一种阵列基板及其制备方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

随着显示技术的发展，显示装置逐渐向无边框方向发展，即显示装置不包括外框。无边框的显示装置包括显示面板和背光模组，显示面板通常以阵列基板远离背光模组，对盒基板靠近背光模组的结构放置。

阵列基板上的走线一般通过柔性线路板引出，在绑定柔性印刷线路板时，一般需要绑定设备对设置在阵列基板非显示区的绑定标识进行识别。现有技术中的绑定标识一般为金属材料，绑定标识周边一定区域内没有其他金属层。需要识别绑定标识时，绑定设备发光射向绑定标识，通过检测经绑定标识反射回来的光的强度来识别绑定标识的位置。其中，由于绑定标识为金属材料，反射光的强度较强，而其周边区为非金属，反射光的强度较弱。

然而，由于射向绑定设备的光线，是由绑定设备先射向绑定标识，再由绑定标识反射到绑定设备，因此，在来回的光路过程中，光线的强度会不断减弱，使得射向绑定设备的光线的强度较弱。而射向绑定设备的光线的强度太弱，会导致绑定标识难以识别，从而影响柔性印刷线路板的绑定。

技术实现要素：

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可使绑定标识易于识别。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种阵列基板，包括衬底，所述衬底包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区，所述衬底的所述非显示区内设置有可发光的绑定标识。

优选的，所述绑定标识的材料为电致发光材料；所述非显示区内还设置有正电极和负电极，所述绑定标识分别连接所述正电极和所述负电极。

进一步优选的，所述正电极和所述负电极同层设置，所述绑定标识设置在所述正电极和所述负电极之间。

或者，所述正电极和所述负电极异层设置。

进一步优选的，所述显示区包括栅线和数据线；所述正电极和所述负电极与所述栅线或所述数据线同层设置。

或者，所述正电极与所述栅线同层设置，所述负电极与所述数据线同层设置。

或者，所述正电极与所述数据线同层设置，所述负电极与所述栅线同层设置。

基于上述，优选的，所述阵列基板还包括设置在所述衬底远离所述绑定标识一侧的黑色遮光层；所述黑色遮光层覆盖所述非显示区。

或者，所述黑色遮光层设置在所述非显示区，且所述黑色遮光层包括镂空区域，所述镂空区域露出所述绑定标识。

第二方面，提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括衬底，所述衬底包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区，所述方法包括在所述衬底的所述非显示区内形成可发光的绑定标识。

优选的，所述绑定标识的材料为电致发光材料；所述方法还包括在所述非显示区形成正电极和负电极，所述正电极和所述负电极均与所述绑定标识连接。

进一步优选的，所述方法还包括在显示区形成栅线和数据线；所述正电极和所述负电极与所述栅线或所述数据线通过同一次构图工艺形成。

或者，所述正电极与所述栅线通过同一次构图工艺形成，所述负电极与所述数据线通过同一次构图工艺形成。

或者，所述正电极与所述数据线通过同一次构图工艺形成，所述负电极与所述栅线通过同一次构图工艺形成。

基于上述，优选的，所述方法还包括在所述衬底远离所述绑定标识的一侧形成黑色遮光层；所述黑色遮光层覆盖所述非显示区。

或者，所述黑色遮光层形成在所述非显示区，且所述黑色遮光层包括镂空区域，所述镂空区域露出所述绑定标识。

第三方面，提供一种显示装置，包括第一方面所述的阵列基板、对盒基板、以及背光模组；所述对盒基板靠近所述背光模组设置，所述对盒基板通过双面胶黏附在所述背光模组的中框上。

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，通过使设置在阵列基板上的绑定标识自身可发光，使得将阵列基板应用于无边框显示装置后，当需要对绑定标识进行检测时，绑定标识可将自身发出的光直接射向绑定设备。而现有技术中绑定标识射向绑定设备的光，是绑定设备先射向绑定标识，再由绑定标识反射回绑定设备。因此，与现有技术相比，本发明实施例中射向绑定设备的光的光路较短，在光路过程中光强度损耗较小，即，本发明实施例中绑定标识射向绑定设备的光的强度大于现有技术中绑定标识射向绑定设备的光的强度，从而提高了绑定标识的识别能力，可确保柔性线路板的成功绑定。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图一；

