技术总结
本实用新型涉及一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，包括依次从下到上设置的蓝宝石衬底、低温GaP缓冲层、高温GaP缓冲层、GaP欧姆接触层、GaAsP过渡层、GaAs缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层。本实用新型通过对蓝宝石衬底600‑900℃高温热处理，并且在400‑600℃生长低温GaP缓冲层，在650‑750℃生长高温GaP缓冲层，在高温GaP缓冲层生长GaP欧姆接触层，在GaP欧姆接触层上生长GaAsP过渡层；解决了蓝宝石衬底与GaAs材料的晶格匹配问题，通过高低温切换实现了GaAs材料在蓝宝石衬底上进行生长的可能性。
技术研发人员：张雨;王振华;王兴;李建委
受保护的技术使用者：山东浪潮华光光电子股份有限公司
文档号码：201620656859
技术研发日：2016.06.27
技术公布日：2016.12.07