引线框架的防崩边结构的制作方法

本实用新型涉及半导体的引线框架技术领域，具体来说涉及一种引线框架的防崩边结构。

背景技术：

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合线材(金丝，铝丝，铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件。引线框架起到了和外部导线连接的桥梁作用，且绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。

如图1显示一种引线框架10设于塑封体上的结构示意图及A-A剖线，以及图2显示图1中引线框架10于A-A剖线的结构剖视示意图。所述引线框架10具有概呈十字的轮廓外形，所述引线框架10成形有主体框架11，以及自所述主体框架11中段的两侧朝相反方向延伸形成的二连接框架12，所述二连接框架12与所述主体框架11之间具有一连接区101连接，所述主体框架11与所述连接框架12具有相同的厚度，所述连接区101上突起形成有厚度大于主体框架11及连接框架12厚度的二引脚13、14；所述主体框架11的两端概呈方形且中间沿其两端连接方向开设有一凹槽15。其中，所述连接区101具有二边缘16连接所述主体框架11及连接框架12，所述边缘16成形为斜向弧形边缘，所述边缘16具体包括凸弧段161以及位于所述凸弧段两侧以分别和主体框架11及连接框架12连接凹弧段162、163。

值得注意的是，引线框架10在组装后需要进一步切割以形成塑封体，其切割线CL如图1所示落在所述边缘16的凹弧段162、163上，由于所述边缘16成形为斜向弧形边缘，与切割线CL之间为非平行关系，导致凹弧段162、163所受到的切应力不平均，进而在切割时容易导致引线框架10崩边(package saw)，甚至牵引引线框架10与塑封胶分离而分层，且在封装后也容易发生翘曲(warpage)现象，明显降低了半导体产品的生产良率，而有待进一步改进。

技术实现要素：

鉴于上述情况，本实用新型提供一种引线框架的防崩边结构，通过引线框架的引脚周围的连接筋外形轮廓成形为直角结构，以避免引线框架因连接筋的轮廓形状，致使切割时受力不均导致引线框架发生崩边、分层以及封装后易翘曲等技术问题，达到确实提高半导体产品生产良率以及降低了不必要的生产耗损等有益技术效果。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案是提供一种引线框架的防崩边结构，所述引线框架成形有主体框架，以及自所述主体框架中段的两侧朝相反方向延伸形成的二连接框架，所述二连接框架与所述主体框架之间具有连接区连接，所述连接区具有二边缘连接所述主体框架及连接框架；所述主体框架与所述连接框架具有相同的厚度，所述连接区上突起形成有厚度大于所述主体框架及所述连接框架厚度的二引脚；其中，所述防崩边结构包括：所述连接区的边缘包括一凸圆角及二直线段连接构成直角结构，且所述直线段与所述主体框架边缘及连接框架边缘之间分别通过凹圆角连接。

本实用新型引线框架的防崩边结构的进一步改进在于，所述主体框架两端呈方形且中间沿其两端连接方向开设有一凹槽。

本实用新型引线框架的防崩边结构的更进一步改进在于，所述凹槽具有对应所述二连接框架的相对二槽侧，所述主体框架自所述凹槽的其中一槽侧朝向所述凹槽内部突出形成凸部。

本实用新型引线框架的防崩边结构的进一步改进在于，所述引脚的截面至少具有一角与所述边缘的凸圆角对应，所述其中一角与二边缘邻接，且所述二边缘与所述边缘的二直线段平行。

本实用新型引线框架的防崩边结构的更进一步改进在于，定义所述引线框架的二引脚为第一引脚及第二引脚，其中，所述第一引脚的截面成形为其中一角被倒角的四角形，所述第一引脚具有一角与所述边缘的凸圆角对应设置；所述第二引脚的截面成形为四角形，所述第二引脚具有二角与所述边缘的凸圆角对应设置。