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图二；

图3(a)为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图一；

图3(b)为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图二；

图3(c)为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图三；

图4(a)为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图四；

图4(b)为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图五；

图5(a)为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图三；

图5(b)为图5(a)中aa′向截面示意图；

图6(a)为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图四；

图6(b)为图6(a)中bb′向截面示意图；

图7为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图一；

图8为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图二。

附图标记：

01-显示区；02-非显示区；10-衬底；20-绑定标识；21-正电极；22-负电极；30-黑色遮光层；100-阵列基板；110-上偏光片；120-柔性线路板；200-对盒基板；210-下偏光片；300-背光模组；310-中框。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种阵列基板100，如图1所示，包括衬底10，所述衬底10包括显示区01和位于显示区01外围的非显示区02，衬底10的非显示区02内设置有可发光的绑定标识20。

其中，阵列基板100可以包括薄膜晶体管，与薄膜晶体管源极电连接的数据线，以及与薄膜晶体管漏极电连接的像素电极，进一步的还可以包括公共电极和彩膜。薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极和漏极。根据半导体有源层材料的不同，所述薄膜晶体管可以为非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管、有机薄膜晶体管等。在此基础上，所述薄膜晶体管还可以为交错型、反交错型、共面型、或反共面型等。

需要说明的是，第一，不对绑定标识20的形状和大小进行限定，当需要对绑定标识20进行检测时，能使绑定设备检测到绑定标识20即可。

第二，不对绑定标识20的结构和材料进行限定，能够自发光即可。

第三，不对绑定标识20的具体设置位置以及个数进行限定，根据阵列基板100的结构合理设置即可。图1中阵列基板100的结构仅为示意。

本发明实施例提供一种阵列基板100，通过使设置在阵列基板100上的绑定标识20自身可发光，使得将阵列基板100应用于无边框显示装置后，当需要对绑定标识20进行检测时，绑定标识20可将自身发出的光直接射向绑定设备。而现有技术中绑定标识20射向绑定设备的光，是绑定设备先射向绑定标识20，再由绑定标识20反射回绑定设备。因此，与现有技术相比，本发明实施例中射向绑定设备的光的光路较短，在光路过程中光强度损耗较小，即，本发明实施例中绑定标识20射向绑定设备的光的强度大于现有技术中绑定标识20射向绑定设备的光的强度，从而提高了绑定标识20的识别能力，可确保柔性线路板的成功绑定。

优选的，如图2所示，绑定标识20的材料为电致发光材料；非显示区02内还设置有正电极21和负电极22，绑定标识20分别连接所述正电极21和所述负电极22。

需要说明的是，第一，不对电致发光材料进行具体限定，在直流或交流电场作用下，依靠电流和电场的激发，能将电能直接转换成光能而使自身发出特定波长的光即可。

第二，不对正电极21和负电极22的具体设置位置进行限定，绑定标识20分别与正电极21和负电极22连接即可。

其中，正电极21和负电极22可以单独一层设置，也可以与阵列基板100上的导电结构同层设置。

此外，不对正电极21和负电极22的材料进行限定，能够导电即可。例如可以但不限于是金属材料。

第三，本领域技术人员应该明白，正电极21和负电极22之间应电气绝缘，当绑定标识20需要发光时，需控制电路导通，使正电极21和负电极22之间产生电场；当绑定标识20不需要发光时，需控制电路断开，使正电极21和负电极22之间不产生电场。因此，正电极21和负电极22需与pcb(printedcircuitboard，印刷线路板)上的控制电路相连接，进行开关控制。

其中，正电极21和负电极22可以通过阵列基板100非显示区02内的走线与pcb上的控制电路相连接。当绑定标识20需要发光时，通过控制电路向正电极21和负电极22施加所需的电压；当绑定标识20不需要发光时，则无需输出电压。

本发明实施例通过采用电致发光材料形成绑定标识20，并使绑定标识20连接正电极21和负电极22，当需要对绑定标识20进行识别时，即，绑定标识20需要发光时，通过控制电路向正电极21和负电极22分别施加合适的电压，以使绑定标识20在正电极21和负电极22之间电场的作用下发光，从而实现绑定标识20的识别，结构简单，成本较低。

