1.一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
籽晶层，所述籽晶层设在所述衬底的上部；
缓冲层，所述缓冲层设置在所述籽晶层的上部，所述缓冲层包括氮镓铝层和氮镓铟层；以及
Ⅲ族氮化物外延层，所述Ⅲ族氮化物外延层设置在所述缓冲层的上部。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层包括单层氮镓铝层和单层氮镓铟层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氮镓铝层和/或氮镓铟层为多层，且所述氮镓铟层与所述氮镓铝层交替层叠。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，当所述氮镓铝层有多层时，所述缓存层中的每一层氮镓铝层中铝的掺杂浓度是不同的，所述氮镓铝层中铝的掺杂浓度小于等于1。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述籽晶层为氮化铝层和/或氮镓铝层。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述Ⅲ族氮化物外延层包括氮化镓外延层及氮镓铝外延层中的至少一层，且所述Ⅲ族氮化物外延层中具有由氮化镓外延层与氮镓铝外延层构成的异质结构。
8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件，其特征在于，还包括设置在所述Ⅲ族氮化物外延层中间的氮化铝插入层和/或氮镓铝插入层。
9.一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：
1)在衬底上形成包含硅掺杂氮化铝层的籽晶层；
2)在所述籽晶层上形成缓冲层，所述缓冲层包括氮镓铝层和氮镓铟层；以及
3)在所述缓冲层上形成Ⅲ族氮化物外延层。
10.根据权利要求9所述的含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括在所述Ⅲ族氮化物外延层中间形成插入层的步骤。