OLED触控显示面板及触控显示装置的制作方法

本实用新型涉及一种OLED触控显示面板、具有OLED触控显示面板的触控显示装置，属于OLED触控显示技术领域。

背景技术：

平面显示技术的种类较多，包括液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光二极管显示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)等。OLED是主动发光器件，具有高对比度、广视角、低功耗、响应速度快、体积更薄以及可柔性化等特点，受到了越来越多的关注，有望成为下一代主流平面显示技术，是目前平面显示技术中受到关注最多的技术之一。OLED的发光原理是在两个电极(阳极和阴极)之间沉积非常薄的有机发光材料(有机发光层)，对有机发光材料通以电流，通过载流子注入和复合而导致发光。

随着便携式电子显示设备的发展，触控技术提供了一种新的人机互动界面，其在使用上更直接、更人性化。将触控技术与平面显示技术整合在一起，形成触控显示装置，能够使平面显示装置具有触控功能，可通过手指、触控笔等执行输入，操作更加直观、简便。应用于触控显示装置的触控技术大抵分成电容式与电阻式两种，近年来电容式的触控显示装置的市场占有率逐渐成长，已超越电阻式触控显示装置而成为市场的主流技术。电容式的触控利用改变面板的电容造成电流变化，进而转换成电位变化，以判断使用者的触碰坐标。电容式的触控显示装置更可进一步细分成单层电容式触控显示装置以及双层电容式触控显示装置，双层电容式的触控显示装置的触摸传感器分别设置成两个感应电极层(驱动电极和感测电极)，中间间隔一绝缘材料，通过两个感应电极层上的导电图案交错设置，以感测并判断使用者手指触控的位置。

目前比较常用的触控技术包括外挂式触控技术和内嵌式触控技术。内嵌式触控技术是指将触摸传感器集成到显示面板内部，由于内嵌式触控技术相比外挂式触控技术能够使显示装置更轻薄，因此内嵌式触控技术应于OLED显示装置更被关注。现有的内嵌式触控技术需要在原有的显示基板技术的基础上增加薄膜层和工艺流程，因此会造成结构、制程均比较复杂，制造工艺难度增加造成良品率下降低等不良影响，增加了制造成本。

再有，在OLED显示装置中，内嵌式触控技术的驱动电极和感测电极一般集成在薄膜晶体管(TFT)像素阵列基板上，内嵌式触控技术驱动时要求高频信号，而OLED显示是低频信号驱动，因此内嵌式触控技术搭载OLED显示会面临信号相互干扰的问题，从而制约了客户体验。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种OLED触控显示面板，能有效地降低制作成本。

本实用新型实施例提供一种OLED触控显示面板，包括基板、第一电极层、像素限定层、有机发光层、隔离支撑结构、第二电极层和覆盖保护层；第一电极层形成在基板上，第一电极层包括间隔设置的第一电极和第一触控电极；像素限定层形成在基板上并具有开口，像素限定层覆盖第一电极的四周边缘部分，第一电极的中间部分从开口露出；有机发光层填入像素限定层的开口内并覆盖从开口露出的第一电极；隔离支撑结构形成在像素限定层上，第二电极层形成在基板上并覆盖像素限定层、隔离支撑结构和有机发光层；第二电极层被隔离支撑结构与像素限定层之间形成的台阶分隔成相互不接触的第二电极和第二触控电极，第二触控电极位于隔离支撑结构上并覆盖隔离支撑结构；覆盖保护层形成在基板上并覆盖第二电极层。

进一步地，第一极层为堆叠结构，包括反射金属层、介电层和第一电极；反射金属层设置在基板上，反射金属层包括间隔设置的反射层和第一触控电极；介电层设置在基板上并覆盖反射金属层，第一电极设置在介电层上，第一电极位于反射层的正上方。