可选的，如图3(a)、图3(b)和图3(c)所示，正电极21和负电极22同层设置，绑定标识20设置在正电极21和负电极22之间。

其中，如图3(a)所示，绑定标识20可直接与正电极21和负电极22接触，或者如图3(b)和图3(c)所示，绑定标识20与正电极21和负电极22通过过孔接触。

此外，优选的，正电极21和负电极22相对设置。

本发明实施例通过将正电极21和负电极22同层设置，通过一次构图工艺即可形成正电极21和负电极22，可简化制备工艺。

可选的，如图4(a)和图4(b)所示，正电极21和负电极22异层设置。

其中，可以是正电极21在上，负电极22在下，也可以是正电极21在下，负电极22在上。

此外，不对绑定标识20的具体设置位置进行限定，分别与正电极21和负电极22接触，且绑定标识20发出的光能射向绑定设备即可。

本发明实施例通过将正电极21和负电极22异层设置，可降低对非显示区02面积的要求，增大显示区01的面积。

可选的，显示区01包括栅线和数据线，正电极21和负电极22与栅线同层设置。

即，形成栅线时同步形成正电极21和负电极22，正电极21和负电极22同层设置。

可选的，显示区01包括栅线和数据线，正电极21和负电极22与数据线同层设置。

即，形成数据线时同步形成正电极21和负电极22，正电极21和负电极22同层设置。

可选的，显示区01包括栅线和数据线，正电极21与栅线同层设置，负电极22与数据线同层设置。

即，正电极21与栅线同步形成，负电极22与数据线同步形成，正电极21和负电极22异层设置。

可选的，显示区01包括栅线和数据线，正电极21与数据线同层设置，负电极22与栅线同层设置。

即，正电极21与数据线同步形成，负电极22与栅线同步形成，正电极21和负电极22异层设置。

本发明实施例通过将正电极21和负电极22与阵列基板100上的金属层同层设置，可以减少构图工艺次数，并使阵列基板100轻薄化。

基于上述，可选的，如图5(a)和图5(b)所示，所述阵列基板100还包括设置在衬底10远离绑定标识20一侧的黑色遮光层30；黑色遮光层30覆盖非显示区02。

其中，当将阵列基板100应用于无边框显示装置时，非显示区02的金属线因无外框的遮挡，导致金属线表面会对环境光进行反射，使非显示区02出现亮点，从而影响显示装置的外观。因此，通常会在衬底10远离绑定标识20一侧的非显示区02涂覆一层黑色遮光层30，遮盖住金属线的表面，以确保非显示区02的外观为黑色。

此处，不对黑色遮光层30的材料进行限定，例如可以但不限于是黑色油墨材料。

此外，为了降低黑色遮光层30对绑定标识20发出的光的影响，本发明实施例优选，在能够遮挡住非显示区02金属线反射出的光的同时，黑色遮光层30的厚度尽可能的较小。

本发明实施例通过使绑定标识20自身可发光，当需要对绑定标识20进行识别时，绑定标识20自身发出的光穿过黑色遮光层30射向绑定设备。现有技术中的绑定标识20，当需要对绑定标识20进行识别时，绑定设备发出的光线需先穿过黑色遮光层30才能射向绑定标识，使得射向绑定标识20的光线的强度减弱。之后，经绑定标识20反射出来的光线还需要再次穿过黑色遮光层30才能射向绑定设备，使得射向绑定设备的光线的强度再次减弱。因此，与现有技术相比，本发明实施例中绑定标识20射向绑定设备的光的强度大于现有技术中绑定标识20射向绑定设备的光的强度，使绑定标识20易于识别。

基于上述，可选的，如图6(a)和图6(b)所示，所述阵列基板100还包括设置在衬底10远离绑定标识20一侧的黑色遮光层30；黑色遮光层30设置在非显示区02，且黑色遮光层30包括镂空区域，镂空区域露出绑定标识20。

其中，不对黑色遮光层30的材料进行限定，例如可以但不限于是黑色油墨材料。

此外，本领域技术人员应该明白，绑定标识20对应位置处不设置黑色遮光层30时，该位置处的金属线会因反光而影响非显示区02的外观，因此，在使绑定标识20能够被识别的同时，本发明实施例优选的，绑定标识20的面积应尽可能的减小，以降低绑定标识20对应位置处因不设置绑定标识20而对非显示区02外观的影响，在此基础上，镂空区域的面积也应尽可能的小。

本发明实施例通过使黑色遮光层30不覆盖绑定标识20，使得绑定标识20发出的光可直接射向绑定设备，而不会因黑色遮光层30的遮挡而减弱，因此，可进一步提高射向绑定设备的光线的强度，使绑定标识20易于识别。

本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法，如图1所示，所述阵列基板100包括衬底10，所述衬底10包括显示区01和位于显示区01外围的非显示区02，所述方法包括在衬底10的非显示区02内形成可发光的绑定标识20。

其中，不对绑定标识20的形成方式进行限定，可根据绑定标识的材料合理选择。

本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，通过使形成在阵列基板100上的绑定标识20自身可发光，使得将阵列基板100应用于无边框显示装置后，当需要对绑定标识20进行检测时，绑定标识20可将自身发出的光直接射向绑定设备。而现有技术中绑定标识20射向绑定设备的光，是绑定设备先射向绑定标识20，再由绑定标识20反射回绑定设备。因此，与现有技术相比，本发明实施例中射向绑定设备的光的光路较短，在光路过程中光强度损耗较小，即，本发明实施例中绑定标识20射向绑定设备的光的强度大于现有技术中绑定标识20射向绑定设备的光的强度，从而提高了绑定标识20的识别能力，可确保柔性线路板的成功绑定。

