1.一种JFET管，包括：P型衬底，所述P型衬底作为背栅；在所述P型衬底的上表层中形成N型注入区；在所述N型注入区的上表层中形成的P型注入区，所述P型注入区作为正栅；在所述P型注入区的上表层中形成的P型重掺杂区；在所述N型注入区上表层的两端形成的N型重掺杂的漏区和源区，正栅靠近所述源区；所述漏区与所述P型注入区之间的N型注入区上形成的第一场氧化层；所述源区与所述P型注入区之间的N型注入区上形成的第二场氧化层，其特征在于：所述第一场氧化层下的N型注入区上部形成P型掺杂区，所述P型掺杂区靠近P型注入区一侧与栅极电性相连，构成第二JFET结构，所述第二JFET结构的夹断电压高于本征JFET结构。
2.根据权利要求1所述的JFET管，其特征在于：所述整个P型掺杂区与第一场氧化层接触。
3.根据权利要求1所述的JFET管，其特征在于：所述P型掺杂区呈“L”型，靠近所述P型注入区一侧与所述第一场氧化层接触，且与栅极电性相连。
4.根据权利要求3所述的JFET管，其特征在于：所述P型掺杂区与第一场氧化层之间的N型注入区靠近漏区侧与漏极电性相连。
5.根据权利要求1所述的JFET管，其特征在于：部分所述第一场氧化层上以及与之相连的部分P型注入区上形成第一多晶硅层。
6.根据权利要求5所述的JFET管，其特征在于：所述P型掺杂区通过第一多晶硅层与栅极电性相连。
7.根据权利要求1所述的JFET管，其特征在于：部分所述第一场氧化层上以及与之相连的部分漏区上形成第二多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的JFET管，其特征在于：所述P型掺杂区呈“L”型，靠近所述P型注入区一侧与所述第一场氧化层接触，且与栅极电性相连，所述P型掺杂区与第一场氧化层之间的N型注入区通过第二多晶硅层与漏极电性相连。
9.根据权利要求1所述的JFET管，其特征在于：所述N型注入区分为第一N型注入区和第二N型注入区，第二N型注入区形成在P型掺杂区与P型注入区之间的第一N型注入区上表层中，且所述第二N型注入区多子浓度低于第一N型注入区。
10.根据权利要求9所述的JFET管，其特征在于：所述第二N型注入区深度大于P型掺杂区同时小于P型注入区。