技术特征：
技术总结
本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：部分位于有源区内并延伸出所述有源区的栅氧化层；覆盖所述栅氧化层的栅电极，所述栅电极包括位于所述有源区内的第一栅电极和位于所述有源区外侧的第二栅电极，其中，所述第二栅电极与其下方半导体衬底之间的功函数差大于所述第一栅电极与其下方的半导体衬底之间的功函数差。如此，可使位于有源区外侧的寄生器件具有较大的临界电压，并可使所述寄生器件的临界电压大于有源区中元件的临界电压，进而有效避免了所述半导体器件在一个较低的电压下开启，有效改善了半导体器件的双峰效应。
技术研发人员：洪波;张帅
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.11.03
技术公布日：2018.05.11