1.一种SBD器件，其特征在于，包括：
金属层；
设置在所述金属层上的缓冲层；
设置在所述缓冲层上的重掺杂n-GaN层；
设置在所述重掺杂n-GaN层上的微量掺杂n-GaN层；
设置在所述微量掺杂n-GaN层上的肖特基阻挡金属层。
2.根据权利要求1所述的SBD器件，其特征在于，所述金属层设有突起区域和非突起区域，所述金属层与重掺杂n-GaN层接触。
3.根据权利要求2所述的SBD器件，其特征在于，所述非突起区域与所述缓冲层之间设有基板层。
4.根据权利要求3所述的SBD器件，其特征在于，所述基板层的材料为硅。
5.根据权利要求1-4任一项所述的SBD器件，其特征在于，所述微量掺杂n-GaN层的厚度为0.1μm-0.5μm。
6.根据权利要求1-4任一项所述的SBD器件，其特征在于，所述重掺杂n-GaN层的厚度为0.1μm-0.5μm。
7.根据权利要求6所述的SBD器件，其特征在于，所述重掺杂n-GaN层包含若干层的应变控制层和若干层的掩蔽层，所述应变控制层的层数≥0；所述掩蔽层的层数≥0。
8.根据权利要求1-4任一项所述的SBD器件，其特征在于，所述缓冲层的材料为氮化镓、氮化铝或氮化镓铝。
9.根据权利要求1-4任一项所述的SBD器件，其特征在于，所述肖特基阻挡金属层的材料为W、Ti/W、TiN、Ni或Au；所述金属层的材料为Ni/Au、Ti/Al、Ti/Al/Ni/Au或Ti/Al/Pt/Au。