一种多层电子支撑结构的制作方法

本实用新型涉及一种多层电子支撑结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术：

目前的半导体行业，电子元件越来越复杂需求其尺寸越来越小，诸如计算机和电信设备等消费电子的集成度越来越高，需要支撑结构如印刷线路板具有高密度且通过介电材料彼此电绝缘的多个导电层。

对于这种支撑结构的总体要求是可靠性以及适当的电气性能、薄度、硬度、平整度、优良的散热性和有竞争力的单价。

目前有多种制作方法可以实现支撑结构的制作，其中有一种比较新型的线路板通过实心铜柱互联导通，比传统的通过在介电孔内设电镀层互联导通的方式更容易控制且可靠性更好，因此，实心铜柱的互联导通方式更多的使用在多层电子结构中。

传统的通过实心铜柱互联导通方式制作多层电子支撑结构的方法，需要：1.在底板上覆盖光刻胶层，2.曝光显影形成所需图形的负性特征图案，3.电镀得到第一层特征层，4.继续覆盖光刻胶层，5.曝光显影形成所需图形的负性特征图案，6.电镀得到第二层特征层，7.去除光刻胶层，8.用介电材料填充包覆金属层，9.研磨以露出金属层，10.再次覆盖光刻胶层，11.曝光并显影在底板上形成需要露出金属面的图案，12.蚀刻以露出金属层图形，13.表面处理，其制得的多层电子支撑结构如图1所示，这种工艺受到能力限制，它必须保证第二层特征层金属表面比第一层小，使得很多需求内外金属面相同大小的设计无法实现。这样就有了此工艺的升级版本，其1~9同上述1~9步骤，10.第二特征层面整面沉积金属，11.覆盖光刻胶层，12.曝光显影得到第三层金属图形的负性图形，13.电镀得到第三层金属层，14.覆盖光刻胶层，15. 曝光显影得到第四层金属图形的负性图形，16.电镀得到第四层金属层，17除去光刻胶层，18.将特征金属层使用介电材料包覆，19.研磨以露出金属层，20.表面处理，其制得的多层电子支撑结构如图2所示，上述的第一种工艺无法实现客户图纸上下金属层相似大小的需求，而第二种工艺流程生产周期、成本材料都相对多了一倍，缺少成本优势。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种多层电子支撑结构，它解决了传统工艺无法实现或成本周期劣势的缺点，而且产品的厚度可以做到超薄，从而大大提高了产品在市场上的竞争优势。

本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种多层电子支撑结构，它包括引脚，所述引脚包括第一层特征层、第二层特征层和第三层特征层，所述第二层特征层和第三层特征层通过一次电镀形成，所述第三层特征层不小于第一层特征层，所述第一层特征层、第二层特征层和第三层特征层外包覆有介电材料，所述第三层特征层表面设置有微蚀刻凹槽。

所述微蚀刻凹槽上设置凸起特征层。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：

本实用新型一种多层电子支撑结构，它解决现有技术流程长、封装厚、成本高的问题。从制作工艺来看，它采用预包封的方法制作基板，在原有工艺上进行优化，不同于原工艺的需要两次预包封，只需要一次预包封即可以实现内外引线层图形相同的需求，原有的生产成本、生产周期都可以减少一半，产品的厚度也可以做到更薄，解决了传统工艺无法实现或成本周期劣势的缺点；从产品结构来看，它实现了内外引线层相同大小的设计，从而节约了布线空间，使得封装尺寸更加小，实现更高的集成度；并且由于内外金属层的面积都大于中间层金属，使得金属能够与介电材料形成较强的支撑作用，形成优越的锁胶性能。该实用新型的结构的高集成度、超薄厚度、更小尺寸、优越的锁胶性能以及工艺流程的优化、生产周期、成本的降低使得产品在市场上的竞争优势大大提高。

附图说明

图1为传统的实心铜柱互联导通方式制作的多层电子支撑结构的示意图。

图2为传统的实心铜柱互联导通方式的升级工艺制作的多层电子支撑结构的示意图。

图3为本实用新型一种多层电子支撑结构的示意图。

图4~图16为本实用新型一种多层电子支撑结构制造方法的各工序流程图。

其中：

第一层特征层1

第二层特征层2

第三层特征层3

介电材料4

微蚀刻凹槽5。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。

如图3所示，本实施例中的一种多层电子支撑结构，它包括引脚，所述引脚包括第一层特征层1、第二层特征层2和第三层特征层3，所述第二层特征层2和第三层特征层3通过一次电镀形成，所述第三层特征层3不小于第一层特征层1，所述第一层特征层1、第二层特征层2和第三层特征层3外包覆有介电材料4，所述第三层特征层3表面设置有微蚀刻凹槽5；

所述微蚀刻凹槽5上设置凸起特征层。

其制造方法如下：

步骤一、参见图4，取一金属板作为底板；

步骤二、参见图5，在底板上覆盖光刻胶层，曝光并显影在底板正面形成第一层特征层所需图形的负性特征图案；

步骤三、参见图6，电镀以制作第一特征层；

步骤四、参见图7，继续施加第二层光刻胶层，曝光并显影在底板正面形成第二层特征层所需图形的负性特征图案；

步骤五、参见图8，继续施加第三层光刻胶层，曝光并显影在底板正面形成第三层特征层所需图形的负性特征图案；

步骤六、参见图9，一次电镀同时制作第二、三层特征层；

步骤七、参见图10，去除光刻胶层；

步骤八、参见图11，用介电材料包覆所有特征层；

步骤九、参见图12，研磨介电材料面以露出最外层特征层图形；

步骤十、参见图13，两面覆盖光刻胶层，曝光并显影在底板背面形成开窗所需图形的图案，蚀刻开窗以露出第一层特征层的图形；

步骤十一、参见图14，去除光刻胶层；

步骤十二、参见图15，在最外层特征层表面通过微蚀刻形成凹槽；

步骤十三、参见图16，凹槽区域进行电镀形成凸起特征层。

所述步骤五可重复进行多次，从而更多层数的特征层；

通过步骤十二或步骤十二加步骤十三两种表面处理方式可以分别使最外层特征层实现凹进去或凸起来的结构。

除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。