进一步地，第一电极层为多层结构，包括间隔设置的第一电极和第一触控电极。

进一步地，隔离支撑结构是具有上宽下窄的倒梯形横截面的结构。

进一步地，隔离支撑结构的材料是负性光阻材料。

进一步地，第一电极为OLED发光元件的阳极，第二电极为OLED发光元件的阴极。

进一步地，第一触控电极为触摸传感器中的驱动电极，第二触控电极为触摸传感器中的感测电极。

本实用新型还提供一种触控显示装置，包括上述的OLED触控显示面板。

本实用新型实施例提供的OLED触控显示面板，其OLED发光元件由第一电极层中的第一电极、第二电极层中的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机发光层形成，发光元件的四周设有用于将有机发光层密封于第一电极和第二电极之间的像素限定层。OLED触控显示面板的触摸传感器由第一电极层中的第一触控电极和第二电极层中的第二触控电极形成。本实用新型的OLED触控显示面板在制作第一电极时图形化生成第一触控电极，通过在像素限定层上制作隔离支撑结构，在沉积第二电极时同时生成与第二电极不接触的第二触控电极，从而在不明显增加现有工艺的情况下形成触摸传感器的驱动电极和感测电极，降低了制作成本。

附图说明

图1是本实用新型第一实施例的OLED触控显示面板的剖面结构示意图。

图2a至图2f是本实用新型第一实施例的OLED触控显示面板的制作流程示意图。

图3是本实用新型第二实施例的OLED触控显示面板的剖面结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及实施例，对本实用新型的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

本实用新型的OLED触控显示面板的触控技术为内嵌式触控技术，图1是本实用新型第一实施例的OLED触控显示面板的剖面结构示意图，如图1所示，本实用新型第一实施例提供的OLED触控显示面板100包括基板110、第一电极层120、像素限定层130、有机发光层140、隔离支撑结构150、第二电极层160和覆盖保护层170。其中，第一电极层120形成在基板110上，第一电极层120包括在竖直方向上间隔设置的第一电极123和第一触控电极121b；像素限定层130形成在基板110上并具有开口131，像素限定层130覆盖第一电极123的四周边缘部分，第一电极123的中间部分从开口131露出；有机发光层140填入像素限定层130的开口131内并覆盖从开口131露出的第一电极123；隔离支撑结构150形成在像素限定层130上，第二电极层160形成在基板110上并覆盖像素限定层130、隔离支撑结构150和有机发光层140；第二电极层160被隔离支撑结构150与像素限定层130之间形成的台阶分隔成相互不接触的第二电极162和第二触控电极164，第二触控电极164位于隔离支撑结构150上并覆盖隔离支撑结构150；覆盖保护层170形成在基板110上并覆盖第二电极层160。

具体地，基板110例如为薄膜晶体管(TFT)像素阵列基板，包括多条扫描线、多条数据线、在扫描线和数据线的交叉位置处设置的薄膜晶体管、以及存储电容等，薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极等，此为本领域技术人员所熟知技术，在此不再赘述。

第一电极层120为分离分割堆叠结构，包括反射金属层121、介电层122和第一电极123。

反射金属层121形成在基板110上，反射金属层121例如由具有高反射率的导电金属或合金等制成，具体例如为银、铝等。反射金属层121包括图案化形成的在水平方向上间隔设置的第一触控电极121b和反射层121a。第一触控电极121b例如为触摸传感器中的驱动电极。反射层121a用于对后述形成的有机发光层140发射的光线进行全反射。

介电层122形成在基板110上并覆盖反射金属层121，介电层122例如由有机绝缘材料制成。

第一电极123形成在介电层122上。第一电极123位于反射金属层121的上方。第一电极123例如为OLED发光元件的阳极。第一电极123采用无机材料或有机导电聚合物。无机材料一般为氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)等金属氧化物或金、铜、银等功函数较高的金属，优选ITO；有机导电聚合物优选为聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸钠(PEDOT/PSS)、聚苯胺(PANI)中的一种。

