1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：
步骤S1：制备等离子反应刻蚀RIE硅片；
步骤S2：在所述等离子反应刻蚀RIE硅片表面进行PN结扩散，形成PN结扩散层，在所述PN结扩散层的表面印刷副栅图案；
步骤S3：覆盖所述副栅图案蒸镀减反射膜，在所述等离子反应刻蚀RIE硅片的背面制备背电极；
步骤S4：在所述减反射膜上印刷主栅图案，所述主栅图案中的主栅线与所述副栅图案中的副栅线相互垂直，进行烧结后形成太阳能电池。
2.如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述制备等离子反应刻蚀RIE硅片包括：
对选取的硅片进行清洗制绒，形成第一绒面层；
在所述第一绒面层上进行反应离子刻蚀，形成第二绒面层，得到等离子反应刻蚀RIE硅片。
3.如权利要求2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述制备等离子反应刻蚀RIE硅片之后，还包括：
对所述等离子反应刻蚀RIE硅片进行刻蚀清洗从而去除边缘磷硅玻璃以及碎屑。
4.如权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，在所述等离子反应刻蚀RIE硅片表面进行PN结扩散之前，还包括：
对所述等离子反应刻蚀RIE硅片依次进行HF酸洗、ID水洗以及KOH碱洗。
5.一种太阳能电池，其特征在于，包括等离子反应刻蚀RIE硅片，以及在所述等离子反应刻蚀RIE硅片的正面依次设置的PN结扩散层、副栅图案、减反射膜以及主栅图案，所述主栅图案中的主栅线与所述副栅图案中的副栅线相互垂直。
6.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述等离子反应刻蚀RIE硅片为正表面依次设置的第一绒面层以及第二绒面层的硅片。
7.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅片为金刚线切割多晶硅片。
8.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述金刚线切割多晶硅片的厚度范围为168nm～212nm范围，面积范围为150mm*150mm～160mm*160mm。
9.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述减反射膜为SixNy减反射膜，所述SixNy减反射膜的膜厚范围为75～85nm，折射率范围为2.05～2.15。
10.如权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述主栅线的条数范围为2～6根，所述副栅线的条数范围为90～120根。