1.一种CMOS图像传感器的自对准注入制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：提供一衬底，在所述衬底中形成浅沟槽隔离及深P阱；
步骤S02：在所述衬底表面依次形成注入保护层、第一牺牲层，然后图形化所述第一牺牲层，形成传输晶体管的注入窗口；
步骤S03：通过所述传输晶体管的注入窗口，向所述衬底中进行P型杂质注入；
步骤S04：在表面淀积第二牺牲层，并进行平坦化，露出所述第一牺牲层表面；
步骤S05：去除所述第一牺牲层，然后以所述第二牺牲层为传输晶体管P型杂质注入区的掩蔽层，向所述衬底中进行感光区PN结的N型杂质注入及第一P型杂质注入，在所述衬底中形成器件的N阱和P阱；
步骤S06：去除所述第二牺牲层及注入保护层。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的自对准注入制造方法，其特征在于，还包括：步骤S02中，在所述衬底表面先形成第三牺牲层，再形成注入保护层；步骤S06中，依次去除所述第二牺牲层、注入保护层及第三牺牲层。
3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的自对准注入制造方法，其特征在于，步骤S03中，向所述衬底中进行P型杂质注入包括自下而上分次进行的阱注入，防穿通注入，以及阈值电压调节注入。
4.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器的自对准注入制造方法，其特征在于，还包括步骤S07：在所述衬底表面形成栅氧化层，以及在所述栅氧化层上形成所述传输晶体管的栅极。
5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器的自对准注入制造方法，其特征在于，还包括步骤S08：在所述衬底中进行传输晶体管的源漏轻掺注入，形成栅极侧墙，以及进行传输晶体管的源漏注入。
6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器的自对准注入制造方法，其特征在于，步骤S08中，还包括形成栅极侧墙后，在感光区PN结的第一P型杂质注入区中进行第二P型杂质注入。
7.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的自对准注入制造方法，其特征在于，所述注入保护层的厚度不大于20纳米。
8.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的自对准注入制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层的厚度为100-500纳米。
9.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的自对准注入制造方法，其特征在于，所述注入保护层的材质为氮化硅，所述第一牺牲层的材质为氧化硅。
10.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器的自对准注入制造方法，其特征在于，所述第三牺牲层与所述栅氧化层的材质及厚度相同，所述第二牺牲层与所述传输晶体管栅极的材质及厚度相同。