1.一种霍尔集成器件，其特征在于，包括化合物半导体霍尔元件以及形成在所述霍尔元件上方的信号放大元件，用于所述霍尔元件的信号放大；
所述信号放大元件为化合物半导体同质结晶体管或化合物半导体异质结晶体管。
2.根据权利要求1所述的霍尔集成器件，其特征在于，所述信号放大元件为异质结晶体管。
3.根据权利要求2所述的霍尔集成器件，其特征在于，所述霍尔元件包括层叠设置的衬底、功能层和第一电极。
4.根据权利要求3所述的霍尔集成器件，其特征在于，所述异质结晶体管包括层叠设置的亚集电区、集电区、基区、发射区、接触层和第二电极，以及分别形成在所述亚集电区和所述集电区上的第三电极和第四电极。
5.根据权利要求4所述的霍尔集成器件，其特征在于，所述基区面积小于所述集电区面积，所述第四电极直接形成在所述集电区与所述基区形成的平台上；
所述集电区面积小于所述亚集电区面积，所述第三电极直接形成在所述集电区与所述亚集电区形成的平台上。
6.根据权利要求5所述的霍尔集成器件，其特征在于，所述信号放大元件在所述霍尔元件上的投影面积小于所述霍尔元件靠近所述信号放大元件的表面面积，所述第一电极直接形成在所述信号放大元件与所述霍尔元件形成的平台上。
7.根据权利要求6所述的霍尔集成器件，其特征在于，还包括形成在所述霍尔元件和所述信号放大元件之间的腐蚀阻挡层。
8.根据权利要求7所述的霍尔集成器件，其特征在于，还包括形成在所述功能层与所述腐蚀阻挡层之间的晶格渐变层。
9.根据权利要求8所述的霍尔集成器件，其特征在于，所述霍尔元件为砷化镓霍尔元件、砷化铟霍尔元件或锑化铟霍尔元件中的一种。