1.一种制造阵列基板的方法，包括以下步骤：
在透明基板的显示区制作薄膜晶体管，在显示区外制作栅极控制电路；
沉积覆盖薄膜晶体管的下绝缘层，对下绝缘层进行图案化处理以使得下绝缘层不覆盖薄膜晶体管的栅极；
沉积第一金属层，对第一金属层进行图案化处理形成顶端连接薄膜晶体管的栅极的第一栅极线以及顶端连接栅极控制电路的第二栅极线；
在第一栅极线和第二栅极线上沉积上绝缘层，对上绝缘层进行图案化处理以形成分别连通第一栅极线和第二栅极线的第一通孔和第二通孔；
在上绝缘层上沉积第二金属层，对第二金属层进行图案化处理以形成第三栅极线，第三栅极线的两端分别设置有容纳于所述第一通孔且连接第一栅极线的第一引脚和容纳于所述第二通孔且连接第二栅极线的第二引脚。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一栅极线、第二栅极线和第三栅极线的延伸方向平行。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一栅极线的末端和所述第二栅极线的末端相互靠近，第一引脚和第二引脚分别连接第一栅极线的末端和第二栅极线的末端。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一栅极线的末端伸出显示区。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，在对第二金属层进行图案化处理后，在第二金属层上沉积平坦层。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在透明基板的显示区制作薄膜晶体管前先在透明基板上沉积缓冲层，薄膜晶体管沉积在缓冲层上。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一栅极线、第二栅极线和第三栅极线的材料采用铜。