技术总结
本实用新型公开了一种发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、发光层、P型电子阻挡层、P型GaN层，蓝宝石衬底上设有若干凸起，蓝宝石衬底的中心设置的凸起的尺寸与蓝宝石衬底的边缘设置的凸起的尺寸不同。本实用新型通过蓝宝石衬底的中心设置的凸起的尺寸与蓝宝石衬底的边缘设置的凸起的尺寸不同，对蓝宝石衬底的边缘上生长的GaN材料和蓝宝石衬底的中心上生长的GaN材料产生不同的作用力，可以缓解由于蓝宝石衬底的边缘温度会高于蓝宝石衬底的中心温度而造成LED的发光波长不均匀的情况，提高LED的良率。
技术研发人员：胡任浩
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
文档号码：201620796338
技术研发日：2016.07.25
技术公布日：2017.01.25