1.一种半导体装置，包括：
信号线；
第一电路，所述第一电路耦合到所述信号线的端部，并且信号从所述信号线供给所述第一电路/从所述第一电路供给所述信号线；以及
延迟元件，所述延迟元件线或耦合到所述信号线的端部，并且使所述信号线的所述端部处的信号的波形成形。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述延迟元件具有延迟线，所述延迟线具有线或耦合到所述信号线的端部的一个端部以及耦合到预定电压的另一个端部，并且
其中，所述信号线的端部处的信号的波形被与输入到所述一个端部的信号对应的输出信号成形。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述延迟线被设置为使得输入到所述一个端部的信号与从所述一个端部输出的输出信号之间的信号延迟变为所述信号的一个数据宽度间隔的整数时间的一部分。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括将信号供给所述信号线的第二电路，
其中，来自所述信号线的所述信号被供给所述第一电路。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括经由所述信号线被供给信号的第二电路，
其中，所述第一电路将所述信号供给所述信号线的端部，并且
其中，所述延迟线通过所述输出信号调整所述端部处的信号，从而将成形的信号供给所述第二电路。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述信号线具有发送互补地改变的差分信号的第一信号线和第二信号线，
其中，所述第一电路具有耦合到所述第一信号线和所述第二信号线的差分电路，并且
其中，所述延迟元件具有线或耦合到所述第一信号线的端部的一个端部以及线或耦合到所述第二信号线的端部的另一个端部。
7.一种半导体装置，包括：
半导体芯片，所述半导体芯片具有主表面，在所述主表面上面形成有电极；以及
中介层，所述中介层具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，在所述第一主表面上面形成有第一电极，在所述第二主表面上面形成有电耦合到所述第一电极的第二电极，并且所述中介层被安装为使得所述半导体芯片的主表面面对所述第一主表面，以使得所述半导体芯片的电极耦合到所述第一电极，
其中，当信号在所述第二电极和所述电极之间发送时，所述信号被第一布线图案成形，所述第一布线图案具有耦合到所述电极的一个端部以及被供给预定电压的另一个端部。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括第二布线图案，所述第二布线图案被供给所述预定电压，并且耦合到所述第一布线图案的所述另一个端部，
其中，所述第二布线图案具有与所述第一布线图案相对的区域。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一布线图案形成在所述半导体芯片的主表面上面。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，
其中，所述中介层具有将所述第一电极和所述第二电极电耦合的第三布线图案，并且
其中，所述第一布线图案的电阻率小于所述第三布线图案的电阻率。
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述半导体芯片具有耦合到所述第一布线图案的等效二极管元件。
12.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一布线图案具有第四布线图案，所述第四布线图案安置在所述中介层的第一主表面和所述中介层的第二主表面之间。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，
其中，所述中介层具有第五布线图案，所述第五布线图案安置在所述第一主表面和所述第二主表面之间，并且所述第五布线图案的线宽比所述第四布线图案的线宽宽，并且
其中，所述第一电极和所述第二电极经由所述第五布线图案电耦合。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述中介层具有第六布线图案，所述第六布线图案安置在所述第一主表面和所述第二主表面之间，并且所述第六布线图案的线宽比所述第五布线图案的线宽窄。
15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述中介层具有第七布线图案和第八布线图案，所述第七布线图案和所述第八布线图案被安置为使得当从所述中介层的第一主表面看时夹入所述第四布线图案。
16.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述中介层具有第九布线图案，所述第九布线图案被安置为使得当从所述中介层的第一主表面看时与所述第四布线图案重叠。
17.一种半导体装置，包括：
第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有主表面，在所述主表面上面形成有电极；
第一中介层，所述第一中介层具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面，在第一主表面上面形成有第一电极，并且在第二主表面上面形成有电耦合到所述第一电极的第二电极，并且所述第一中介层具有第一布线图案，所述第一布线图案具有耦合到所述电极的一个端部以及被供给预定电压的另一个端部，并且所述第一中介层被安装为使得所述第一半导体芯片的主表面面对所述第一主表面，以使得所述第一半导体芯片的电极耦合到所述第一电极；以及
基板，所述基板具有与所述第一中介层的所述第二主表面相对的主表面、形成在所述主表面上面的第三电极、形成在所述主表面上面的第四电极、以及将第三电极和第四电极电耦合的第二布线图案，
其中，所述第三电极电耦合到所述第二电极，并且当信号在所述第四电极和所述电极之间发送时，所述信号被所述第一布线图案成形。
18.根据权利要求17所述的半导体装置，还包括：
第二半导体芯片，所述第二半导体芯片具有主表面，在所述主表面上面形成有电极；以及
第二中介层，所述第二中介层具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，在所述第一主表面上面形成有第五电极，并且在所述第二主表面上面形成有电耦合到所述第五电极的第六电极，并且所述第二中介层被安装为使得所述第二半导体芯片的主表面面对所述第一主表面以使得所述第二半导体芯片的电极耦合到所述第五电极，
其中，所述第二中介层的第二主表面面对所述基板的主表面，并且所述第二中介层的第六电极电耦合到所述第四电极，并且
其中，所述第一半导体芯片具有放大来自所述电极的信号的第一电路，并且所述第二半导体芯片具有将串行信号输出到所述电极的第二电路。
19.根据权利要求18所述的半导体装置，还包括插入在所述基板和所述第一中介层之间的第一包装基板以及插入在所述基板和所述第二中介层之间的第二包装基板，
其中，所述第一包装基板具有与所述第一中介层的第二主表面相对的第一主表面、与所述基板的主表面相对的第二主表面、形成在所述第一主表面上面并且耦合到所述第二电极的第七电极、形成在所述第二主表面上面并且耦合到所述第三电极的第八电极、以及将所述第七电极和所述第八电极耦合的布线图案，
其中，所述第二包装基板具有与所述第二中介层的第二主表面相对的第一主表面、与所述基板的主表面相对的第二主表面、形成在第一主表面上面并且耦合到所述第四电极的第九电极、形成在第二主表面上面并且耦合到所述第五电极的第十电极以及将所述第九电极和所述第十电极耦合的布线图案，
其中，所述电极和所述第一电极经由第一凸块电耦合，并且所述电极和所述第五电极经由所述第一凸块电耦合，
其中，所述第二电极和所述第七电极经由第二凸块电耦合，并且所述第六电极和所述第九电极经由所述第二凸块耦合，
其中，所述第八电极和所述第三电极经由第三凸块电耦合，并且所述第十电极和所述第四电极经由第三凸块电耦合，并且
其中，所述第一凸块的大小小于所述第二凸块的大小，并且所述第二凸块的大小小于所述第三凸块的大小。
20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中，第三半导体芯片安装在所述第一中介层的第一主表面上面。