技术总结
本实用新型属于传感技术领域，所述的霍尔集成器件，包括化合物半导体霍尔元件以及形成在所述霍尔元件上方的信号放大元件，用于所述霍尔元件的信号放大；所述信号放大元件为化合物半导体同质结晶体管或化合物半导体异质结晶体管。信号放大元件设置在霍尔元件上方，不但集成度高，而且避免了衬底种类对信号放大元件的影响，可适用霍尔元件种类范围广，有效降低了制造成本。
技术研发人员：胡双元;朱忻;黄勇
受保护的技术使用者：苏州矩阵光电有限公司
文档号码：201620955325
技术研发日：2016.08.26
技术公布日：2017.04.26