像素限定层130用于将后述形成的有机发光层140间隔开来并密封在第一电极123和第二电极162之间。像素限定层130例如由聚酰亚胺等正性光阻材料通过光刻或印刷制成。像素限定层130具有开口131，像素限定层130覆盖每个第一电极123的四周边缘部分，每个第一电极123的中间部分从开口131露出。

有机发光层140形成在像素限定层130的开口131内并覆盖从开口131露出的部分第一电极123。有机发光层140一般包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层或多层结构堆叠形成。有机发光层140的结构为本领域技术人员所熟知技术，在此不再赘述。

隔离支撑结构150形成在像素限定层130上。本实施例中，隔离支撑结构150是具有上宽下窄的倒梯形横截面的结构，隔离支撑结构150远离像素限定层130一侧的表面积要大于靠近像素限定层130一侧的表面积。隔离支撑结构150例如由负性光阻材料制成。

第二电极层160形成在基板110上并覆盖像素限定层130、有机发光层140和隔离支撑结构150，第二电极层160被隔离支撑结构150与像素限定层130之间形成的台阶分隔成相互不接触的第二电极162和第二触控电极164，即隔离支撑结构150的侧面有部分从第二电极162和第二触控电极164之间露出。第二电极162位于未被隔离支撑结构150覆盖的像素限定层130和有机发光层140的上方(即第二电极162覆盖了有机发光层140和未被隔离支撑结构150覆盖的像素限定层130部分)，第二触控电极164位于隔离支撑结构150的上方(即第二触控电极164覆盖了隔离支撑结构150)。第二电极层160一般采用锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属或它们与铜、金、银的合金，或金属与金属氟化物交替形成的电极层。第二电极162例如为发光元件的阴极，第二触控电极164例如为触摸传感器中的感测电极。

覆盖保护层170形成在基板110上并覆盖第二电极层160以及从第二电极层160露出的隔离支撑结构150。覆盖保护层170例如是由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧氮化硅等形成的单层或多层结构，覆盖保护层170用于阻隔水、氧气以及对有机发光层140发射的光线进行全反射等。

图2a至图2f是本实用新型第一实施例的OLED触控显示面板的制作流程示意图，OLED触控显示面板的制作方法包括如下步骤：

步骤S11：如图2a所示，提供基板110，在基板110上形成第一电极层120的金属反射层121。具体地，在基板110上先通过真空溅射或蒸镀法等方法沉积一层具有高反射率的导电材料层，然后通过光刻工艺对该导电材料层进行蚀刻图案化以形成第一电极层120的金属反射层121。金属反射层121包括间隔设置的第一触控电极121b和反射层121a。

步骤S12：如图2b所示，在基板110上涂布或沉积一层介电层122覆盖金属反射层121，然后在介电层122上形成第一电极123。具体地，介电层122形成后，在介电层122上通过真空溅射或蒸镀法沉积一层导电材料层，然后通过光刻工艺对该导电材料层进行蚀刻图案化以形成第一电极123，其中形成的第一电极123位于反射层121a的上方。

步骤S13：如图2c所示，形成像素限定层130。具体地，在第一电极层120上涂布或沉积一层光阻材料层，通过曝光显影形成像素限定层130，形成的像素限定层130具有开口131，像素限定层130覆盖每个第一电极123的四周边缘部分，每个第一电极123的中间部分从开口131露出。

步骤S14：如图2d所示，形成有机发光层140。具体地，通过蒸镀工艺形成具有红、绿、蓝三种颜色的有机发光层140，每种颜色的有机发光层140形成在像素限定层130对应的开口131中并覆盖从该开口131中露出的部分的第一电极123。

步骤S15：如图2e所示，在像素限定层130上形成隔离支撑结构150，具体的，涂布或沉积一层负性光阻材料层，通过曝光显影在像素限定层130上形成隔离支撑结构150，由于负性光阻材料的特性，所形成的隔离支撑结构150具有上宽下窄的倒梯形横截面的结构。

