1.一种阻变存储器，其特征在于，衬底上设置底电极，底电极上设置BaTi1-xCoxO3阻变功能层，x为0.05至0.3，功能层上设置顶电极，所述衬底为柔性云母。
2.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，该存储器的最小弯曲半径为1mm，最小抗弯曲次数为106次。
3.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，柔性云母的厚度为0.5μm至10μm。
4.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，底电极为SrRuO3薄膜。
5.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，顶电极为Au薄膜。