1.一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，包括依次从下到上设置的蓝宝石衬底、低温GaP缓冲层、高温GaP缓冲层、GaP欧姆接触层、GaAsP过渡层、GaAs缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层，所述低温GaP缓冲层的厚度为15-50nm，所述高温GaP缓冲层的厚度为0.3-1μm，所述GaP欧姆接触层的厚度为2-5μm，所述GaAsP过渡层的厚度为0.5-1μm，所述GaAs缓冲层的厚度为0.5-1μm。
2.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，所述低温GaP缓冲层的厚度为16-45nm，所述高温GaP缓冲层的厚度为0.35-0.9μm，所述GaP欧姆接触层的厚度为2.5-4.5μm，所述GaAsP过渡层的厚度为0.6-0.9μm，所述GaAs缓冲层的厚度为0.6-0.9μm。
3.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，所述低温GaP缓冲层的厚度为25nm，所述高温GaP缓冲层的厚度为0.5μm，所述GaP欧姆接触层的厚度为3.2μm，所述GaAsP过渡层的厚度为0.52μm，所述GaAs缓冲层的厚度为0.65μm。
4.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，所述AlGaAs背场层的厚度为0.1-0.5μm，所述GaAs基层厚度为2-5um，所述GaAs发射层厚度为0.5-1um，所述AlGaAs窗口层厚度为0.03-0.1um，所述GaAs电极接触层厚度为0.2-1um。
5.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，所述AlGaAs背场层厚度为0.15-0.45μm，所述GaAs基层的厚度为3-5um，所述GaAs发射层的厚度为0.51-0.9um，所述AlGaAs窗口层的厚度为0.04-0.9um，所述GaAs电极接触层的厚度为0.2-0.9um。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，所述AlGaAs背场层厚度为0.27um，所述GaAs基层的厚度为3.2um，所述GaAs发射层的厚度为0.6um，所述AlGaAs窗口层的厚度为0.15um，所述GaAs电极接触层的厚度为0.5um。