1.一种电极引线单元，其特征在于：包括玻璃基板、玻璃管壳和多个电极引线；所述玻璃管壳熔接于玻璃基板的表面；所述电极引线分布于玻璃管壳与玻璃基板的熔接面上，电极引线一端位于玻璃管壳的内侧，电极引线的另一端位于玻璃管壳的外侧。
2.根据权利要求1所述的电极引线单元，其特征在于：所述电极引线是在玻璃基板上采用半导体工艺制作的条状的金属薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的电极引线单元，其特征在于：所述金属薄膜为单一金属薄膜或者多种金属薄膜的堆叠结构。
4.一种电极引线单元的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备玻璃基板；
2)制作电极引线：采用半导体工艺在玻璃基板上制作电极引线；所述电极引线为单一金属薄膜或者多种金属薄膜的堆叠结构；
3)熔接玻璃管壳：在玻璃基板上的玻璃管壳的安装部位涂覆低熔点玻璃粉，玻璃粉的涂覆宽度大于玻璃管壳的厚度且小于电极引线的长度；将玻璃粉加热固化后形成玻璃胶；将玻璃管壳放置于玻璃胶上，使电极引线一端位于玻璃管壳内侧，电极引线的另一端位于玻璃管壳的外侧；在真空炉内加热使玻璃管壳与玻璃基板通过玻璃胶粘接在一起；降温后取出，完成电极引线单元的制作。
5.根据权利要求4所述的电极引线单元的制作方法，其特征在于：还包括步骤4)对制作好的电极引线单元进行真空检漏。
6.一种真空光电器件，包括入射窗、阴极单元和阳极单元，其特征在于：还包括电极引线单元；
所述电极引线单元包括玻璃基板、玻璃管壳和多个电极引线；所述玻璃管壳熔接于玻璃基板的表面；所述电极引线分布于玻璃管壳与玻璃基板的熔接面上；所述电极引线一端位于玻璃管壳的内侧，通过电极连接线与阳极单元相连；所述电极引线的另一端位于玻璃管壳的外侧；
所述入射窗位于玻璃管壳的顶部，所述入射窗、玻璃管壳和玻璃基板共同围成密闭的真空腔，所述阳极单元和阴极单元均位于真空腔内；所述阳极单元固定于玻璃基板上，所述阴极单元固定于入射窗底部。
7.根据权利要求6所述的真空光电器件，其特征在于：所述阳极单元是在玻璃基板上采用半导体工艺制作的阳极阵列；所述阳极阵列与光电阴极之间安装有微通道板。
8.根据权利要求6所述的真空光电器件，其特征在于：所述阳极单元是固定于玻璃基板上的半导体光电探测元件。
9.一种真空光电器件的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备玻璃基板；
2)制作电极引线：采用半导体工艺在玻璃基板上制作电极引线；所述电极引线为单一金属薄膜或者多种金属薄膜的堆叠结构；
3)采用半导体工艺在玻璃基板上制作阳极阵列；
4)熔接玻璃管壳：在玻璃基板上的玻璃管壳的安装部位涂覆低熔点玻璃粉，玻璃粉的涂覆宽度大于玻璃管壳的厚度且小于电极引线的长度；将玻璃粉加热固化后形成玻璃胶；将玻璃管壳放置于玻璃胶上，使电极引线一端位于玻璃管壳内侧，电极引线的另一端位于玻璃管壳的外侧；在真空炉内加热使玻璃管壳与玻璃基板通过玻璃胶粘接在一起，降温后取出；
5)采用引线键合工艺将阳极阵列与电极引线连接导通；
6)安装微通道板后，再将附着有光电阴极的入射窗与玻璃管壳的上端真空密封，形成多阳极微通道板真空光电探测器。
10.一种真空光电器件的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备玻璃基板；
2)制作电极引线：采用半导体工艺在玻璃基板上制作电极引线；所述电极引线为单一金属薄膜或者多种金属薄膜的堆叠结构；
3)将半导体光电探测元件固定于玻璃基板上；
4)采用引线键合工艺将半导体光电探测元件与电极引线连接导通；
5)熔接玻璃管壳：在玻璃基板上的玻璃管壳的安装部位涂覆低熔点玻璃粉，玻璃粉的涂覆宽度大于玻璃管壳的厚度且小于电极引线的长度；将玻璃粉加热固化后形成玻璃胶；将玻璃管壳放置于玻璃胶上，使电极引线一端位于玻璃管壳内侧，电极引线的另一端位于玻璃管壳的外侧；在真空炉内加热使玻璃管壳与玻璃基板通过玻璃胶粘接在一起，降温后取出；
6)将附着有光电阴极的入射窗与玻璃管壳的上端真空密封，形成混合型真空光电探测器。