贴片式LED封装架的制作方法

本实用新型涉及LED封装领域，更具体的讲是一种贴片式LED封装架。

背景技术：

贴片式LED由于其使用寿命长、体积小、高亮度、低热量等优点在照明领域得到广泛应用。现有的贴片式LED通常包括封装壳、固设与封装壳内的金属电极、晶片以及封装胶组成，封装壳设有灯槽。生产时，将晶片放置于灯槽内并用金属丝线将其与金属电极连接，再用透明的封装胶密封填充灯槽并将晶片包裹。现有封装壳与金属电极之间的设置方式比较单一，通常将金属电极固设于封装壳，金属电极与封装壳的接触面为平面，金属电极与封装壳之间连接不够紧密，容易出现缝隙，导致金属电极松动，从而影响LED的使用寿命。

技术实现要素：

本实用新型提供一种贴片式LED封装架，目的在于解决现有贴片式LED存在金属电极与封装壳之间连接不够紧密的问题。

本实用新型采用如下技术方案：

贴片式LED封装架，包括设有灯槽的封装壳，该封装壳内设有裸露于灯槽底面的正电极和负电极，所述灯槽包括呈上大下小的圆锥形的灯槽上段和呈圆柱形的灯槽下段，所述封装壳的底部设有用于嵌设正电极的第一凹槽和用于嵌设负电极的第二凹槽，所述封装壳的底部在第一凹槽和第二凹槽之间形成一横跨于灯槽下段的分割条，并将灯槽下段分为第一镂空部和第二镂空部，所述正电极设有与第一镂空部相适配的第一凸台，所述负电极设有与第二镂空部相适配的第二凸台。

进一步，所述正电极和负电极均设有两个柱体和一个通孔，所述第一凹槽和第二凹槽均设有两个与柱体相配合的盲孔和一个与通孔相配合的圆柱。

进一步，所述正电极和负电极对应嵌设于第一凹槽和第二凹槽内时，所述正电极和负电极的底面均与封装壳的底面相平齐。

由上述对本实用新型结构的描述可知，本实用新型具有如下优点：

其一、本实用新型，包括封装壳、正电极和负电极，灯槽包括呈上大下小的圆锥形的灯槽上段和呈圆柱形的灯槽下段，封装壳的底部设有第一凹槽和第二凹槽，封装壳的底部在第一凹槽和第二凹槽之间形成一分割条，并将灯槽下段分为第一镂空部和第二镂空部，正电极设有与第一镂空部相适配的第一凸台，所述负电极设有与第二镂空部相适配的第二凸台。当正电极和负电极对应嵌设于第一凹槽和第二凹槽内时，第一凸台嵌设于第一镂空部，第二凸台嵌设于第二镂空部，使封装壳与正电极和负电极之间的交界面增大并且凹凸不平、上下错开，可以很好的让封装壳与正电极和负电极连接的更加紧密，防止正、负电极松动。

其一、本实用新型，封装壳的底部设有第一凹槽和第二凹槽，封装壳的底部在第一凹槽和第二凹槽之间形成一横跨于灯槽底部的分割条，所述正电极和负电极均设有两个柱体和一个通孔，所述第一凹槽和第二凹槽均设有两个与柱体相配合的盲孔和一个与通孔相配合的圆柱。当正电极和负电极对应嵌设于第一凹槽和第二凹槽内时，柱体与盲孔相插接，通孔与圆柱相插接，使封装壳与正电极和负电极之间的交界面增大并且凹凸不平、上下错开，可以更好的让封装壳与正电极和负电极连接的更加紧密，防止正、负电极松动。

附图说明

图1为本实用新型的拆解结构示意图。

图2为本实用新型中封装壳的倒置示意图。

图3为本实用新型的结构示意图。

图4为本实用新型的倒置示意图。

具体实施方式

下面参照附图说明本实用新型的具体实施方式。

如图1、图2、图3和图4所示，一种贴片式LED封装架，包括设有灯槽11的封装壳1，该封装壳1内设有裸露于灯槽11底面的正电极2和负电极3。其中灯槽11包括呈上大下小的圆锥形的灯槽上段111和呈圆柱形的灯槽下段112。封装壳1的底部设有用于嵌设正电极2的第一凹槽12和用于嵌设负电极3的第二凹槽13，使得封装壳1的底部在第一凹槽12和第二凹槽13之间形成一横跨于灯槽下段112的分割条14。

如图1、图2、图3和图4所示，分割条14将灯槽下段112分为第一镂空部101和第二镂空部102。正电极2设有与第一镂空部101相适配的第一凸台23，负电极3设有与第二镂空部102相适配的第二凸台33。当正电极2嵌设于第一凹槽12内时，第一凸台23嵌设于第一镂空部101中；当负电极3嵌设于第二凹槽13内时，第二凸台33嵌设于第二镂空部102中。

如图1、图2、图3和图4所示，正电极2均设有两个柱体21和一个通孔22，第一凹槽12设有两个与柱体21相配合的盲孔121和一个与通孔22相配合的圆柱122。同样的，负电极3均设有两个柱体31和一个通孔32，第二凹槽13设有两个与柱体31相配合的盲孔131和一个与通孔32相配合的圆柱132。

如图1、图2、图3和图4所示，正电极2和负电极3对应嵌设于第一凹槽12和第二凹槽13内时，正电极2和负电极3的底面均与封装壳1的底面相平齐。并且正电极2的一端与分割条14相贴，另一端延伸至第一凹槽12外；负电极3的一端与分割条14相贴，另一端延伸至第二凹槽13外。

上述仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的设计构思并不局限于此，凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动，均应属于侵犯本实用新型保护范围的行为。