一种用于多个晶片吸附的真空陶瓷吸盘的制作方法

本发明涉及一种半导体专用设备领域，特别涉及一种用于多个晶片吸附的真空陶瓷吸盘。

背景技术：

半导体专用设备在进行晶片加工处理的过程中，需要将晶片固定在工作台上，以保证晶片在加工的过程中不发生位移或变形损坏。在晶片加工处理过程中，对晶片的固定方式通常采用陶瓷吸盘抽真空吸附的方式。目前使用的陶瓷吸盘只可以对单个晶片进行吸附加工，对于较小的晶片，陶瓷吸盘上只放置单个晶片，这样会造成晶片加工效率低下，设备生产成本高等缺点；如果放置多个晶片在陶瓷吸盘上进行加工，则会造成陶瓷吸盘真空泄露而无法吸附晶片。此外，目前使用的陶瓷吸盘均为圆形，针对形状不规则的晶片，需要将晶片先粘贴到一个圆形贴膜上或者圆形基板上，以保证晶片吸附时不会泄露真空。传统的吸盘存在着工作效率低、通用性差等缺点。

技术实现要素：

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种用于多个晶片吸附的真空陶瓷吸盘。该真空陶瓷吸盘可同时粘结多个镶块，进而可以对多个晶片同时进行加工，该真空陶瓷吸盘大大地提高了晶片的加工效率；该真空陶瓷吸盘的镶块可根据晶片形状进行设计，提高了吸盘的通用性，降低设备的生产加工成本以及使用成本。

本发明实施例提供了一种用于多个晶片吸附的真空陶瓷吸盘，包括：镶块和基体；所述镶块嵌入在所述基体上；

其中，所述基体包括第一连接件和第二连接件，所述第一连接件一侧面与第二连接件的一侧面相贴合，所述第一连接件的另一侧面上设有第一凹槽，在所述第一连接件上对应第一凹槽的位置上设有气路通孔，所述第一凹槽与气路通孔连通；所述第二连接件的另一侧面上设有第二凹槽，且第二凹槽亦与气路通孔连通；第一连接件外缘上设置有多个安装孔；所述安装孔的位置与半导体设备工作台上的安装孔位置相对应；

所述镶块嵌入在基体上的第二凹槽内。

可选地，所述镶块的材料为微孔陶瓷。

可选地，所述基体的材料为氧化铝陶瓷。

可选地，所述第二凹槽的数量可以为四个。

可选地，所述镶块的形状可以为圆形、正方形、长方形、三角形或者不规则几何形状。

可选地，所述镶块的边缘比晶片的边缘小1～2mm。

可选地，所述基体第一连接件和第二连接件的形状均为圆盘形。

可选地，所述气路通孔的数量与所述镶块的数量一致。

可选地，所述镶块的数量与所述第二凹槽的数量一致。

可选地，所述第一凹槽的形状为十字交叉形槽、圆形环槽、方形环槽或者不规则几何形状的环槽。

本发明的实施例具有如下有益效果：该用于多个晶片吸附的真空陶瓷吸盘可同时粘结多个镶块，进而可以对多个晶片同时进行加工，可大大地提高了晶片的加工效率；该用于多个晶片吸附的真空陶瓷吸盘的镶块可根据晶片的形状进行设计，避免了正方形、长方形、三角形或不规则形状的晶片吸附时的真空泄露导致吸附不成功的问题，减少了将不规则形状晶片粘贴到贴膜上或基板上的工序，提高了吸盘的通用性，降低设备的生产加工以及使用成本。

附图说明

图1为本发明实施例的用于多个晶片吸附的真空陶瓷吸盘俯视图；

图2为本发明实施例的用于多个晶片吸附的真空陶瓷吸盘仰视图；

图3为本发明实施例的用于多个晶片吸附的真空陶瓷吸盘A-A面剖视图。

具体实施方式

为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

参见图1～图3，本实施例中提供了一种多个晶片吸附的真空陶瓷吸盘，包括：镶块1和基体2，其中镶块1嵌入到基体2上；所述镶块1的材料为微孔陶瓷，所述基体2的材料为氧化铝陶瓷。

其中，所述基体2包括第一连接件21和第二连接件23，所述基体2的第一连接件21和第二连接件23的形状均为圆盘形，所述第一连接件21的一侧面与第二连接件23的一侧面贴合，所述第一连接件21的另一侧面上开有第一凹槽4，在第一连接件21上对应第一凹槽4的位置上设有气路通孔3，所述第一凹槽4与气路通孔3连通；所述第二连接件23的另一侧面上开设有第二凹槽5，且第二凹槽5亦与气路通孔3相连通；第一连接件21外缘上设置有多个安装孔22，所述安装孔22可以为阶梯通孔；所述安装孔22的位置与半导体设备工作台上的安装孔位置相对应；

所述镶块1嵌入在基体2上的第二凹槽5内。

进一步，本实施例中的第二凹槽5的数量可以为四个，当然并不限于此。

进一步，所述镶块1的数量与第二凹槽5的数量一致，本实施例中的所述镶块1的数量亦为四个，其中包括第一镶块11、第二镶块12、第三镶块13和第四镶块14，当然并不限于此。

所述镶块1的形状可以根据晶片的具体形状确定，可以是圆形、正方形、长方形、三角形或不规则几何形状，本实施例的镶块的形状为正方形，当然并不限于此。

所述镶块1的边缘比晶片的边缘小1～2mm，这样可以保证晶片吸附时晶片周边不会泄露真空。

进一步，所述气路通孔3的数量与镶块1数量一致，且所述气路通孔3的形状不限。本实施例中的气路通孔3的数量为四个，分别为第一气路通孔31、第二气路通孔32、第三气路通孔33、第四气路通孔34，依次对应第一镶块11、第二镶块12、第三镶块13和第四镶块14布置。

进一步，所述第一凹槽4的形状不限，需保证所述第一凹槽4与所述气路通孔3和半导体设备内部的真空管路连通；例如本实施例中的第一凹槽4为十字交叉形的凹槽，除了之外，第一凹槽4形状还可以是圆形环槽、方形环槽或者不规则几何形状的环槽，当然并不限于此。

所述第一气路通孔31、第二气路通孔32、第三气路通孔33和第四气路通孔34分别位于十字形凹槽的四端。

本发明实施例中用于多个晶片吸附的真空陶瓷吸盘的基体上对应每个镶块开设了气路通孔，气路通孔通过基体上的第一凹槽与半导体设备内部的真空管路连接，从而保证每个镶块与半导体设备内部的真空管路相连通，实现一个基体同时粘结多个镶块的目的，进而可以对多个晶片同时进行加工，可大大地提高了晶片的加工效率。

本发明实施例中用于多个晶片吸附的真空陶瓷吸盘的镶块的形状、尺寸、数量可根据晶片及基体来设计，避免了正方形、长方形、三角形的晶片或不规则形状晶片吸附时的真空泄露导致吸附不成功的问题，减少了将不规则形状晶片粘贴到贴膜上或基板上的工序，提高了吸盘的通用性，降低设备的生产加工以及使用成本。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。