技术总结
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种JFET管，P型衬底；N型注入区；P型注入区；P型重掺杂区；N型重掺杂的漏区和源区；所述漏区与所述P型注入区之间的第一场氧化层；所述源区与所述P型注入区之间的第二场氧化层，所述第一场氧化层下的N型注入区上部形成P型掺杂区，所述P型掺杂区靠近P型注入区一侧与栅极电性相连，构成第二JFET结构，所述第二JFET结构的夹断电压高于本征JFET结构，本发明JFET管，其耐压性能有效提高。
技术研发人员：李风浪;李舒歆
受保护的技术使用者：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
文档号码：201611051509
技术研发日：2016.11.25
技术公布日：2017.02.22