1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成第一金属层(11)，采用第一光罩(12)对所述第一金属层(11)进行图形化处理，得到栅极(20)，在所述栅极(20)与衬底基板(10)上形成栅极绝缘层(30)；
步骤2、在所述栅极绝缘层(30)上形成一半导体层(31)，采用第二光罩(32)对所述半导体层(31)进行图形化处理，形成对应于所述栅极(20)上方的有源层(40)；
在所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上形成第一光阻层(45)，采用第二光罩(32)对所述第一光阻层(45)进行曝光，在曝光过程中通过调整曝光机台与所述第一光阻层(45)之间的距离和曝光能量，使得所述第一光阻层(45)上对应于所述有源层(40)两端的区域受到强曝光；
对所述第一光阻层(45)进行显影，所述第一光阻层(45)上对应于所述有源层(40)以外的区域以及对应于所述有源层(40)两端的强曝光区域被剥离掉，得到第一光阻图案(50)；
所述第一光阻图案(50)的尺寸小于所述有源层(40)的尺寸，所述有源层(40)两端没有被所述第一光阻图案(50)遮盖的区域分别形成源极接触区(41)与漏极接触区(42)；
步骤3、在所述第一光阻图案(50)、有源层(40)及栅极绝缘层(30)上形成第二金属层(60)，在所述第二金属层(60)上形成第二光阻层(70)；
采用第三光罩(75)对所述第二光阻层(70)进行曝光、显影，形成间隔设置的第二光阻图案(71)与第三光阻图案(72)；
以所述第二光阻图案(71)与第三光阻图案(72)为掩膜，对所述第二金属层(60)进行蚀刻，得到源极(61)与漏极(62)，所述源极(61)和漏极(62)分别与所述源极接触区(41)和漏极接触区(42)相接触，并且分别覆盖所述第一光阻图案(50)的两端；
对所述第二光阻图案(71)与第三光阻图案(72)以及所述第一光阻图案(50)上对应于所述源极(61)与漏极(62)之间的区域进行剥离，所述第一光阻图案(50)两端分别被所述源极(61)与漏极(62)覆盖的区域保留下来，形成第一光阻段(51)与第二光阻段(52)。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述有源层(40)的材料为氧化物半导体。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：步骤4、在所述源极(61)、漏极(62)、有源层(40)及栅极绝缘层(30)上形成钝化层(81)，在所述钝化层(81)上形成平坦层(82)。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层(30)与钝化层(81)的材料分别包括氧化硅与氮化硅中的一种或多种；所述平坦层(82)的材料为有机光阻。
6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(20)、设于所述栅极(20)与衬底基板(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上且对应于所述栅极(20)上方的有源层(40)、设于所述有源层(40)上且分别对应于所述有源层(40)两侧的第一光阻段(51)与第二光阻段(52)、设于所述栅极绝缘层(30)、有源层(40)及第一光阻段(51)上的源极(61)、以及设于所述栅极绝缘层(30)、有源层(40)及第二光阻段(52)上的漏极(62)；
所述有源层(40)的两端分别设有源极接触区(41)与漏极接触区(42)，所述源极(61)和漏极(62)分别与所述源极接触区(41)和漏极接触区(42)相接触；
在水平方向上定义所述源极(61)位于所述漏极(62)的左侧，所述源极接触区(41)位于所述漏极接触区(42)的左侧，所述第一光阻段(51)位于所述第二光阻段(52)的左侧；
所述源极接触区(41)的右端与所述第一光阻段(51)的左端对齐，所述源极(61)的右端与所述第一光阻段(51)的右端对齐；
所述漏极接触区(42)的左端与所述第二光阻段(52)的右端对齐，所述漏极(62)的左端与所述第二光阻段(52)的左端对齐。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层(40)的材料为氧化物半导体。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物。
9.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：设于所述源极(61)、漏极(62)及有源层(40)上的钝化层(81)、以及设于所述钝化层(81)上的平坦层(82)。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层(30)与钝化层(81)的材料分别包括氧化硅与氮化硅中的一种或多种；所述平坦层(82)的材料为有机光阻。