优选的，如图2所示，绑定标识20的材料为电致发光材料；所述方法还包括在非显示区02形成正电极21和负电极22，正电极21和负电极22均与绑定标识20连接。

其中，不对形成正电极21、负电极22、以及绑定标识20的先后顺序进行限定，使正电极21和负电极22均与绑定标识20连接，且正电极21和负电极22电气绝缘即可。

本发明实施例通过采用电致发光材料形成绑定标识20，并使绑定标识20连接正电极21和负电极22，当需要对绑定标识20进行识别时，即，绑定标识20需要发光时，通过控制电路向正电极21和负电极22分别施加合适的电压，以使绑定标识20在正电极21和负电极22之间电场的作用下发光，从而实现绑定标识20的识别，结构简单，成本较低。

可选的，所述方法还包括：在显示区01形成栅线和数据线，正电极21和负电极22与栅线通过同一次构图工艺形成。

可选的，所述方法还包括：在显示区01形成栅线和数据线，正电极21和负电极22与数据线通过同一次构图工艺形成。

可选的，所述方法还包括：在显示区01形成栅线和数据线，正电极21与栅线通过同一次构图工艺形成，负电极22与数据线通过同一次构图工艺形成。

可选的，所述方法还包括：在显示区01形成栅线和数据线，正电极21与数据线通过同一次构图工艺形成，负电极22与栅线通过同一次构图工艺形成。

本发明实施例通过将正电极21和负电极22与阵列基板100上的金属层同步形成，可以减少构图工艺次数，并使阵列基板100轻薄化。

基于上述，可选的，如图5(a)和图5(b)所示，所述方法还包括在衬底10远离绑定标识20的一侧形成黑色遮光层30；黑色遮光层30覆盖非显示区02。

其中，不对黑色遮光层30的形成方式进行限定，根据黑色遮光层30的材料合理选择即可。

本发明实施例通过使绑定标识20自身可发光，当需要对绑定标识20进行识别时，绑定标识20自身发出的光穿过黑色遮光层30射向绑定设备。现有技术中的绑定标识20，当需要对绑定标识20进行识别时，绑定设备发出的光线需先穿过黑色遮光层30才能射向绑定标识，使得射向绑定标识20的光线的强度减弱。之后，经绑定标识20反射出来的光线还需要再次穿过黑色遮光层30才能射向绑定设备，使得射向绑定设备的光线的强度再次减弱。因此，与现有技术相比，本发明实施例中绑定标识20射向绑定设备的光的强度大于现有技术中绑定标识20射向绑定设备的光的强度，使绑定标识20易于识别。

基于上述，可选的，所述方法还包括在衬底10远离绑定标识20的一侧形成黑色遮光层30；黑色遮光层30形成在非显示区02，且黑色遮光层30包括镂空区域，镂空区域露出绑定标识20。

本发明实施例通过使黑色遮光层30不覆盖绑定标识20，使得绑定标识20发出的光可直接射向绑定设备，而不会因黑色遮光层30的遮挡而减弱，因此，可进一步提高射向绑定设备的光线的强度，使绑定标识20易于识别。

本发明实施例还提供一种显示装置，如图7和图8所示，包括上述阵列基板100、对盒基板200、以及背光模组300；对盒基板200靠近背光模组300设置，对盒基板200通过双面胶黏附在背光模组300的中框310上。

其中，显示装置还包括设置在阵列基板100远离对盒基板200一侧的上偏光片110、设置在对盒基板200远离阵列基板100一侧的下偏光片210，以及绑定在阵列基板100上的柔性线路板120，如图7和图8所示，柔性线路板120包裹在显示装置的内部。当然，显示装置还包括后壳(图中未示出)。

本发明实施例提供一种显示装置，通过使设置在阵列基板100上的绑定标识20自身可发光，使得当需要对绑定标识20进行检测时，绑定标识20可将自身发出的光直接射向绑定设备。而现有技术中绑定标识20射向绑定设备的光，是绑定设备先射向绑定标识20，再由绑定标识20反射回绑定设备。因此，与现有技术相比，本发明实施例中射向绑定设备的光的光路较短，在光路过程中光强度损耗较小，即，本发明实施例中绑定标识20射向绑定设备的光的强度大于现有技术中绑定标识20射向绑定设备的光的强度，从而提高了绑定标识20的识别能力，可确保柔性线路板的成功绑定。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。