1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、发光层、P型电子阻挡层、P型GaN层，其特征在于，所述蓝宝石衬底上设有若干凸起，所述蓝宝石衬底的中心设置的凸起的尺寸与所述蓝宝石衬底的边缘设置的凸起的尺寸不同。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述凸起的尺寸包括所述凸起的底面宽度、所述凸起的高度、所述凸起的弯曲值，所述凸起的弯曲值为所述凸起的顶点和所述凸起的底面边缘的连线与所述凸起的圆弧顶点的间距。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述凸起的底面宽度为2.6～2.9μm，所述凸起的高度为1.6～1.9μm，所述凸起的弯曲值为100～200nm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述蓝宝石衬底的中心与所述蓝宝石衬底的边缘的长度比为1:1～1:20。
5.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述蓝宝石衬底的中心设置的凸起的尺寸与所述蓝宝石衬底的边缘设置的凸起的尺寸的差值比例为5％～50％。