一种可塑型埋容金属框架结构的制作方法

本实用新型涉及一种可塑型埋容金属框架结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术：

随着电子器件向着高功能化、微型化方向发展，电子系统中无源器件占比也来越多。目前无源器件主要采用表面贴装的方式，不仅占据了基板表面大量的空间，而且表面焊点数量多及互连长度较长，大大降低了系统的电性能、可靠性等等。为节省电路板/基板表面空间，以及提供更轻薄、性能更好、可靠性更强的电子系统，将表面贴装型无源器件转变为可埋入式无源器件被视为解决问题的趋势。在无源器件中，电容的应用最为广泛，数量也最多，所以更受关注。

目前广泛采用的电容埋入方式为：将介质材料与导体材料制成薄膜电容层，再通过诸如蚀刻等方法进行图形转移并制成所需规格的电容，最终集成到多层板的内层，完成电容的埋入。埋入技术减少了分离式无源器件的数量，从而提高了产品的布线密度、降低了后续SMT焊接成本等，并能有效降低电源噪声、电磁干扰及辐射。

现有技术中，一般在电路板内预先集成某一厚度的电容介质材料。一方面为了提高埋入电容的容值，需要减薄电容层介质材料的厚度或提高材料的介电常数，使得电容层介质的厚度一般只有几十微米，增加了埋入电容的加工难度。一方面，目前主要采用图形转移方式来形成所需电容，只有图形覆盖区域部分的电容介质材料得到利用，其它区域电容介质材料并没有得到利用，增加了埋容材料的成本。另一方面，埋入电容介质层很薄，在不同工艺过程中其尺寸稳定性较差，容易因热胀系数、残余应力等问题导致电路板产生翘曲，降低产品合格率并影响产品可靠性。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种可塑型埋容金属框架结构，能有效高线路板埋入电容的制作精度，有效提高埋入式电容线路板的合格率并大大降低生产成本。

本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种可塑型埋容金属框架结构，它包括第一线路层，所述第一线路层正面设置有第一导通层，所述第一线路层和第二导通层外围包封有第一塑封料，所述第一塑封料正面与第一导通层正面齐平，所述第一塑封料正面上开设有腔体，所述腔体内填充有电容介质材料，所述第一导通层正面设置有第二线路层，所述电容介质材料被覆盖于第二线路层下方，所述第二线路层正面设置有第二导通层，所述第二线路层和第二导通层外围包封有第二塑封料，所述第二塑封料正面与第二导通层正面齐平。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：

1、本实用新型形成埋入电容介质所需空腔的加工方式灵活，比如采用UV激光切割烧蚀或者采用控深铣技术等，加工制作工艺简便，通过控制空腔的厚度及面积大小，调整填充电容材料的体积，达到不同容值电容的埋入；

2、本实用新型能有效高线路板埋入电容的制作精度，有效提高埋入式电容线路板的合格率并大大降低生产成本；

3、本实用新型与现有技术相比，一方面，降低了加工埋入超薄电容层的加工难度，通过灵活的去除包封材料方式取代了繁琐的传统技术，大大降低了加工成本；另一方面，电容埋入层得到最大程度利用，避免了现有技术中电容埋入层的浪费，大大降低了材料成本；再者，由于载板的存在增强了整体的刚性，大大降低了传统技术中由于电容介质层尺寸稳定性差、容易因热胀系数、残余应力等问题导致电路板产生翘曲的可能，从而保证了埋容金属框架线路板产品高合格率及产品高可靠性。

附图说明

图1~图10为本实用新型一种可塑型埋容金属框架结构的工艺方法的各工序流程图。

图11为本实用新型一种可塑型埋容金属框架结构的示意图。

其中：

第一线路层1

第一导通层2

第一塑封料3

腔体4

电容介质材料5

第二线路层6

第二导通层7

第二塑封料8。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。

如图11所示，本实施例中的一种可塑型埋容金属框架结构，它包括第一线路层1，所述第一线路层1正面设置有第一导通层2，所述第一线路层1和第二导通层2外围包封有第一塑封料3，所述第一塑封料3正面与第一导通层2正面齐平，所述第一塑封料3正面上开设有腔体4，所述腔体4内填充有电容介质材料5，所述第一导通层2正面设置有第二线路层6，所述电容介质材料5被覆盖于第二线路层6下方，所述第二线路层6正面设置有第二导通层7，所述第二线路层6和第二导通层7外围包封有第二塑封料8，所述第二塑封料8正面与第二导通层7正面齐平。

其工艺方法如下：

步骤一、参见图1，取一金属载板；

步骤二、参见图2，在金属载板上形成第一线路层；

步骤三、参见图3，在第一线路层的对应位置形成第一导通层；

步骤四、参见图4，采用塑封料对第一线路层和第一导通层外围进行包封，并使第一导通层上端露出塑封料；

步骤五、参见图5，在需要制作电容的位置处进行去塑封料处理，以形成埋入电容介质材料所需的腔体；

步骤六、参见图6，在步骤五形成的腔体内填充电容介质材料，并控制电容材料表面预腔体上表面齐平；

步骤七、参见图7，在完成步骤六的结构表面形成第二线路层，从而形成电容的埋入；

步骤八、参见图8，在第二线路层的对应位置形成第二导通层；

步骤九、参见图9，采用塑封料对第二线路层和第而导通层外围进行包封，并使第二导通层上端露出塑封料；

步骤十、参见图10，对金属载板背面进行开窗处理。

除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。