步骤S16：如图2f所示，形成第二电极层160。具体地，通过磁控溅射等方法沉积一层具有导电材料层以形成第二电极层160，形成的第二电极层160被隔离支撑结构150与像素限定层130之间形成的台阶分隔成相互不接触的第二电极162和第二触控电极164，其中，第二电极162位于像素限定层130和有机发光层140的上方，第二触控电极164位于隔离支撑结构150的上方。之后在第二电极层160上涂布或沉积一层覆盖保护层170(如图1所示)。

图3是本实用新型第二实施例的OLED触控显示面板的剖面结构示意图，如图3所示，第二实施例的OLED触控显示面板200与第一实施例的OLED触控显示面板100大致相同，不同之处在于，第二实施例的OLED触控显示面板200的第一电极层220为多层结构，第一电极层220例如由氧化铟锡-银-氧化铟锡的三层材料、银或铝等材料制成，使得第一电极层220同时具有导电和反射性能。第一电极层220包括间隔设置的第一电极222和第一触控电极224。

具体地，OLED触控显示面板200包括基板210、第一电极层220、像素限定层230、有机发光层240、隔离支撑结构250、第二电极层260和覆盖保护层270；所述第一电极层220形成在所述基板210上，所述第一电极层220包括间隔设置的第一电极222和第一触控电极224；所述像素限定层230形成在所述基板210上并具有开口231，所述像素限定层230覆盖所述第一电极222的四周边缘部分，所述第一电极222的中间部分从所述开口231露出；所述有机发光层240填入所述像素限定层230的开口231内并覆盖从所述开口231露出的所述第一电极222；所述隔离支撑结构250形成在所述像素限定层230上，所述第二电极层260形成在所述基板210上并覆盖所述像素限定层230、所述隔离支撑结构250和所述有机发光层240；所述第二电极层260被所述隔离支撑结构250与所述像素限定层230之间形成的台阶分隔成相互不接触的第二电极262和第二触控电极264，所述第二触控电极264位于所述隔离支撑结构250上并覆盖所述隔离支撑结构250；所述覆盖保护层270形成在所述基板210上并覆盖所述第二电极层260。

第二实施例的OLED触控显示面板200制作方法的步骤大致可参考第一实施例的OLED触控显示面板100的制作方法，第二实施例的OLED触控显示面板200与第一实施例的OLED触控显示面板100的制作方法的不同之处在于：在形成第一极层220时，通过真空溅射或蒸镀法在基板210上沉积多层由不同的材料(如依次为氧化铟锡-银-氧化铟锡的三层材料层)形成导电材料层，然后通过光刻工艺对该导电材料层进行蚀刻图案化以形成间隔设置的第一电极222和第一触控电极224。之后形成像素限定层230、有机发光层240、隔离支撑结构250、第二电极层260和覆盖保护层270的方法可参考第一实施例，在此不再赘述。

本实用新型还涉及一种触控显示装置，其包括上述的OLED触控显示面板。

本实用新型的OLED触控显示面板的OLED发光元件由第一电极层中的第一电极、第二电极层中的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机发光层形成，发光元件的四周设有用于将有机发光层密封于第一电极和第二电极之间的像素限定层。OLED触控显示面板的触摸传感器由第一电极层中的第一触控电极和第二电极层中的第二触控电极形成。

本实用新型的OLED触控显示面板在制作第一电极时图形化生成第一触控电极，通过在像素限定层上制作隔离支撑结构，在沉积第二电极时同时生成与第二电极不接触的第二触控电极，从而在不明显增加现有工艺的情况下形成触摸传感器的驱动电极和感测电极，能有效地降低制作成本。

进一步地，将触摸传感器的驱动电极和感测电极制作在OLED显示元件的阳极和阴极的旁边，避免了信号相互干扰的问题。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。