本实用新型引线框架的防崩边结构的进一步改进在于，所述引线框架通过沿切割线进行切割以形成塑封体，所述切割线围设呈方形且与所述边缘的直线段平行设置。

附图说明

图1是现有引线框架易崩边的结构示意图。

图2是图1中A-A剖线的剖视结构示意图。

图3是本实用新型引线框架的防崩边结构示意图。

图4是图2中B-B剖线的剖视结构示意图。

附图标记与部件的对应关系如下：

背景技术：

引线框架10；主体框架11；连接框架12；引脚13；引脚14；凹槽15；边缘16；凸弧段161；凹弧段162；凹弧段163；切割线CL。

本实用新型：

引线框架20；连接区201；主体框架21；连接框架22；引脚23；角231；边缘232、233；引脚24；角241；边缘242、243；凹槽25；凸部251；边缘26；凸圆角261；直线段262、263；凹圆角264、265；切割线CL。

具体实施方式

为利于对本实用新型的了解，以下结合附图及实施例进行说明。

请参阅图3、图4，本实用新型提供一种引线框架的防崩边结构，所述引线框架10具有概呈十字的轮廓外形，所述引线框架20成形有主体框架21，以及自所述主体框架21中段的两侧朝相反方向延伸形成的二连接框架22，所述二连接框架22与所述主体框架21之间具有连接区201连接，所述连接区201具有二边缘26连接所述主体框架21及连接框架22；所述主体框架21与所述连接框架22具有相同的厚度，所述连接区201上突起形成有厚度大于所述主体框架21及所述连接框架22厚度的二引脚23、24；其中，所述防崩边结构包括所述连接区201的边缘26包括一凸圆角261及二直线段262、263连接构成直角结构，且所述直线段262、263与所述主体框架21边缘及连接框架22边缘之间分别通过凹圆角264、265连接。

如图3所示，进一步定义所述引线框架20的二引脚为第一引脚23及第二引脚24，其中，所述第一引脚23的截面成形为其中一角被倒角的四角形，所述第一引脚23具有一角231与所述边缘26的凸圆角261对应设置，所述其中一角231与二边缘232、233邻接，且所述二边缘232、233与所述边缘26的二直线段262、263平行；所述第二引脚24的截面成形为四角形，所述第二引脚24具有二角241与所述边缘26的凸圆角261对应设置，所述其中一角241与二边缘242、243邻接，且所述二边缘242、243与所述边缘26的二直线段262、263平行。

藉此，通过本实用新型引线框架的防崩边结构，引线框架20在进行切割作业以形成塑封体时，其切割线CL是如图3所示落在所述边缘26的凹圆角264、265之外(即与主体框架21、连接框架22的边缘相切)，或者，落在所述边缘26上并与其凹圆角264、265相切；并配合将边缘26成形为直角结构以形成二直线段262、263与围设呈方形的切割线CL平行设置，从而达到使本实用新型引线框架20的边缘26在进行切割时，能够均匀受力，避免引线框架崩边(package saw)，使引线框架不会因崩边而与塑封胶分离、分层，进而也起到避免引线框架封装后发生翘曲现象，达到增加半导体产品的生产良率及降低不必要耗损等有益技术效果。

于本实施例中，所述引线框架20较佳为一种芯片封装形式为DFN0603的引线框架，其中，DFN是小型电子元器件的封装形式的名称，0603表示单个电子元器件封装尺寸为长0.6mm、宽0.3mm。

于本实施例中，所述引线框架20具体可以通过半腐蚀形成前述结构形态，以减少连接区101上围设于引脚23周侧的连接筋宽度，减少切割时应力，避免引线框架20崩边。

于本实施例中，所述主体框架21两端呈方形且中间沿其两端连接方向开设有一凹槽25，所述凹槽25具有对应所述二连接框架22的相对二槽侧，所述主体框架21自所述凹槽25的其中一槽侧朝向所述凹槽25内部突出形成凸部251。

以上结合附图及实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本实用新型做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本实用新型的限定，本实用新型将以所附权利要求书界定的范围作为本实用新型的保护范围。