1.一种钝化接触太阳能电池，包括依次层叠的基底层、钝化隧穿层以及载流子选择层，其特征在于，所述载流子选择层包括高功函数金属层和/或低功函数金属层，所述高功函数金属层的金属功函数大于等于5eV，所述低功函数金属层的金属功函数小于等于4eV。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括金属电极层，所述金属电极层层叠在所述载流子选择层远离所述钝化隧穿层的一侧，所述金属电极层的金属的电阻率低于1e-3Ω.cm。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属电极层由包括Cu、Ni、Al、Ag中的一种或几种金属制备而成，所述金属电极层的厚度为200nm-5000nm。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括金属保护层，所述金属保护层层叠在所述金属电极层远离所述载流子选择层的一侧。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属保护层由包括Ag、Al、Sn、SnOx中的一种或几种材料制备而成，所述金属保护层的厚度为10nm-500nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述高功函数金属层由包括Ni、Ir、Pt、Pd、Se中的一种或几种金属制备而成。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述低功函数金属层由包括Ca、Mg、Ba、Ga、Li、Ce、Tb、Gd、Y、Nd、Lu、Th、Sc、La、U、Mg、Hf中的一种或几种金属制备而成。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述载流子选择层的厚度为2nm-50nm。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化隧穿层包括非晶硅层、氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氧化铝层、碳化硅层中的任意一层或几种层叠而成。
10.根据权利要求1至9任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述载流子选择层包括高功函数金属层和低功函数金属层，所述高功函数金属层以及低功函数金属层交织设置在钝化隧穿层远离所述基底层的一侧。