1.一种外延用图形化衬底，包括碳化硅层，其特征在于，所述碳化硅层的表面覆盖有图形化的石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜在与碳化硅层表面原子台阶所对应的位置具有窗口。
2.根据权利要求1所述的外延用图形化衬底，其特征在于，所述窗口的宽度范围是10纳米-3000纳米。
3.根据权利要求1所述的外延用图形化衬底，其特征在于，所述碳化硅层表面原子台阶的周期为0.1微米-3微米。
4.根据权利要求1所述的外延用图形化衬底，其特征在于，每个台阶的宽度范围是2纳米-40纳米。
5.根据权利要求1所述的外延用图形化衬底，其特征在于，所述石墨烯为1-30层。
6.一种外延用图形化衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底，所述衬底表面为碳化硅材料；
对所述碳化硅材料实施退火使硅析出，从而在碳化硅材料的表面获得石墨烯薄膜；
刻蚀石墨烯薄膜，使所述石墨烯薄膜在与碳化硅层表面原子台阶所对应的位置形成窗口。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述退火的温度范围是1000℃-1800℃，退火时间为0.5小时-5小时。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，刻蚀所述石墨烯薄膜所述采用的刻蚀气体为氢气和氨气中的一种或者其混合气体，刻蚀温度范围是500℃-1200℃。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述窗口的宽度范围是10纳米-3000纳米。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述碳化硅层表面原子台阶的周期为0.1微米-3微米。
11.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，每个台阶的宽度范围是2纳米-40纳米。
12.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述石墨烯为1-30层石墨烯。