置有钝化层；
在所述钝化层上设置有至少一个过孔，该至少一个过孔包括与所述第一极连通的过孔、与所述栅极连通的过孔、与所述第二极连通的过孔和与所述公共电极连通的过孔中的至少一种过孔；
在设置有所述钝化层的所述衬底基板上设置有金属导电层，所述金属导电层包括：填充在所述至少一个过孔中的金属材料。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括：权利要求1至5任一所述的薄膜晶体管。
7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：权利要求6所述的阵列基板。
8.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成第一极、公共电极和有源层，所述第一极和所述公共电极位于同一层，所述有源层位于所述第一极上方且与所述第一极接触；
在形成有所述有源层的所述衬底基板上形成栅极和第二极，所述第二极与所述有源层连接；
其中，所述第一极为源极，所述第二极为漏极；或者，所述第一极为漏极，所述第二极为源极。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，
所述在衬底基板上形成第一极、公共电极和有源层，包括：
在所述衬底基板上依次形成第一金属氧化物层和第二金属氧化物层；
在所述第二金属氧化物层上形成光刻胶层；
采用灰度掩膜板对形成有所述光刻胶层的所述衬底基板进行曝光、显影后，形成光刻胶图形，所述光刻胶图形包括：第一光刻胶区、第二光刻胶区、第三光刻胶区和光刻胶完全去除区，所述第一光刻胶区、所述第二光刻胶区、所述第三光刻胶区和所述光刻胶完全去除区的光刻胶的厚度依次减小，所述第一光刻胶区对应待形成的所述有源层的区域，所述第二光刻胶区对应待形成的所述公共电极的区域，所述第三光刻胶区对应待形成的所述第一极的区域，所述光刻胶完全去除区对应其他区域；
采用刻蚀工艺，去除所述光刻胶完全去除区对应的所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层；
采用灰化工艺，去除所述第三光刻胶区的光刻胶；
采用刻蚀工艺，去除所述第三光刻胶区对应的所述第二金属氧化物层，形成所述第一极；
采用灰化工艺，去除所述第二光刻胶区的光刻胶；
采用刻蚀工艺，去除所述第二光刻胶区对应的所述第二金属氧化物层，形成所述公共电极；
采用剥离工艺，去除所述第一光刻胶区的光刻胶，形成所述有源层。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述有源层的所述衬底基板上形成栅极和第二极，包括：
采用一次构图工艺在形成有所述有源层的所述衬底基板上形成所述栅极和所述第二极。